韩金良
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：湘潭大学材料与光电物理学院量子工程与微纳能源技术研究所更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金湖南省教育厅优秀青年基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Hg1-xCdxTe材料几种p型掺杂的第一性原理研究
- 碲镉汞材料是用于制作红外探测器的重要半导体材料。随着红外技术的迅速发展,对于碲镉汞材料的电学性质的认识已不能停留在基于经验参数的理论基础上。材料的机理及实验研究中表现出的物理现象需要从量子理论中寻求答案。相对于已经比较成...
- 韩金良
- 关键词：半导体材料碲镉汞第一性原理
- 文献传递
- Hg1-xCdxTe材料几种ρ型掺杂的第一性原理研究
- 碲镉汞材料是用于制作红外探测器的重要半导体材料。随着红外技术的迅速发展,对于碲镉汞材料的电学性质的认识已不能停留在基于经验参数的理论基础上。材料的机理及实验研究中表现出的物理现象需要从量子理论中寻求答案。相对于已经比较成...
- 韩金良
- 关键词：第一性原理碲镉汞化学势形成能
- 文献传递
- Au在Hg_(1-x)Cd_xTe材料中p型掺杂的第一性原理研究
- 2010年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了Au在Hg1-xCdxTe材料中原位取代Hg的p型掺杂对材料各组分电子结构的影响.通过态密度、形成能和动力学能级的理论分析,系统讨论了分子外延(MBE)和液相外延(LPE)两种生长条件下,Au杂质p型掺杂的稳定性和有效性.结果表明Au原位取代Hg后,Hg1-xCdxTe材料一方面表现出相当好的稳定性,另一方面形成浅杂质能级,是一种有效的p型掺杂剂.讨论了生长气氛对Au在Hg1-xCdxTe(MCT)中p型掺杂效率的影响,发现在MBE生长条件下,富阳离子气氛的所有组分,富Te气氛的0.75
- 韩金良孙立忠陈效双陆卫钟建新
- 关键词：化学势形成能HG1-XCDXTE
