霍秀敏
- 作品数：8 被引量：17H指数：3
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省重大科技攻关项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程动力工程及工程热物理电子电信更多>>
- 直径200mm太阳能CZSi复合式热场的数值模拟
- 2003年
- 用直径18英寸复合式热系统生长了直径200mm的太阳能CZSi单晶,计算机数值模拟分析表明,该热系统能降低熔硅纵向温度梯度,从而有效抑制熔体的热对流,并增加了熔硅与坩埚的边界层厚度,减少了SiO的熔入,降低了硅中氧、碳的含量,数值模拟对热场温度梯度的分析与实验结果较好地吻合。
- 任丙彦王猛刘彩池王海云霍秀敏左燕
- 关键词：数值模拟太阳能电池光电转换有限元方法
- RTP工艺中铝背场吸杂对硅片少子寿命影响的研究
- 本文采用P＜100＞CZ硅片制作硅光单体电池,并对RTP烧结铝背场工艺进行了研究。实验发现:快速热退火工艺对wafer少于寿命有一定影响,硅片经铝背场烧结后寿命变化更加明显,而且氧、碳形态也发生了变化。适当的RTP工艺促...
- 任丙彦左燕霍秀敏傅洪波励旭东王文静许颖赵玉文
- 关键词：少子寿命氧沉淀
- 文献传递
- 氧碳杂质对硅光电池光电转换效率影响的研究
- 任丙彦郝秋艳王海云张志成王猛乔治霍秀敏左燕
- 该项目通过对中氧中碳含量的硅片进行适当的热处理，从而使硅片表面的电活性杂质减少，体内减少了分散的载流子复合中心，减少了体内复合，提高了非平衡少数载流子寿命。同时该项目还首次将快速热处理工艺（RTP）引入太阳能电池的制备，...
- 关键词：
- 关键词：光电转换效率硅光电池
- 氧碳含量对太阳电池光电转换效率影响的研究
- 本文主要研究了太阳电池用直拉硅片中氧碳含量对太阳电池光电转换效率的影响.主要工作包括三个部分:首先研究了不同温度的热退火对于硅片氧碳含量和少子寿命的影响,然后将热处理过程应用于常规太阳电池的制备工艺,制出太阳电池.比较两...
- 霍秀敏
- 关键词：太阳电池氧沉淀少子寿命PECVD
- 文献传递
- 太阳能直拉硅片衬底中氧的热行为及其对光电转换效率的影响
- 采用不同氧碳含量的P型（100）无位错CZSi片制作单体硅光电池。为研究氧杂质的行为与影响,实验中设计了不同温度、气氛的热工艺条件。实验结果发现:适当的热处理工艺能引起硅片中氧的形态转变,以及氧碳结构的重组;络合体的形成...
- 任丙彦霍秀敏左燕傅洪波励旭东许颖王文静赵玉文
- 关键词：直拉硅
- 文献传递
- 硅光单体电源铝背场吸杂对非平衡少子寿命的影响被引量：4
- 2004年
- 采用 1 0 0 m m厚度 4 0 0 μm、电阻率为 0 .8～ 2 Ω· cm的 p(1 0 0 ) CZ硅片制作硅光单体电源 ,并对 RTP和铝背场烧结工艺进行了研究 .实验发现 :快速热退火工艺对硅片少子寿命产生一定影响 .铝背场烧结和适当的快速热处理促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用 ,并减少了载流子的复合中心 ,从而提高了光生载流子的扩散长度 。
- 任丙彦左燕霍秀敏励旭东王文静许颖赵玉文朱惠民傅洪波
- 关键词：RTP氧沉淀少子寿命吸杂
- 直拉硅片中间隙氧和硼对太阳电池光衰减影响的研究被引量：5
- 2004年
- 为研究间隙氧和硼对于硅片少子寿命和光衰减的影响,实验中采用不同氧碳含量、不同掺杂浓度的p型(100)的直拉硅(Cz Si)片制作太阳电池,设计了不同温度、气氛的热处理工艺。发现:太阳能级直拉单晶硅片中间隙氧含量和硼的掺杂浓度的不同对于硅片少子寿命的影响有一定的规律;硅片少子寿命值在650℃热处理时有轻微下降,而在后续650℃和950℃的热处理中有着显著的提高。当电阻率一定时,低氧的样片有利于少子寿命的提高;而在氧含量相同的情况下,掺杂硼的浓度越低,对于少子寿命的提高越有利。
- 任丙彦霍秀敏左燕励旭东许颖王文静
- 关键词：掺杂光衰减太阳电池
- 太阳电池硅片中碳的热行为及对氧沉淀影响的研究
- 为研究太阳电池硅片中碳对氧沉淀的影响,以及热处理对少子寿命的影响,实验中采用氧含量相差较小,碳含量差别较大的p型(100)直拉硅(Cz-Si)片,设计了不同温度、气氛的热处理工艺.发现:1050℃高温处理后碳-硅-氧复合...
- 霍秀敏傅洪波赵秀玲任丙彦王会贤曹中谦张学强刘彬国
- 关键词：碳热行为氧沉淀
- 文献传递
