张海鹏
- 作品数：5 被引量：21H指数：2
- 供职机构：杭州电子工业学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术电气工程更多>>
- 双π型RF EMIF的一种薄膜集成制造方法被引量：2
- 2004年
- 基于双π型电磁干扰滤波器(EMIF)的电路结构,借鉴了集成电路超微细加工技术,提出了与等平面超大规模集成电路工艺完全兼容的双p型EMIF电路的薄膜集成制造方法。该方法可用于制作满足未来电子系统的高频化、小型化、轻型化和片式化信号处理EMIF电路的应用需求,改善双p型EMIF电路的信号处理性能,还可将其与VLSI一起片上集成。
- 张海鹏秦会斌徐振宇梁海珊
- 关键词：EMIF电磁干扰滤波器电路结构
- Si_(1-x)Ge_x/SOI材料的基本性质与应用前景被引量：4
- 2004年
- 主要讨论了Si1-xGex/SOI材料的Si1-xGex应变层临界厚度、折射率增量、载流子迁移率、超晶格的线性电光效应、等离子色散效应等基本性质,比较了SOI、Si1-xGex/SOI光波导与石英光波导在光、光电集成方面的优势,简述了与体硅相比,SOI在VLSI应用方面的优越性及其在微电子领域的广泛应用。最后探讨了SiGe/SOI材料在光电集成和光集成领域的巨大应用前景。
- 张海鹏章红芳吕幼华
- 关键词：应变层光电集成超晶格
- 高温泄漏电流对反相器直流传输特性的影响
- 2004年
- 在本征CMOS反相器直流传输特性和所提出的离子注入浅结近似理论基础上,研究了N+衬底外延P阱CMOS反相器的源-漏结泄漏电流失配对其高温直流传输特性的影响,提出采用双阱或N阱工艺使PMOSFET的衬底浓度高于NMOSFET的衬底浓度,并适当减小PMOSFET漏区宽度的方法,可以减弱源-漏结泄漏电流失配的影响。
- 张海鹏秦会斌程筱军
- 关键词：CMOS反相器电流失配
- 一种与VLSI技术兼容的新型三维集成射频干扰滤波器
- 2004年
- 基于双π型电磁干扰滤波器(EMIF)的电路结构,借鉴集成电路超微细加工技术,提出了与等平面超大规模集成电路工艺完全兼容的一种新型三维集成射频干扰滤波器电路;简要介绍了该电路的绝缘层上金属薄膜三维集成制造方法,建立了电路传递函数模型,并进行了简要分析。该电路可用于制作适合未来电子系统高频化、小型化、轻型化和片式化信号处理的RF片上系统。
- 张海鹏
- 关键词：VLSI电路结构超大规模集成电路
- 激光打靶系统的设计被引量：15
- 2003年
- 介绍了一种简单实用的激光打靶模拟训练系统 ,该系统由半导体激光枪、传感器靶、信号处理、显示电路组成 ,并可用计算机实时显示打靶者的成绩 ,具有精度高、形象逼真、能自动判断、显示环数。
- 刘建秦会斌黄博志张雪荣张海鹏
- 关键词：信号处理串行通信
