孙青
- 作品数：33 被引量：70H指数：5
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- 反应室结构与工艺参数对PVD SiO_2薄膜均匀性的影响
- 1989年
- 本文根据气流模型研究了反应室结构与光激发汽相淀积(PVD)SiO_2薄膜均匀性的关系,并且讨论了工艺参数对PVD SiO_2薄膜均匀性的影响。
- 景俊海孙青孙建诚付俊兴
- 关键词：PVDSIO2薄膜均匀性
- 紫外汞灯PVD二氧化硅薄膜特性研究被引量：2
- 1990年
- 本文论述了紫外汞灯Hg敏化PVD SiO_2薄膜的原理及方法,讨论了PVD SiO_2薄膜的光学特性、结构特性、电学特性、附着力及应力,并分析了薄膜的成份。
- 景俊海孙青孙建诚付俊兴
- 关键词：PVD二氧化硅薄膜汞气灯
- 微组装技术的发展现状与未来展望被引量：3
- 1995年
- 微组装技术是继表面安装技术之后的第五代电子组装技术。本文综述了微组装技术当前的发展概况，对该技术未来十年的发展方向和趋势作了预测，并着重介绍了其代表性产品多芯片组件以及关键技术。
- 庄奕琪孙青
- 关键词：微组装多芯片组件多层基板
- 微波ECR等离子体中的电子能量吸收的计算被引量：2
- 1996年
- 本文研究了ＥＣＲ系统中微波能量的耦合过程，给出了电子能量吸收的数值计算，发现ＥＣＲ共振腔内静磁场的分布、工作气压和微波功率是决定产生高能电子的主要因素，从而决定了ＥＣＲＣＶＤ薄膜淀积工艺的有关参数。进行了ＥＣＲＣＶＤＳｉＮ薄膜的工艺实验，其结果与理论计算符合得较好。
- 杨银堂恩云飞孙青
- 关键词：等离子体电子回旋共振
- 电子器件可靠性的噪声表征方法被引量：19
- 1996年
- 随着电子器件朝着高性能、小尺寸和长寿命方向发展，传统的寿命试验可靠性评价方法的局限性日益显著。近年来得到的大量研究结果表明，对于大多数电子器件，噪声是导致器件失效的各种潜在缺陷的敏感反映，噪声检测方法以其灵敏、普适、快速和非破坏性的突出优点，正在发展成为一种新型的电子器件可靠性表征工具。本文对该领域目前的研究进展做了概括性的评述。
- 庄奕琪孙青
- 关键词：电子器件噪声可靠性
- Si-SiO_2界面陷阱引起的双极晶体管h_(FE)漂移的模型与模拟被引量：5
- 1989年
- 本文表明,Si-SiO_2界面过渡层中的载流子陷阱对硅体内电子存在慢俘获作用,这将导致npn型双极晶体管电流放大系数h_(FE)随时间的正向漂移。从这种物理机制出发,建立了相应的数学模型。经计算机模拟分析,求得了h_(FE)随时间的漂移曲线以及温度、发射结偏压、基区表面势对这种漂移的影响。结果表明,基区表面势对漂移量的大小有重要影响,高温老化是漂移失效筛选的有效手段。
- 庄奕琪孙青杨银堂
- 关键词：双极晶体管漂移
- PECVD SiO_2薄膜应力特性的研究被引量：4
- 1989年
- 本文分析了等离子增强化学汽相淀积(PECVD)SiO_2膜的淀积过程,用激光束偏转法测量衬底形变弯曲技术研究了SiO_2膜的应力特性,讨论了SiO_2膜的应力与膜厚、折射率、测量温度及退火温度的关系,最后分析了SiO_2膜本征应力的产生机制。
- 杨绪华孙青
- 关键词：SIO2应力PECVD
- 超导薄膜的光辐射退火
- 1990年
- 本文介绍了超导薄膜的低温光辐射退火工艺，采用该工艺，可有效地降低工艺温度，并显著地提高Ｔｃ（０）值．
- 景俊海孙青
- 关键词：超导光辐射退火
- 电迁移与工艺相关的关系被引量：2
- 2000年
- 针对金属化电迁移 ,进行了失效机理与工艺相关性的研究 ;确定了金属晶粒尺寸与金属化可靠性之间存在着直接关系 .金属平均晶粒直径与金属电迁移寿命受金属化溅射工艺条件的影响完全一致 .提出了平均晶粒直径作为能够表征金属化可靠性的特征工艺参数的概念和金属化可靠性在线评价方法 .
- 焦慧芳孔学东贾新章孙青扬文徐征
- 关键词：电迁移金属化可靠性数学分析VLSI
- 器件结构中材料应力的控制和优化方法
- 1996年
- 在对器件结构中材料应力进行分析和测量的基础上，提出了控制和优化器件结构中材料应力的几种方法，包括合理选择工艺条件、采用多层复合膜技术、确定双层结构的最佳厚度值以及选择适当的材料种类等。实际应用结果表明，这些方法是有效的和可行的。
- 杨银堂傅俊兴孙青
- 关键词：半导体器件
