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王行军

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇多孔硅
  • 1篇微结构
  • 1篇发光
  • 1篇发光机理
  • 1篇RAMAN谱

机构

  • 2篇复旦大学
  • 2篇长沙电力学院

作者

  • 2篇刘小兵
  • 2篇柳毅
  • 2篇柳玥
  • 2篇史向华
  • 2篇侯晓远
  • 2篇丁训民
  • 2篇王行军

传媒

  • 1篇长沙电力学院...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
多孔硅的微结构对其Raman谱的影响
2004年
 用场发射扫描电子显微镜研究了用直流化学腐蚀和脉冲电化学腐蚀方法制备的多孔硅(PS)的微结构,观察并测试了孔洞的垂直度、深度以及洞宽(直径),对PS的纵向微结构进行了二次电子图像和背散电子图像的分析。使用高灵敏的共焦显微Raman系统研究了纵向的Raman谱,同时分析了微结构对纵向Raman效应的影响。
刘小兵史向华柳毅柳玥王行军丁训民侯晓远
关键词:多孔硅RAMAN谱微结构
多孔硅薄膜纵向分辨Raman谱研究
2003年
采用高灵敏度的micro Raman系统研究了多孔硅(PS)在纵向的Raman效应,并研究了多孔硅尺寸对Raman谱的影响.实验中采用脉冲电化学腐蚀和直流电化学腐蚀两种方法制备PS样品,纵向Raman光谱的结果表明,在纵向不同深度,用脉冲电化学腐蚀方法制备的PS,Raman光谱不存在频移,而用直流电化学腐蚀方法制备的PS在多孔层深度为70~90μm处的Raman光谱有向低波数方向约40cm-1的移动,它是由于常规电化学腐蚀方法制备的PS不同深度的尺寸分布对量子效率的影响引起的.
刘小兵史向华柳毅柳玥王行军丁训民侯晓远
关键词:发光机理
共1页<1>
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