王艳艳
- 作品数：11 被引量：3H指数：1
- 供职机构：大连理工大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 用ECR-PECVD低温沉积多晶硅薄膜
- 2006年
- 在自行设计研制的先进的电子回旋共振(ECR)等离子体增强化学气相沉(PECVD)装置上,采用ECR-PECVD可控活化低温外延技术,以SiH4+H2为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温(小于等于550℃)制备多晶硅(poly-Si)薄膜。利用反射高能电子衍射、透射电子显微镜和原子力显微镜研究了SiH4流量、H2流量和衬底温度等工艺参数的改变对薄膜晶化的影响。通过分析薄膜结构和形貌,得出适宜低温生长多晶硅薄膜的工艺参数。
- 王艳艳秦福文吴爱民冯庆浩
- 关键词：ECR-PECVD多晶硅薄膜反射高能电子衍射透射电子显微镜原子力显微镜
- 锂离子电池富锂锰基正极材料的表面改性及电化学性能研究
- 王艳艳
- 低温下Poly-Si薄膜的ECR-PECVD生长及特性研究
- 多晶硅薄膜以其优异的光电性能和较低的制备成本，在能源信息工业中，同益成为一种重要的电子材料，并被广泛应用于大规模集成电路和半导体分立器件。为降低多晶硅薄膜的生产成本，研究在廉价的玻璃衬底上低温制备多晶硅薄膜的技术成为当今...
- 王艳艳
- 关键词：ECR-PECVD多晶硅薄膜缓冲层薄膜生长
- 文献传递
- 一种纳米炭黑压电陶瓷复合水泥基测力探伤传感器
- 本发明涉及一种纳米炭黑压电陶瓷复合水泥基传感器，是一种与混凝土相容性好，能够精确定位裂缝位置，同时测定压力变化的高强度高灵敏度的纳米碳黑压电陶瓷复合水泥基传感器。将水泥与炭黑按5∶1的比例均匀混合制作成立方块体，在水泥立...
- 王琪李冬生王艳艳
- 文献传递
- 一种纳米炭黑压电陶瓷复合水泥基测力探伤传感器
- 本实用新型涉及一种纳米炭黑压电陶瓷复合水泥基测力探伤传感器，是一种与混凝土相容性好，能够精确定位裂缝位置，同时测定压力变化的高强度高灵敏度的纳米碳黑压电陶瓷复合水泥基传感器。将水泥与炭黑按5∶1的比例均匀混合制作成立方块...
- 王琪李冬生王艳艳
- 文献传递
- 采用ECR-PECVD技术低温生长多晶硅薄膜
- 在自行设计研制的先进电子回旋共振(ECR)等离子体增强化学气相沉(PECVD)装置上,采用'ECR-PECVD'可控活化低温外延技术,以SiH4+H2为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温(≤550℃)制备多晶硅薄膜.利用反射...
- 秦福文吴爱民王艳艳冯庆浩李伯海
- 关键词：ECR-PECVD多晶硅薄膜反射高能电子衍射电子回旋共振
- 文献传递
- 一种表面多组分改性无钴富锂锰基正极材料及制备方法
- 本发明公开了一种表面多组分改性无钴富锂锰基正极材料及制备方法。利用离子交换法在材料次外层形成一层尖晶石相，具有三维Li<Sup>+</Sup>扩散通道，同时在表层Li位中掺杂Ce减缓TM离子的转移，有效稳定晶格氧的演化，...
- 黄昊王艳艳于文华吴爱民
- 采用ECR-PECVD技术低温生长多晶硅薄膜
- 在自行设计研制的先进电子回旋共振（ECR）等离子体增强化学气相沉 （PECVD）装置上,采用“ECR-PECVD”可控活化低温外延技术,以SiH4+H2 为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温（≤550℃）制备多晶硅薄膜。利用...
- 秦福文吴爱民王艳艳冯庆浩李伯海
- 关键词：ECR-PECVD多晶硅薄膜反射高能电子衍射
- 文献传递
- 一种表面多组分改性无钴富锂锰基正极材料及制备方法
- 本发明公开了一种表面多组分改性无钴富锂锰基正极材料及制备方法。利用离子交换法在材料次外层形成一层尖晶石相，具有三维Li<Sup>+</Sup>扩散通道，同时在表层Li位中掺杂Ce减缓TM离子的转移，有效稳定晶格氧的演化，...
- 黄昊王艳艳于文华吴爱民
- 多晶硅沉积工艺中中间层对多晶硅质量的影响被引量：1
- 2007年
- 采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以SiH4和H2为气源,在350℃的低温条件下,在普通玻璃衬底上沉积了多晶硅薄膜。主要考察了中间层对多晶硅薄膜沉积质量的影响。实验证明,当中间层的沉积温度为350℃,H2流量为20 sccm时,得到多晶硅薄膜晶粒的直径最大,为53 nm;且随着中间层沉积温度的提高,薄膜的结晶度提高。
- 李伯海秦福文吴爱民王艳艳徐茵顾彪
- 关键词：多晶硅薄膜中间层
