王会新
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：曲阜师范大学物理工程学院物理系更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 多孔硅微腔及其镶嵌有机发光材料的光学性质研究
- 在该文中,我们采用电化学脉冲腐蚀方法,并在电解液中加入甘油,增强其粘度,在P型单晶硅衬底(电阻率1~20 Ω.cm)上成功地制备出高质量的多孔硅微腔.8-羟基喹啉铝(Alq3)是一种重要的有机电致发光材料,它的发光峰也很...
- 王会新
- 关键词：多孔硅微腔荧光光谱
- 文献传递
- 多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究
- 2004年
- 制备Al/多孔硅/c Si/Al结构的多孔硅发光二极管,利用其I V特性关系,以及在不同温度下其I V特性的变化,结合多孔硅的特殊微结构及性质,分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程;通过比较其发光猝灭前后I V特性的变化,解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合,是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。
- 倪梦莹李清山李媛媛王会新曹小龙
- 关键词：发光二极管多孔硅I-V特性电致发光
- 铜掺杂多孔硅的光致荧光猝灭被引量：6
- 2004年
- 采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一铜镀层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响。实验表明,掺铜对多孔硅的光致发光具有明显的猝灭效应,并使多孔硅的发光峰位蓝移。由于多孔硅表面铜的吸附使硅 氢键明显减少,而铜原子和硅的悬挂键成键会形成新的非辐射复合中心,从而使多孔硅的光致发光强度衰减。且浸泡溶液的浓度越高,这种猝灭效应越明显。而多孔硅发光峰位的蓝移,则是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故。
- 李媛媛李清山倪梦莹王会新曹小龙
- 关键词：多孔硅傅里叶变换红外猝灭
- 多孔硅镶嵌C102的蓝绿发光特性被引量：2
- 2004年
- 利用多孔硅(PS)独特的微孔结构、非常大的比表面积、很强的吸附能力和灵敏的表面光学性质等特点,将激光染料香豆素102(C102)镶嵌在多孔硅中,得到多孔硅镶嵌C102的复合膜。研究复合膜的荧光特性,我们发现:镶嵌在多孔硅中的C102荧光光谱与其在无水乙醇溶液中的荧光光谱相似,主要呈现单体发光特性;通过比较镶嵌在不同孔隙率中的C102荧光光谱,得知镶嵌在不同多孔硅中的染料分子主要以同种形式存在。另外还发现,放置一段时间后的镶嵌复合膜,荧光强度明显增强,对称性提高,保留了激光染料发光的很多优点。多孔硅镶嵌C102的荧光特性展示了多孔硅在发展固体激光器方面有一定的应用,并为实现硅基蓝绿发光打开新的途径。
- 倪梦莹李清山李媛媛王会新曹小龙
- 关键词：多孔硅荧光光谱
- 镶嵌于多孔硅微腔中8-羟基喹啉铝的窄峰发射被引量：1
- 2004年
- 利用浸渍法将 8 羟基喹啉铝 (Alq3)镶嵌到多孔硅微腔中 ,制备了多孔硅微腔—Alq3镶嵌膜 ,研究了多孔硅微腔对镶嵌其中的Alq3自发发射的微腔效应 ,观察到了光谱窄化、发光强度增强等现象。镶嵌于多孔硅微腔中的Alq3荧光光谱的半峰全宽只有 1 5nm ,而非微腔样品 ,即镶嵌于普通的单层多孔硅中Alq3荧光谱半峰全宽在 85nm以上。并且有微腔时Alq3发光强度比没有微腔时Alq3发光强度增强一个数量级。随机改变微腔中Bragg反射镜高折射率层的几何厚度可使高反射区展宽 ,从而更加有效地抑制了多孔硅本身的发光模 ,使发光色度更纯 ,但由于峰值透射率减小 ,导致共振峰强度有所减小。
- 王会新李清山赵建平田海峰倪梦莹李媛媛曹小龙
- 关键词：多孔硅微腔8-羟基喹啉铝光致发光
