熊泽
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜的成份符合化学式Zn<Sub>1-x-y</Sub>Cr<Sub>x</Sub>Ga<Sub>y</Sub>O，...
- 熊泽刘学超卓世异孔海宽杨建华施尔畏
- 具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜的成份符合化学式Zn<Sub>1-x-y</Sub>Cr<Sub>x</Sub>Ga<Sub>y</Sub>O，...
- 熊泽刘学超卓世异孔海宽杨建华施尔畏
- 文献传递
- (Cu,Al)掺杂ZnO薄膜表面处缺陷的拉曼光谱研究被引量：1
- 2012年
- 采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法制备了(Cu,Al)掺杂ZnO薄膜,超导量子干涉磁强计测试结果表明,薄膜具有室温的铁磁性。采用激光共聚焦拉曼(Raman)光谱研究了(Cu,Al)掺杂ZnO薄膜的表面特性,以两种处理方式对薄膜进行了Raman光谱测试:共聚焦模式从薄膜表面开始至不同深度处进行测试;对薄膜样品进行预处理加工,采用面扫描模式在薄膜平面对(Cu,Al)掺杂ZnO薄膜的斜面进行测试。分析了Raman光谱A1(LO)峰的中心位置和强度变化,结果表明,界面处晶格应力和缺陷明显增强。这些晶格畸变和点缺陷的存在会对体系的铁磁性有促进作用。
- 卓世异刘学超熊泽杨建华施尔畏
- 关键词：ZNO稀磁半导体拉曼光谱
- Cr掺杂ZnO薄膜磁性机理的同步辐射研究
- 熊泽卓世异刘学超施尔畏
- 氧化锌基稀磁半导体薄膜制备与磁性机理研究
- 本文研究了磁性过渡金属Co掺杂ZnO体系，采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法在不同的条件下制备了上述薄膜，表征了薄膜的微结构、半导体性能、磁性和光学性能。研究结果表明对于Co掺杂ZnO纳米薄膜具有表面平整、晶粒大小均...
- 刘学超卓世异熊泽施尔畏
- 关键词：稀磁半导体材料过渡金属离子
- 非磁性元素掺杂ZnO稀磁半导体研究进展被引量：3
- 2011年
- ZnO基稀磁半导体的磁性来源和机理一直是研究的热点和难点。传统的磁性3d过渡族元素掺杂ZnO容易形成铁磁性的第二相,而非磁性元素掺杂可以很好的避免这一弊端,是研究稀磁半导体磁性来源和机理的理想体系。而且理论计算和实验方面已经报道了室温以上的铁磁性。本文从实验上和理论上综述了非磁性元素掺杂ZnO基稀磁半导体最近的研究进展。
- 卓世异刘学超熊泽陈之战杨建华施尔畏
- 关键词：稀磁半导体ZNO室温铁磁性
