熊家炯
- 作品数：15 被引量：27H指数：4
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学文化科学电子电信一般工业技术更多>>
- 电场下GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中的子带和激子被引量：4
- 1989年
- 本文利用有限势垒模型,研究电场对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中子带和激子的影响。对阱宽为105的GaAs/Ga_(0.66)Al_(0.34)As量子阱,电场由0—1.2×10~5V/cm,我们计算了电子和空穴的子带以及激子的结合能。基于上述计算结果,所得电子-空穴重叠函数和激子峰的能量移动与实验测量符合得较好。
- 朱嘉麟唐道华熊家炯顾秉林
- 关键词：电场子带激子
- 研究纳米材料微观性能的一种新方法：电子动量谱学
- 1995年
- 电子动量谱学正在成为研究纳米材料微观性能的一种新方法。本文对这一新方法的原理、实验设备、实验方法和初步结果作了简要的描述。
- 陈学俊熊家炯郑延友
- 关键词：电子动量谱纳米材料电子动量分布光电子能谱运动特性
- 物理学及相关学科的拔尖人才培养模式的创新与实践——清华大学基础科学班简介被引量：5
- 2006年
- 尚仁成阮东熊家炯
- 关键词：物理学
- 清华基础科学班的办学过程中对若干教育理念的思考
- 清华大学基础科学班是清华大学1998年开始创建的以培养数学、物理等基础科学方面的优秀人才为目的的试验班，本文就该试验班创建及发展过程中碰到的一些问题进行研究，形成了关于因材施教与培养拔尘人才，数理结合与学科交叉，课堂学习...
- 尚仁成熊家炯白峰杉阮东杨东
- 关键词：拔尖人才课堂学习
- 文献传递
- Ⅱ－Ⅵ族半导体研究概观被引量：8
- 1996年
- 回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧姆接触；（３）Ⅱ－Ⅵ族外延结构中的电子、激子与增益；（４）量子线、量子点及稀磁半导体。
- 任天令朱嘉麟熊家炯张春波陈曦
- 关键词：半导体P型掺杂欧姆接触
- 发展工科优势 加强理科建设──清华大学理学院重建十年后的思考被引量：1
- 1995年
- 发展工科优势 加强理科建设─－清华大学理学院重建十年后的思考余寿文，熊家炯（一）清华大学理学理科教育有着悠久的历史，早在１９２９年清华大学就创立了理学院，并曾培养造就了许多知名科学家和学者。据１９８１年统计，当时中国科学院共有学部委员（现称院士）６３...
- 余寿文熊家炯
- 关键词：学科建设工科人文社会理科基础青年教师
- 半导体超晶格、量子阱材料的进展
- 1990年
- 本文回顾了超晶格概念的提出及材料制备技术的进展;描述了半导体超晶格,量子阱材料的物理图象和基本特性,及其相关元器件的重要意义;综述了当前半导体超晶格,量子阱材料的研究进展及其应用,包括:(1)异质结构;(2)调制掺杂;(3)渐变带隙及带隙工程;(4)应变层超晶格;(5)新概念及新效应探索。文末概述了作者在量子阱超晶格材料的设计与性能预测方面进行的一些工作。
- 熊家炯朱嘉麟
- 关键词：半导体器件超晶格
- 基础科学班20年的探索与实践被引量：2
- 2020年
- “数理基础、科研训练、自由发展”是基础科学班一流创新人才培养的基本理念。基础科学班20年探索与实践,在因材施教、基础学科人才和跨学科人才培养等方面成效显著,为一流创新人才培养和教学改革提供了宝贵经验。本文追溯了基础科学班的创立与发展,总结了它的办学理念、指导方针、培养模式,以及一些具体的做法,旨在全面提升人才培养质量,为国家培养出更多优秀人才作出贡献。
- 阮东尚仁成熊家炯吴念乐
- 关键词：因材施教
- 势阱形状对电场下量子阱子带和激子能移的影响被引量：2
- 1989年
- 在束缚态近似下,用级数解法求解电场下各种不同形状GaAs/GaAlAs量子阱中电子和空穴子带,进一步采用变分方法得到激子结合能.由此,我们首次得到电场下由抛物阱至方位阱子带和激子峰能移的变化图象.在考虑GaAs/GaAlAs量子阱形状影响的基础上,我们计算所得结果与实验吻合得很好.
- 朱嘉麟唐道华顾秉林熊家炯
- 关键词：激子GAAS
- 无序电阻网络中的最大电流研究
- 1990年
- 本文证明,一个无序电阻网络中的平均最大电流可标度为(JnL)~α,这里L为网络的线度,而幂指数α不仅与维数和电导率之比有关,而且还与缺陷的端角β有关。这个结论是从分析含通道的漏斗形缺陷中的电位和电流分布得到的。文中还对Machta等人和DBL理论预言过的,当σ_2→0时幂指数α的差异,提出一个定性的解释。
- 包科达熊家炯
- 关键词：网络
