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李赟

作品数：30 被引量：49H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 27篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 13篇碳化硅
  • 8篇SIC
  • 8篇4H-SIC
  • 5篇肖特基
  • 5篇肖特基二极管
  • 5篇二极管
  • 5篇H型
  • 5篇衬底
  • 4篇晶体管
  • 4篇场效应
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 3篇势垒
  • 3篇退火
  • 3篇界面态
  • 3篇均匀性
  • 3篇半导体
  • 3篇SIC衬底
  • 3篇SIT
  • 3篇3C-SIC

机构

  • 30篇南京电子器件...
  • 1篇全球能源互联...

作者

  • 30篇李赟
  • 16篇柏松
  • 14篇赵志飞
  • 11篇陈刚
  • 9篇黄润华
  • 9篇陶永洪
  • 7篇刘奥
  • 6篇陈辰
  • 5篇李忠辉
  • 5篇李理
  • 5篇汪玲
  • 5篇尹志军
  • 5篇陆东赛
  • 5篇朱志明
  • 4篇杨立杰
  • 4篇李宇柱
  • 4篇倪炜江
  • 4篇陈堂胜
  • 4篇李哲洋
  • 2篇陈征

传媒

  • 22篇固体电子学研...
  • 2篇第13届全国...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇电子与封装
  • 1篇智能电网
  • 1篇2012全国...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2019
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 5篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 5篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
4°偏轴SiC衬底外延工艺研究被引量：1
2013年
4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓度缓变的缓冲层设计,在4°偏轴的SiC衬底上制得了表面无台阶形貌的SiC SBD结构外延材料。利用优化工艺生长的4°偏轴衬底上的SBD结构外延材料目前已经全面应用于600～1 700V SBD器件的研制。
李赟尹志军朱志明赵志飞陆东赛
关键词：肖特基二极管
C/Si比对Si(100)衬底3C-SiC薄膜质量的影响
SiC具有优异的材料特性,可以用来制造各种耐高温的高频、高效大功率器件[1].相对于衬底价格昂贵的SiC同质外延,Si基SiC异质外延在衬底价格及外延尺寸上面具有其独特的优势,同时Si基SiC异质外延材料还可以兼容于成熟...
赵志飞李赟尹志军朱志明陆东赛
3C-SiC悬臂结构干法刻蚀研究
2015年
基于感应离子耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,采用SF6和O2作为刻蚀气体,以金属铝和SiO2作为刻蚀掩膜,系统地研究了3C-SiC悬臂结构的加工方法以及掩膜材料对刻蚀悬臂结构的影响。首先采用SF6和O2作为刻蚀气体刻蚀出SiC结构,其次采用SF6气体各向同性刻蚀Si衬底,释放已刻好的SiC悬臂梁结构。铝作为掩膜时,刻蚀最小结构尺寸为6μm,SiC表面几乎无损伤;SiO2作为掩膜时,刻蚀最小结构尺寸为4μm,但SiC表面损伤较大。上述研究结果为3C-SiC MEMS器件的制备提供了工艺基础。
焦宗磊朱健王守旭姜国庆李赟
关键词：碳化硅干法刻蚀悬臂结构
基于正交实验的100mm 4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究被引量：3
2014年
采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究。分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响。采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对SiC外延厚度和掺杂浓度均匀性指标影响的主次顺序,并给出了优化的外延参数。采用该工艺条件制得的无台阶聚集形貌的SiC外延片片内厚度均匀性和浓度均匀性分别是1.23%和3.32%。
李赟赵志飞陆东赛朱志明李忠辉
关键词：SIC衬底均匀性正交实验
退火时间对SiC热解法制备石墨烯薄膜的影响被引量：2
2013年
利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除,SiC衬底的有效碳化时间有限,实验发现热处理时间超过30min之后,石墨烯层数并无明显变化。进一步加长热处理时间,石墨烯样品中出现局部氢插入层。
李赟尹志军赵志飞朱志明陆东赛李忠辉
关键词：石墨烯碳化硅衬底
L波段0.5mm SiC SIT被引量：1
2011年
作为测试小管芯,所研制的小栅宽(0.5mm)L波段SiC SIT器件,台面和栅凹槽线宽分别为1.0μm和1.5μm,源间距2.5μm,采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段,提高了器件的击穿特性和微波特性。0.5mm栅宽SiC SIT器件,输出功率通过负载牵引系统进行测试,在1.2GHz CW、50V工作电压下测量的输出功率密度达到7.55W/cm,功率增益在7.3dB;在1.4GHz CW、50V工作电压下测量的输出功率率密度达到了4.4W/cm,功率增益在5.76dB。
陶永洪柏松陈刚李理李赟尹志军
关键词：L波段碳化硅
1200V常开型4H-SiC VJFET被引量：3
2011年
用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管(VJFET)。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395 A/cm2,相应的比导通电阻为5.06 mΩ·cm2。分析发现欧姆接触电阻是导通电阻的重要组成部分,改善欧姆接触可以进一步降低导通电阻。
倪炜江李宇柱李哲洋李赟管邦虎陈征柏松陈辰
关键词：比导通电阻
3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造被引量：6
2016年
介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。
刘涛陈刚黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李赟赵志飞
SiC MESFET高温工作寿命研究被引量：2
2011年
对在76.2 mm 4H-SiC半绝缘衬底上研制的SiC MESFET进行了高温工作寿命试验,试验结果表明采用Au/Ti/欧姆接触结构的器件在结温275℃条件下工作500 h后,饱和电流下降幅度超过了29%,器件均发生失效。分析表明器件失效的主要原因是Ti层扩散使欧姆接触性能下降。改进工艺采用WTi作为扩散阻挡层后,扩散现象得到了有效抑制,试验前后器件的饱和电流下降幅度在16%以内。三温加速寿命试验表明,器件在150℃结温下平均失效时间(MTTF)达4.1×106h。
李理柏松陈刚蒋浩陈征李赟陈辰
关键词：金属半导体场效应管
1700V碳化硅MOSFET设计被引量：4
2014年
设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。
黄润华陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥卫能李赟赵志飞
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管界面态
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