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甚高频电容耦合氢等离子体特性研究被引量：3: 2012年; 采用高H2稀释的SiH_4等离子体放电,特别是甚高频等离子体增强化学气相沉积技术是当前高速制备优质微晶硅薄膜的主流方法.尽管在实验上取得了很大的突破,但其沉积机理一直是研究的热点和难点.本文通过建立二维时变的轴对称模型,在75 MHz放电频率下,对与微晶硅沉积非常相关的甚高频电容耦合氢等离子体放电进行了数值模拟,研究了沉积参数对等离子体特性的影响,并与光发射谱(OES)在线监测结果进行了比较.结果表明:电子浓度n_e在等离子体体层中间区域最大,而电子温度T_e及H_α与H_β的数密度在体层和鞘层界面附近取极大值;当气压从1 Torr(1Torr=133.322 Pa)增大至5 Torr时,等离子体电势单调降低,在体层中间区域n_e先快速增大然后逐渐减小,T_e先下降后趋于稳定;随着放电功率从30 W增大到70 W,电子浓度n_e及H_α与H_β的数密度均线性增大,而电子温度T_e基本保持不变;OES在线分析结果与模拟结果符合得很好.; 李艳阳杨仕娥陈永生周建朋李新利卢景霄; 关键词：甚高频氢等离子体数值模拟

氢等离子体气相反应的模拟和实验研究: 频等离子体增强化学气相沉积微晶硅薄膜太阳能电池,已得到广泛应用.因为微晶硅薄膜的沉积是个复杂的放电过程,其生长机理仍是目前研究的热点.在微晶硅薄膜的沉积过程中硅烷的浓度一般小于10％,辉光放电中主要参与反应的仍为氢等离子...; 李新利陈喜平周建朋李艳阳陈永生卢景霄杨仕娥; 关键词：氢等离子体

上转换太阳电池的数值模拟被引量：1: 2012年; 采用细致平衡原理,将太阳,环境作为辐射体,只考虑电池辐射复合,建立了太阳电池的模型。通过模拟,得出单结太阳电池的极限效率为31%,当使用上转换器时,单结电池的极限效率增至47.3%;对于双结电池,当顶电池带隙宽度为1.7 eV,底电池带隙宽度从1.1 eV变化到1.5 eV,模拟的最大效率为39.9%,有上转换器最大时效率提高到了47.4%。; 周建朋陈永生卢景霄孟晓波李艳阳王洪洪; 关键词：太阳电池基尔霍夫定律

放电功率对VHF-PECVD微晶硅薄膜生长过程的影响被引量：1: 2013年; 采用基于有限元的数值模拟方法,研究了VHF-PECVD法制备微晶硅薄膜的等离子体放电和气相反应过程,模拟了放电功率对等离子体特性及气相化学的影响,并与光发射谱(OES)在线监测结果进行了比较。模拟结果表明:当放电功率从30 W增大至70 W时,等离子体中心区域的电子温度T e基本保持不变,电子浓度n e和等离子体电势Φ线性增大;气相中H和SiH3等基元浓度逐渐增大,二者的浓度比n H/n SiH3亦随功率单调增大,模拟结果与OES测量结果吻合的很好。最后,根据数值模拟结果,对实验上不同放电功率下微晶硅薄膜的生长特性进行了解释。; 杨仕娥崔宗超郭巧能陈永生李艳阳卢景霄; 关键词：微晶硅等离子体数值模拟

数值模拟p/i界面对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响被引量：1: 2011年; 采用美国宾州大学开发的AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)软件模拟了p/i界面缺陷态密度(Npt/i)和非晶孵化层厚度(d)对pin型氢化微晶硅(μc-Si∶H)薄膜太阳电池性能的影响。结果表明:随着Ntp/i的增大,电池的开路电压Voc和填充因子FF单调减小,短路电流Jsc基本不变;随着d的增大,Jsc和FF单调减小,Voc反而增大;Ntp/i和d值的增大均会导致电池光电转换效率η下降。通过对电池内部的电场及能带的分析,对上述模拟结果进行了解释。; 苗丽燕杨仕娥李艳阳陈永生谷锦华卢景霄; 关键词：光电转换效率

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李艳阳