李肖
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
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- MOCVD AlGaAs/GaAs HBT材料生长中基区、发射区结偏位的分析与控制被引量：1
- 2004年
- 分析了MOCVDAlGaAs/GaAsHBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P N结界面产生偏离的原因 ,计算了外延生长参数对结偏离的影响 ,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时 ,使得结偏位为 0时所需生长的GaAsspace层厚度 ,它们分别为 1～ 1.5nm、3～ 4nm及 12～ 15nm。计算与器件研制结果基本相符。
- 王向武李肖张岚黄子乾潘彬
- 关键词：异质结双极晶体管金属有机化合物气相淀积
- B^+注入隔离在宽禁带半导体中的应用
- 2011年
- 利用B^+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。
- 李春陈刚李宇柱周建军李肖
- 关键词：离子注入宽禁带半导体氮化镓
- 温度对AlGaN/GaN HEMT电学性能的影响被引量：2
- 2007年
- 研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT器件直流和微波性能随温度的变化。研究结果表明,器件直流性能随着温度升高逐渐下降,350°C时直流性能依然良好,从350°C冷却到室温后,器件直流特性除欧姆接触电阻改善外,其他都得到了恢复;微波测试表明,器件fT,fmax都随温度升高而下降,180°C时,fT从室温的11.6GHz下降为7.5GHz、fmax从24.6GHz下降为19GHz,通过外推得到350°C时的fT为3.5GHz,fmax为12GHz。证明了AlGaN/GaN HEMT具有良好的热稳定性,适合在高温下进行高频工作。
- 任春江陈堂胜焦刚李肖
- 关键词：氮化镓宽禁带高电子迁移率晶体管温度特性
- 用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料被引量：5
- 2006年
- 采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。
- 黄子乾李肖潘彬张岚
- 关键词：金属有机化合物气相淀积
- SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的热分析与测试被引量：1
- 2007年
- 对SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的结温进行了理论计算与实测。计算中考虑了衬底材料热导率随温度的变化以及器件源、漏电阻上的热损耗,不同耗散功率下的理论计算与红外显微镜实测结果比较表明,两者相差最大不超过10℃。由于理论计算结果是在解析解的基础上运用计算机迭代计算获得,所耗时间较短,故这一结果对于改善器件结构以提高AlGaN/GaN HEMT及其MMIC电路的性能将有较大帮助。
- 任春江陈堂胜焦刚李肖薛舫时李拂晓
- 关键词：氮化镓宽禁带热分析红外显微镜
- 用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料
- 2005年
- 通过LP-MOVPE研制了实用化的AlGaAs/GaAsHBT材料。采用CCl4作为P型掺杂剂进行基区重掺杂。所作HBT增益为20～35,截止频率fT>50GHz,最大振荡频率fmax>60GHz,X波段功率HBT输出功率大于5W。
- 王向武黄子乾潘彬李肖张岚
- 关键词：异质结双极晶体管金属有机化合物气相淀积
- 碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器
- 2004年
- 用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W/ A。
- 王向武张岚黄子乾潘彬李肖李忠辉
- 关键词：铝镓砷碳掺杂激光器
