朱贺
- 作品数：9 被引量：4H指数：1
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学金属学及工艺更多>>
- CdTe/PbTe(111)极性异质界面处二维电子气的证实
- 实验上发现,半绝缘的CdTe外延生长在PbTe(111)上时,CdTe薄膜表现出很好的导电性质,霍尔效应测量出的载流子面密度可达1 013 cm-2量级.利用该特殊性质,在实验上已经实现了中红外发光的表面等离子体共振荧光...
- 张兵坡朱贺吴惠桢
- 一种双色探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种新型的锗基光电导中红外阻挡杂质带双色探测器及其制备方法。探测器由N个以下单元组成，其中一个单元是：在高纯锗基底上，从一端至另一端依次分布着掺杂至简并的电极层、杂质带阻挡层、高掺杂吸收层、掺杂至简并的电极层...
- 吴惠桢朱家旗朱贺徐翰纶
- 文献传递
- 基于表面等离激元的波长选择Si基光电导中远红外阻挡杂质带探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种基于表面等离激元的波长选择Si基光电导中远红外阻挡杂质带探测器及其制备方法，从下至上依次为高纯硅基底、高纯硅基底上低电阻率的掩埋底电极、高掺杂吸收层、杂质带阻挡层，在阻挡层上方沉积的钝化层，阻挡层上设有上...
- 吴惠桢朱贺许金涛
- BIB探测器的制备及等离子体效应的应用研究
- 红外探测和太赫兹波探测技术，在军事、天文及成像领域发挥着越来越重要的作用。阻挡杂质带（Blocked impurity band，BIB）探测器，因为具有响应波段宽、响应率高、响应速度快、易于大规模制备及方便读出等优点，...
- 朱贺
- 关键词：离子注入结构优化近场耦合
- 一种新型的锗基光电导中红外阻挡杂质带双色探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种新型的锗基光电导中红外阻挡杂质带双色探测器及其制备方法。探测器由N个以下单元组成，其中一个单元是：在高纯锗基底上，从一端至另一端依次分布着掺杂至简并的电极层、杂质带阻挡层、高掺杂吸收层、掺杂至简并的电极层...
- 吴惠桢朱家旗朱贺徐翰纶
- Plasmonic effect on the performance of BIB infrared detectors
- 朱贺吴惠桢
- 基于表面等离激元的波长选择Si基光电导中远红外阻挡杂质带探测器及其制备方法
- 本发明专利公开了一种基于表面等离激元的波长选择Si基光电导中远红外阻挡杂质带探测器及其制备方法，从下至上依次为高纯硅基底、高纯硅基底上低电阻率的掩埋底电极、高掺杂吸收层、杂质带阻挡层，在阻挡层上方沉积的钝化层，阻挡层上设...
- 吴惠桢朱贺许金涛
- 文献传递
- 退火对于离子注入硅的微观结构的影响
- 朱贺张兵坡吴惠桢
- 高剂量As离子注入对高阻Si电学特性的影响被引量：4
- 2014年
- 为了实现低电阻率厚度为纳米级的红外探测器电极材料,通过离子注入的方法将高浓度的As掺入高阻单晶硅,并经过快速退火处理,获得了厚度～200 nm、电阻率为10-4?·cm的Si:As电极层.原子力显微镜测试结果表明,离子注入的样品表面依然较平整,表面均方根粗糙度仅为0.5 nm.使用聚焦离子束设备(FIB)制备高分辨透射电镜(HRTEM)样品,高浓度的As掺入虽然会损伤Si晶格、引入大量的缺陷,但是HRTEM观察表明合适的退火工艺能够使得完整晶格得到恢复,而且霍尔效应和扩展电阻的测量分析表明,用离子注入方法制备的Si:As层载流子浓度达到2.5×1020cm-3、电子迁移率高于40 cm2/V·s,具有优异的电学性能,适合用作各种Si基光电器件的背电极.
- 朱贺张兵坡王淼胡古今戴宁吴惠桢
- 关键词：离子注入低电阻率
