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文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 2篇耦合器
  • 2篇光栅
  • 2篇硅衬底
  • 2篇波导
  • 2篇衬底
  • 1篇导光
  • 1篇电子束曝光
  • 1篇电子束曝光技...
  • 1篇衍射
  • 1篇衍射光栅
  • 1篇氧化硅
  • 1篇上光
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘体
  • 1篇刻蚀
  • 1篇互连
  • 1篇光栅耦合
  • 1篇光栅耦合器
  • 1篇二氧化硅
  • 1篇反射光

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇余金中
  • 3篇俞育德
  • 3篇朱宇
  • 2篇李智勇
  • 1篇徐海华
  • 1篇李运涛
  • 1篇肖希

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
带有分布布拉格反射镜的波导光栅耦合器及其制作方法
一种带有分布布拉格反射镜的波导光栅耦合器,所述耦合器采用绝缘体上的硅材料,包括:一硅衬底;一限制层,该限制层制作在硅衬底上;一顶硅层,该顶硅层制作在限制层上,在该顶硅层的表面制作有衍射光栅,在衍射光栅的一侧制作有反射光栅...
朱宇李智勇俞育德余金中
文献传递
用于片上光互连的接收模块封装方法
一种用于片上光互连的接收模块封装方法,包括:采用电子束曝光技术将版图上的脊形波导及光栅结构转移至事先清洗过的SOI基片的顶硅层上;采用电子束光刻胶作为掩模,利用硅等离子干法刻蚀工艺刻蚀出亚微米脊形波导及光栅结构;采用沉淀...
徐海华肖希朱宇李运涛俞育德余金中
文献传递
一种绝缘体上的硅基光栅耦合器及其制作方法
一种绝缘体上的硅基光栅耦合器,所述耦合器采用绝缘体上的硅材料,包括:一硅衬底;一限制层,该限制层制作在硅衬底上;一顶硅层,该顶硅层制作在限制层上,在该顶硅层的表面制作有光栅,在该顶硅层一侧靠近光栅处为锥形波导,该锥形波导...
朱宇李智勇俞育德余金中
文献传递
共1页<1>
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