曹寒梅
- 作品数：8 被引量：20H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源被引量：6
- 2008年
- 提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源.电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比.整个电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-45℃-125℃范围内的温度系数为12.9×10^-6/℃,频率为10 Hz时的电源抑制比为67.2 dB.该结构可应用于高速模数转换器的设计中.
- 曹寒梅杨银堂蔡伟陆铁军王宗民
- 关键词：带隙电压基准源
- 适用于高速信号传输的低失真及宽带模拟开关被引量：1
- 2008年
- 提出了一种应用于高速信号传输系统的低失真、宽带自举模拟开关电路．所提出开关的栅源过驱动电压由NMOS和PMOS开启电压之和决定，并能够实现轨到轨（rai-to-rail）输入范围内开关的栅源电压与阈值电压之差（KGST）保持恒定，而且基本消除了体效应的影响．采用TSMC0．18μmCMOS工艺，HSPICE仿真结果表明，输入信号在0～1．8V之间变化时，开关的KGST基本保持恒定，其-3dB带宽大于10GHz；当输入信号的频率为1．5GHz，满摆幅电压为0．8V时，输出信号几乎能够无衰减的跟随输入信号，其无杂散动态范围为65．4dB．
- 曹寒梅蔡伟杨银堂陆铁军王宗民
- 关键词：低失真轨到轨自举
- 快速稳定的CMOS电荷泵电路的设计(英文)被引量：3
- 2008年
- 基于交叉耦合NMOS单元,提出了一种低压、快速稳定的CMOS电荷泵电路。一个二极管连接的NMOS管与自举电容相并联,对电路进行预充电,从而改善了电荷泵电路的稳定建立特性。PMOS串联开关用于将信号传输到下一级。仿真结果表明,4级电荷泵的最大输出电压为7.41V,建立时间为0.85μs。
- 曹寒梅杨银堂陆铁军王宗民蔡伟
- 关键词：电荷泵CMOS
- 亚100nm SOIMOSFET器件新结构及其性能研究
- 绝缘体上硅器件(SOI)具有结电容小、抗辐射性能好、优良的亚阈区特性、消除了闩锁效应、适于低压低功耗工作等优点,而被称为'二十一世纪的硅集成电路技术'.本文在简要介绍SOI技术及其制造方法的基础上,讨论了缩小到亚100n...
- 曹寒梅
- 关键词：绝缘体上硅全耗尽新结构
- 文献传递
- 8位、500MS/s高速折叠内插模数转换器设计
- 随着无线网络技术、计算机技术和高速数据处理技术的迅速发展，高速模数转换器(ADC)被广泛应用于测量仪器、液晶显示驱动、数字示波器、高速数字通讯和雷达等领域中。作为混合信号系统芯片设计中的一个瓶颈，高速模数转换器消耗大量的...
- 曹寒梅
- 关键词：高速模数转换器高速比较器
- 文献传递
- 应用于高速信号传输系统的多路选择器(英文)被引量：3
- 2008年
- 提出了一种能够传输高速信号的多路选择器,并为其设计了一种低失真、宽带模拟开关.所提出开关的栅源过驱动电压由nMOS和pMOS的开启电压之和决定,并能够确保输入变化时,开关的栅源电压与阈值电压之差（VGST）保持恒定,从而基本消除了体效应的影响.采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,HSPICE仿真结果表明,输入信号在0.3～1.7V之间变化时,开关的VGST基本保持恒定,其-3dB带宽大于10GHz,当输入频率为1GHz时,其无杂散动态范围为67.11dB;开关的开启时间为2.98ns ,关断时间为1.35ns,确保了多路选择器的break-before-make特性.该结构可应用于高速信号传输系统中.
- 曹寒梅杨银堂蔡伟陆铁军王宗民
- 关键词：低失真多路选择器模拟开关
- 基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源被引量：6
- 2008年
- 该文提出了一种结构简单的高性能带隙电压基准源。电路设计中采用负反馈箝位技术实现电压箝位,消除了运放自身失调效应的影响,简化了电路设计;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比(PSRR)。整个电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-15～70℃范围内的温度系数为10.8ppm/℃,直流PSRR为74.7dB,在10Hz^1MHz频带内的总的输出噪声电压为148.7μV/sqrt(Hz)。
- 曹寒梅杨银堂蔡伟陆铁军王宗民
- 关键词：带隙电压基准源温度稳定性
- 短沟道SOI MOSFET栅结构研究与进展被引量：1
- 2005年
- 系统比较了几种不同栅结构短沟道SOIMOSFET的性能,包括短沟道效应、电流驱动能力、器件尺寸等特性,获得了栅的数目与短沟道SOI器件的性能成正比的结论。介绍了两种新的短沟道SOI器件栅结构:Π栅和Ω栅,指出了短沟道SOIMOSFET栅结构的发展方向。
- 曹寒梅杨银堂朱樟明刘莉
- 关键词：短沟道MOSFETSOI栅结构半导体器件
