曹克
- 作品数：5 被引量：19H指数：2
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一个利用线性区MOS管补偿的射频放大器
- 2006年
- 研究了一种采用线性化技术的低电压CM O S射频放大器。电路中,并联一个工作在线性区的M O S管来提高其线性。采用SM IC的0.18μm工艺,流片测试结果显示,该电路用很小的功耗代价将放大器的输入三阶交截点功率提高了大约5 dB。
- 曹克杨华中汪蕙
- 关键词：低电压射频线性度放大器
- 带横向电阻层的网格式Spindt型FEA的研究
- 场发射显示器FID(Field Emission Display)中最关键的部件是场发射阵列FEA(Field Emitter Display).为了使整个FED荧光屏的亮度均匀并且能够逼真地还原彩色,达到良好的视觉效果...
- 曹克
- 关键词：场发射显示器光刻溅射刻蚀
- 低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的研究进展被引量：11
- 2003年
- 由于无线移动终端重量、体积以及成本等各方面的限制,电路必须满足低电压、低功耗的要求。在CMOS射频低噪声放大器中,如何在满足性能指标要求的同时降低电源电压和功耗,已成为当前研究的热点。文章综述了几种降低CMOS低噪声放大器电源电压和功耗的方法,讨论了一些相关的设计问题。最后,展望了低电压、低功耗CMOS低噪声放大器的未来发展趋势。
- 曹克杨华中汪蕙
- 关键词：低电压低功耗CMOS射频电路低噪声放大器
- 高线性低电压低噪声放大器的设计(英文)被引量：2
- 2004年
- 研究了一种具有高线性的 CMOS低噪声放大器 ,其工作电压可以低于 1V.在这个电路中 ,加一个工作在线性区的辅助 MOS管以提高线性特性 .仿真表明这种方法可以提高输入三阶交截点 ,其代价远小于传统方法为获得1d B线性度改善而必须增加 1d B功耗的代价 .为了降低该电路中的共栅 PMOS管的有载输入阻抗 ,不使其源极处的电压增益过大而降低电路的线性特性 ,必须优化其尺寸 .仿真使用的模型是 TSMC0 .18μm射频 CMOS工艺库 ,仿真工具是 Cadence的 Spectre
- 曹克杨华中汪蕙
- 关键词：低电压射频COMS低噪声放大器
- 低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器设计
- 随着无线通信和CMOS工艺的发展,采用CMOS工艺实现射频通信电路和系统成为合理的选择。这样的混合信号系统要求前端电路能够在低电压下工作。同时,现代射频通信前端尤其是LNA必须具有低噪声、高线性,在低功耗的条件下实现这些...
- 曹克
- 关键词：低噪声放大器噪声封装
- 文献传递
