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张飞

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇自旋
  • 3篇半导体
  • 2篇电池
  • 2篇电导
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇动态电阻
  • 2篇圆偏振
  • 2篇圆偏振光
  • 2篇扫描测量
  • 2篇扫描测量系统
  • 2篇隧穿
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁金属
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇偏振
  • 2篇偏振光
  • 2篇起偏器
  • 2篇自旋注入
  • 2篇阻挡层
  • 2篇微分电导

机构

  • 10篇中国科学院

作者

  • 10篇张飞
  • 9篇郑厚植
  • 7篇李桂荣
  • 6篇谈笑天
  • 6篇肖文波
  • 6篇孙晓明
  • 5篇刘剑
  • 4篇扬威
  • 4篇朱汇
  • 4篇谭平恒
  • 3篇姬扬
  • 2篇朱科
  • 2篇罗晶
  • 2篇牛智川
  • 2篇吴昊
  • 2篇曾一平
  • 2篇孙宝权

传媒

  • 2篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
光学自旋注入方法
一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿...
张飞郑厚植肖文波谈笑天孙晓明吴昊朱科罗晶
文献传递
一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统
本发明是一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统：利用电池对放大器上跨导电容的充电原理，对样品施加直流偏压，使样品处于不同的直流偏置下，同时利用锁相内部交流输出信号加于样品上；测量样品在不同直流偏压下，对于输入的交流...
肖文波郑厚植刘剑姬扬孙宝权李桂荣谭平恒朱汇扬威张飞谈笑天孙晓明
文献传递
三势垒隧穿结构中的高峰谷比光生空穴共振隧穿
＜正＞峰谷电流比值（PVCR）是衡量一个共振隧穿二极管的特性好坏的一个最基本的参数。而由于轻重空穴态混合问题,p 型 GaAs/AlAs 结构的 RTD 在15K 的温度下的 PVCR 仅仅接近于4。另一方面,尽
朱汇郑厚植李桂荣牛智川曾一平张飞孙晓明谈笑天
关键词：光激发空穴共振隧穿
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一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统
本发明是一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统。所述显微测量系统用渥拉斯顿棱镜作为光起偏器，把一束HeNe激光变成线偏振光，然后使线偏振光通过与其成45度夹角的光弹调制器，根据光学原理，偏振光变成50kHz调制的左右旋...
肖文波郑厚植李桂荣刘剑谭平恒扬威张飞
文献传递
一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统
本发明是一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统：利用电池对放大器上跨导电容的充电原理，对样品施加直流偏压，使样品处于不同的直流偏置下，同时利用锁相内部交流输出信号加于样品上；测量样品在不同直流偏压下，对于输入的交流...
肖文波郑厚植刘剑姬扬孙宝权李桂荣谭平恒朱汇扬威张飞谈笑天孙晓明
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高密度自旋极化电子气的物理性质
＜正＞在扼要介绍超晶格国家重点实验室近年来在（GaMn）As 和（Gacr）As 稀磁半导体物理性质和器件探索方面的研究工作后,将着重介绍有关高密度自旋极化电子气的物理性质方面的工作。
张飞郑厚植刘剑姬扬赵剑华李桂荣
关键词：磁性半导体
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GaAs/AlAs量子结构中交换作用诱导的自旋劈裂和自旋退相干过程
半导体自旋电子学是国际发展的重要前沿课题，其研究内容涵盖自旋的产生、输运、操纵、探测等许多基本的物理过程，是一个涉及磁学、电子学、光学和微/纳加工技术的交叉学科.目前，这一学科的最新进展主要表现在两个方面：一个是以铁磁性...
张飞
光学自旋注入方法
一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿...
张飞郑厚植肖文波谈笑天孙晓明吴昊朱科罗晶
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一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统
本发明是一套测量电子自旋注入和滤波的显微测量系统。所述显微测量系统用渥拉斯顿棱镜作为光起偏器，把一束HeNe激光变成线偏振光，然后使线偏振光通过与其成45度夹角的光弹调制器，根据光学原理，偏振光变成50kHz调制的左右旋...
肖文波郑厚植李桂荣刘剑谭平恒扬威张飞
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三势垒双阱隧穿结构中调控发射阱中的电子积累对电子共振隧穿特性的影响
我们在双势垒 GaAs/AlAs 共振隧穿二极管 RTD 的发射极侧引入一个渐变三角型 AlGaAs 势垒, 和一个 GaAs 宽量子阱,构成一个特殊的三势垒双量子阱共振隧穿结构。通过改变渐变三角型 AlGaAs 势垒的...
朱汇郑厚植李桂荣牛智川曾一平张飞孙晓明谈笑天
关键词：共振隧穿峰谷电流比
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