张甫权
- 作品数：17 被引量：37H指数：4
- 供职机构：北京真空电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 场发射阵列阴极在行波管中的应用被引量：4
- 2003年
- 给出了场发射阵列阴极的发展概况和制造方法 ,讨论了采用场发射阵列阴极作为行波管电子源的可能性和电子枪设计的有关问题 。
- 杜英华杨崇峰廖复疆李炳炎李兴辉白国栋张甫权丁明清
- 关键词：行波管电子源电子枪
- 提高钼尖锥场致发射阵列阴极发射性能的研究被引量：6
- 2004年
- 在利用微细加工技术和双向薄膜沉积工艺制得的钼尖锥场致发射阵列阴极进行实用化的过程中,目前存在的两个主要障碍是,阴极发射电流密度低和工作不稳定。通过对阴极发射失效机理和失效阴极的SEM照片进行研究认为,导致电流密度较低的原因是由于尖锥阵列的不均匀性造成只有部分尖锥发射电子;引起发射不稳定的主要因素是由于尖锥表面的微凸起和毛刺以及它吸附的各种影响有效功函数的污染物。采用电阻限流技术提高了阵列发射的均匀性,同时通过阴极老炼技术增强了场发射的稳定性,使其电流发射密度有很大程度的提高,而且电流波动也大为减小。研究结果对于该阴极在射频功率和平板显示等器件上的应用有着重要的意义。
- 李兴辉冯进军白国栋丁明清张甫权廖复疆
- 关键词：限流电阻
- Y-Ba-Cu-O超导薄膜的烧成初探
- 李庠刘联宝张甫权
- 关键词：超导膜钇晶体生长烧成
- 集成栅极控制的碳纳米管场发射阵列阴极的制造技术
- 本文重点介绍一种带集成栅极的碳纳米管场发射阴极(CNT FEA)的制造工艺.研制了两种类型的栅控CNT FEA.一种是在微孔的底部生长CNT,另一种则是在孔底部预先沉积的M尖上制备CNT发射体.前者的CNT发射体由多根C...
- 丁明清李兴辉白国栋张甫权李含雁冯进军
- 关键词：碳纳米管
- 文献传递
- 利用UV曝光技术研制单根定向碳纳米管阵列冷阴极被引量：3
- 2010年
- 通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发射单元内CNTs的根数也不断减少。当孔径缩至0．2μm时，发射单元仅由1根～3根CNTs组成，并且大部分单元顶端均有单根CNT伸出，使得整个发射体近似于单根CNT。场发射特性测试结果表明，0．2μm发射单元尺寸的阵列阴极，开启电场约2V·μm-1；当场强为20V·μm-1时，该阵列的电流密度达到0．35A·cm-2，比1μm尺寸的阵列阴极提高了近4倍，比连续生长的薄膜CNTs阴极则高1～2个数量级。
- 陈长青丁明清李兴辉白国栋张甫权冯进军
- 单根定向碳纳米管阵列的结构设计与屏蔽效应的研究
- 本文介绍了单根定向碳纳米管阵列阴极的结构设计与屏蔽效应的模拟。模拟结果表明，对于固定高度h和直径的单根碳纳米管阵列阴极，当碳纳米管之间的间距d满足d≥2h时，电场屏蔽效应趋于最小。考虑到阵列阴极对封装密度的要求，设计CN...
- 陈长青丁明清冯进军白国栋张甫权李兴辉
- 关键词：电真空器件纳米材料碳纳米管
- 文献传递
- 单根碳纳米管栅控场发射阵列阴极的研制
- 利用集成栅控CNT场发射阵列阴极的制造技术,研制了一种生长在Mo尖上的单根 CNT场发射阵列阴极。高分辨率扫描电子显微镜照片表明,在一个11000发射单元的阵列中, 大约50-70％的发射体是单根CNT。5×5 CNT ...
- 丁明清邵文生陈长青李兴辉白国栋张甫权李含雁冯进军
- 关键词：碳纳米管
- 文献传递
- 一种栅控碳纳米管/碳纤维场发射阵列阴极及其制作方法
- 一种栅控碳纳米管/碳纤微场发射阵列阴极及其制作方法属于真空微电子领域，包括一块导电基板，基板上沉积有绝缘层，绝缘层上具有一层金属导电层，层面上，穿过绝缘层形成阵列圆孔型控制栅，在圆孔中心基板面上催化剂所处的位置点上生长出...
- 丁明清李兴辉白国栋张甫权廖复疆陈银杏杨金生
- 文献传递
- 脉冲激光沉积制备场发射碳膜
- 冲激光沉积法已在单个钼尖锥发射体和蓝宝石衬度上生成场发射体碳膜。对沉积在单个钼尖锥上的碳膜进行了电流-电压特性测量，并与未涂碳膜的单个钼尖锥发射体的场发射进行了比较。对沉积在蓝宝石衬底上的场发射体碳膜进行了其他性能测量。...
- 张甫权彭自安朱宝华王亦曼冯进军丁素广李兴辉
- 关键词：场发射碳膜
- 长脉冲激光沉积原位生成YBaCuO超导膜
- 1992年
- 用长脉冲激光(脉冲宽度150μs,波长1.06μm)辐照高温烧结的YBa_2Cu_3O_(7-x)靶,在6Pa的氧气压强下,巳在(100)YSZ单晶衬底上原位生成YBa_2Cu_(?)O_(7-x)超导膜。衬底置于750℃的加热器上,衬底与靶之间的距离5cm,用该法制得的薄膜光亮坚实,正常态呈金属性,零电阻温度为84.7K。用XRD和SEM对薄膜进行了分析研究。
- 张甫权李庠潘萍薛瑞君
- 关键词：超导薄膜原位生成
