张松青
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：河南机电高等专科学校更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程更多>>
- 脉冲退火法制备多晶硅薄膜的研究被引量：2
- 2008年
- 用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)法在普通玻璃衬底上低温制备了μc-Si:H薄膜。采用快速光热退火炉(RTP),分别用低温(<650℃)和中温(<750℃)脉冲法(PRTP)对薄膜进行了退火处理。用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同条件下退火薄膜散射谱的特征和表面形貌。结果显示,脉冲退火法晶化的薄膜,晶化率达到了53%,部分颗粒团簇的尺寸已达到200nm左右。用声子限域理论和表面尺寸效应对薄膜频谱的"红移"和"蓝移"现象进行了分析。
- 张松青张丽伟赵新蕖卢景霄
- 关键词：SI薄膜拉曼光谱扫描电子显微镜
- 脉冲式退火法对AZO薄膜性能的研究(英文)被引量：1
- 2007年
- 用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜,然后用脉冲式快速光热处火(PRTP)法对样品进行了600 ～800℃的退火处理。采用X射线衍射仪(XRD)、分光光度计、四探针等测试手段对AZO薄膜的结晶性能、透光率和导电性能进行了表征。结果表明:(1)薄膜退火后透光率基本维持在退火前(82 ～92%)的水平,而电阻率则由10-4Ω.cm上升了1到6个数量级,已丧失了"导电膜"意义;(2)样品具有好的结构性能有利于提高样品的导电性能。对此现象进行了理论分析。
- 张松青吴芳张丽伟高哲王子健卢景霄
- 关键词：AZO薄膜退火透过率电阻率
- 低温制备硅薄膜的晶粒尺寸研究
- 2006年
- 利用等离子体增强(PECVD)法和快速热处理(RTP)法分别在玻璃衬底上制备了硅薄膜。用光谱测试仪器,对2种方法制备的硅薄膜进行了研究。结果显示,各种制备参数对增大薄膜晶粒尺寸存在一个最佳点;总的来说,RTP法制备的晶粒尺寸大于PECVD中制备的晶粒尺寸。
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- 关键词：硅薄膜晶粒尺寸再结晶
