张明辉
- 作品数：49 被引量：132H指数：6
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：动力工程及工程热物理机械工程电子电信理学更多>>
- 一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法
- 本发明公开一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：包含金刚石衬底；金刚石衬底的一面设有金刚石外延层，另一面设有欧姆接触电极；金刚石外延层的表面形成有凸梁与沟道相间的微观结构；凸梁的表面形成有氧终端表面；氧终...
- 王宏兴赵丹邵国庆刘璋成朱天飞张明辉王艳丰王玮问峰卜忍安侯洵
- 一种准垂直结构p-金刚石/i-SiC/n-金刚石LED及其制作方法
- 本发明公开了一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED及其制作方法，其中，一种准垂直结构p‑金刚石/i‑SiC/n‑金刚石LED，包括依次层叠设置的单晶金刚石衬底和p型硼高掺杂金刚石层，p型硼高掺杂金刚石层上...
- 王宏兴刘璋成赵丹张明辉王玮问峰卜忍安侯洵
- 文献传递
- 载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜设置有第一重掺杂金刚石薄膜区域和第二重掺杂金刚石薄膜区域；在第一重掺杂...
- 王玮牛田林梁月松陈根强方培杨冯永昌熊义承王艳丰林芳张明辉问峰卜忍安王宏兴侯洵
- 一种透平机械叶片松拉筋结构
- 本发明公开一种透平机械叶片松拉筋结构，其与叶片的拉筋孔相配合部分的横截面形状为：两个等大小的圆形部分重合所形成的形状，重合部分的高度为R-a；所述R为圆的半径，a=0.1R-0.3R。该拉筋结构保留了拉筋截面的最大部分，...
- 谢永慧申仲旸张荻张明辉
- 利用三维接触有限元法的透平叶片枞树型叶根轮缘优化被引量：3
- 2012年
- 采用三维接触有限元方法对透平叶片枞树型叶根轮缘结构进行了优化研究.以单个叶片为研究对象,采用零阶一阶算法、智能优化算法及模式搜索算法对叶根轮缘的7个特征尺寸进行了优化分析;结合实际工作状态,建立了3个叶片及轮缘的多变量优化模型,采用模式搜索算法对叶根轮缘结构进行了优化.结果表明:以单个叶片为例,在综合考虑优化精度和优化时间的情况下,模式搜索算法是解决叶根轮缘优化问题的最优方法;利用符合实际的模型可以得到能使叶根轮缘最大等效应力大幅度减小的优化结构,优化前后叶根和轮缘的最大等效应力位置基本不变,最大等效应力分别减小11.96%和21.63%.
- 吴君张荻马丹丹张明辉谢永慧
- 关键词：结构优化有限元法
- 改进的遗传算法用于离心叶轮优化设计被引量：5
- 2001年
- 为了防止遗传算法中过早收敛引起的算法失效 ,提出了一种改进的遗传算法 ,来研究离心叶轮的形状优化问题 .在计算过程中 ,增加了一个自适应算子 ,来不断调节个体变异概率 ,以保证搜索的全局性和种群的多样性 ,同时为了不引入过多的边界参数 ,采用B样条曲线对边界进行描述 .最后 ,对一个数学算例和某离心叶轮进行了计算 ,给出了最终的优化结果和收敛情况 .计算结果表明 ,改进的遗传算法能够很好地适用于各种应力约束和几何约束 ,并可得到形状优化的最优解 ,验证了该方法的合理性和正确性 .
- 张明辉王尚锦
- 关键词：离心叶轮改进遗传算法B样条离心压缩机优化设计
- 一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法
- 本发明公开一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：包含金刚石衬底；金刚石衬底的一面设有金刚石外延层，另一面设有欧姆接触电极；金刚石外延层的表面形成有凸梁与沟道相间的微观结构；凸梁的表面形成有氧终端表面；氧终...
- 王宏兴赵丹邵国庆刘璋成朱天飞张明辉王艳丰王玮问峰卜忍安侯洵
- 文献传递
- 改进的生物生长法及其在离心叶轮三维形状优化设计中的应用
- 2004年
- 考虑到传统生物生长法只能对简单形状进行优化的局限性,结合复杂结构的三维形状优化设计,对生物生长法提出三点改进:①不直接采用修正后节点坐标来调整网格,利用B样条函数描述修改后结构的外边界。②构造出在满足应力和几何条件下可使结构重量最轻的目标函数,进而大大增强了生物生长法在处理复杂结构形状优化设计方面的能力。③在生物生长法形状优化过程中,采用罚方法对违反约束条件的个体给予惩罚。作为工程实例,该方法被用于某三维离心叶轮的结构形状优化设计。计算结果表明,该方法可在较短时间内得到满足各种应力和几何约束的重量最轻解。
- 张明辉黄田王尚锦
- 关键词：生物生长离心叶轮
- 一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法
- 本发明公开了一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法，包括：衬底；HEMT集成结构还包括形成于衬底上的AlN成核层、形成于AlN成核层上的GaN缓冲层、形成于GaN缓冲层上的AlN插入层、形成于AlN插入层上的Al<...
- 王玮王宏兴问峰张明辉林芳陈根强
- 文献传递
- 界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、给电子材料层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极...
- 王玮王宏兴林芳张明辉问峰王艳丰陈根强卜忍安
- 文献传递
