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张亚文

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 12篇半导体
  • 9篇电子设备
  • 9篇半导体器件
  • 7篇电路
  • 6篇芯片
  • 5篇欧姆接触
  • 4篇势垒
  • 4篇势垒层
  • 3篇电阻
  • 3篇射频
  • 3篇通信
  • 3篇外延层
  • 3篇功率
  • 2篇导体
  • 2篇低功率
  • 2篇电路板
  • 2篇电路单元
  • 2篇电路组件
  • 2篇电桥
  • 2篇印刷电路

机构

  • 23篇华为技术有限...

作者

  • 23篇张亚文
  • 15篇魏巍
  • 4篇张希坤
  • 3篇吴剑锋
  • 2篇吴乔
  • 2篇李松
  • 2篇孙捷
  • 2篇石晓明
  • 2篇吴俊
  • 2篇李学坤
  • 2篇周兴学
  • 2篇杨瑞泉
  • 2篇邹红
  • 2篇殷为民
  • 1篇吴磊
  • 1篇王强
  • 1篇张彬彬
  • 1篇刘伟
  • 1篇李挺钊
  • 1篇杨非

年份

  • 7篇2024
  • 8篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件的其制备方法、半导体器件和电子设备
本申请提供了一种半导体器件的制备方法、半导体器件和电子设备，不仅实现了电极层与外延层的欧姆接触，减小了欧姆接触的接触电阻率，且简化了半导体器件的制备过程，降低了半导体器件的制备成本。半导体器件的制备方法可以包括：对外延片...
武龙魏巍苏帅张亚文
一种半导体器件及电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件及电子设备，半导体器件包括衬底、依次设置在衬底上的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层上设置有源电极、栅电极和漏电极。还包括第一连接孔，且至少有源区内设置有第一连接孔，第一连接孔的宽度小...
武龙魏巍赵志华侯明辰苏帅张亚文
半导体器件及电子设备
本申请提供了一种半导体器件及电子设备，其中，半导体器件包括衬底和多个结构单元，多个结构单元均设于衬底的一侧；每个结构单元包括源极、漏极、鳍部和栅极，每个结构单元的源极均相连，每个结构单元的漏极均相连，每个结构单元的栅极均...
侯明辰魏巍何林峰张亚文
半导体结构的制备方法
本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，用于降低欧姆接触电阻率并提升制备欧姆接触的一致性。半导体结构的制备方法包括：在衬底上形成层叠设置的沟道层和势垒膜，并在势垒膜上刻蚀出源极凹槽和漏极凹槽，然后利...
武龙何林峰苏帅魏巍张亚文
Doherty功率放大器及提高其功放效率的方法、设备
本发明实施例公开了一种Doherty功率放大器及提高其功放效率的方法、设备。本发明一方面提供了提高Doherty功率放大器的功放效率的方法，该方法应用于具有两路并联的Doherty电路单元的Doherty功率放大器，每个...
张希坤张亚文李松吴乔李学坤
文献传递
一种功率放大方法、装置和基站
本发明公开了一种功率放大方法、装置和基站，其中功率放大装置包括：第一功放模块，第二功放模块，第一电桥，第二电桥，栅压模块；所述栅压模块用于根据指令或待放大信号的类型改变提供给第一功放模块或第二功放模块的栅极偏置电压，使功...
张希坤孙捷殷为民张亚文吴剑锋吴俊
文献传递
一种半导体工艺方法和芯片
本申请实施例提供一种半导体工艺方法和芯片。该半导体工艺方法包括：在衬底上形成待刻蚀层，在待刻蚀层的背离衬底的一侧形成掩膜图案层，且掩膜图案层的材料包括第一半导体材料或者介质材料；减薄掩膜图案层的侧面和背离待刻蚀层的表面，...
何林峰苏帅武龙侯明辰郑顶恒魏巍张亚文
一种环形器、隔离器及电路组件
本发明实施例公开了环形器，隔离器和电路组件。一种环形器，该环形器包括外壳和内部构件，所述外壳含有地管脚，所述地管脚用于连接印刷电路板。采用本实施例的环形器，可以改善端口信号的质量，进而提升整个通信系统的稳定性。本发明实施...
邹红杨瑞泉张亚文周兴学石晓明
文献传递
芯片和制备方法
本申请实施例提供了一种芯片，该芯片包括衬底，衬底中开设有贯穿衬底上下表面的第一通孔，第一通孔的内壁以及底部依次贴附有至少两层掺杂材料，至少两层掺杂材料中包括P型掺杂材料和N型掺杂材料，第一通孔中还填充有第一导电材料，第一...
何林峰苏帅武龙侯明辰魏巍张亚文
半导体器件及其制备方法
本申请提供一种半导体器件及其制备方法，用于在半导体器件中形成低电阻且金属表面形貌平整的欧姆接触的同时，有效减少半导体器件的晶圆翘曲、开裂和外延材料电学性能恶化的情况。该方法中，通过在半导体基底上形成光吸收层，且光吸收层在...
侯明辰魏巍张亚文
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