周钧铭
- 作品数：19 被引量：42H指数：3
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaNMOS-HFET器件被引量：1
- 2005年
- 为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaNHEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS-HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaNMOS-HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA/mm,最大跨导为44.25ms/mm,最高栅偏压+6V。
- 陈晓娟刘新宇和致经刘键邵刚魏珂吴德馨王晓亮周钧铭陈宏
- 关键词：ALGANGANSIO2
- 光栅耦合波导模共振实现GaAs/GaAlAs多量子阱室温反射型光学双稳
- 1990年
- 一、概述 多量子阱(MQW)及超晶格(SL)等人工材料的问世使半导体非线性光学效应从低温扩展到了室温,为高速度、低阈值及室温工作的光学逻辑元件提供了可能。 对于GaAs/GaAlAs MQW及SL材料,其室温三阶非线性系数X_csu^(3)约为6×10^(-2),比CS_2大10~9倍,比Si大10~4倍,预示着它具有很低的本征光学双稳(OB)阈值.80年代初,Gibbs等人利用这种材料制成超薄的F-P光学腔,在室温首次观测到OB,其开阈～1mW/
- 谢苑林陈正豪周钧铭黄绮周岳亮杨国桢顾世杰
- 关键词：光学双稳光栅多量子阱
- 锗硅量子阱中近带边光跃迁的理论和实验研究被引量：1
- 1996年
- 本文研究了SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的近带边光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃迁偶极矩,给出了跃迁偶极矩的上限。提出了未掺杂SiGe/Si量子阱中近带边光跃迁的一种跃迁机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为。用MBE方法生长了掺杂SiGe/Si量子阱材料,在低温下观测到近带边光跃迁。
- 董文甫王启明杨沁清谢小刚周钧铭黄绮
- 关键词：SIGE/SI光跃迁
- InGaAs/InAlAs/InP异质结结构的X射线双晶衍射研究
- 1992年
- Al_xGa_(1-x)As/GaAs材料在高电子迁移率晶体管(HEMT)的应用上已经显示出很好的高频特性。然而,这一系统小导带不连续性(当x=0.3时,△E_c=0.24eV)及较低的二维载流子浓度及饱和速度等因素限制了截止频率的进一步提高和器件应用。而与InP匹配的In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结体系,消除了AlGaAs层,避免了低温持续光电导。
- 王超英吴兰生江潮麦振洪黄绮周钧铭
- 关键词：半导体异质结X射线衍射
- InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应
- 1993年
- 本文利用光电流谱方法研究了10—300K温度范围内In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应,在室温及低温下均观察到明显的吸收边场致“蓝移”现象,并对Stark-ladder激子跃迁的能量位置及振子强度随电场的变化给予详细讨论。实验结果表明,利用In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层超晶格的Wannier-Stark效应可以制作0.98μm波长范围的电光调制器和自电光双稳器件。
- 刘伟张耀辉江德生王若桢周钧铭梅笑冰
- 关键词：化合物半导体应变层超晶格
- 64×64元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面研制被引量：17
- 1999年
- 报道了64×64 元GaAs/AlGaAs 多量子阱凝视型红外焦平面的研制,器件的平均响应率为RP= 7.24×105V/W,器件的平均黑体探测率为Db = 5.40×108cm ·Hz1/2/W ,峰值波长为λP= 8.2μm ,不均匀性小于20% 。
- 李宁李娜陆卫沈学础陈伯良梁平治丁瑞军黄绮周钧铭金莉李宏伟
- 关键词：多量子阱凝视型红外焦平面长波
- 应变层In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱的光调制反射谱研究被引量：3
- 1992年
- 用光调制反射谱(PR)测量了三块应变层 In_xGa_(1-x)As/GaAs 量子阱多重结构样品,每块样品中包含宽度为140、80、50、30和20A的量子阱.在300K和77K的PR谱中观察到各个量子阱的11H和11L光跃迁.根据PR数据用包络函数法进行分析,估算了量子阱中In的成分.在解释300K和77K实验结果时考虑了流体静压形变势常数的温度依赖性.实验和理论最佳符合时求得导带边不连续性在300K为0.7,77K为0.66.
- 潘士宏刘毅张存洲张光寅冯巍周钧铭
- 关键词：应变层光调制反射谱
- InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器被引量：4
- 1998年
- 用国产ＭＢＥ设备生长出与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多量子阱材料，并对材料的量子限制Ｓｔａｒｋ效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究．用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在２．４Ｖ驱动电压下实现了２０ｄＢ以上消光比。
- 王健华金峰俞谦孙可李德杰蔡丽红黄绮周钧铭王玉田庄岩
- 关键词：多量子阱电吸收光调制器半导体材料光纤通信
- 应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究被引量：2
- 1990年
- 在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观察到束缚子带到连续带的跃迁。对样品In_(0.15)Ga_(0.85)As(8nm)-GaAs(15nm),观察到11H重空穴激子的2s及其它激发态跃迁,由此得到激子结合能的近似值,约为8meV。重空穴能带台阶Q_v=0.40±0.02。应变效应使得电子和重空穴束缚在InGaAs层,而轻空穴束缚在GaAs层。
- 方晓明沈学础侯宏启冯巍周钧铭
- 关键词：INGAAS-GAAS应变层
- InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器被引量：1
- 1997年
- 在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As／In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试。在3.0V的驱动电压下实现了20dB以上的消光比，光3dB带宽达到了3GHz。对限制光调制器带宽的主要原因进行了分析，结果表明器件电容限制了带宽的提高，这主要是由于SiO2刻蚀液的钻蚀导致SiO2绝缘层厚度减小造成的。改进制作工艺可望大大改善调制器的工作带宽。
- 金峰孙可俞谦王健华李德杰蔡丽红黄绮周钧铭
- 关键词：光调制器电吸收多量子阱INGAAS/INALAS
