吾勤之
- 作品数：38 被引量：32H指数：3
- 供职机构：上海航天技术研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学机械工程更多>>
- 新型硅吸收剂量量热计的电校准被引量：1
- 1999年
- 叙述了新型硅吸收剂量量热计的结构及电校准原理；给出了量热计在0—35℃工作温区的电加热校准因子，拟合出硅比热随温度变化关系式，并对实验误差进行了讨论。
- 安金霞巴维真吾勤之何承发陈朝阳
- 关键词：硅
- 低能X射线在材料界面附近的剂量分布
- 本工作用多层Al电离室测量了X射线发生器产生的不同能量的宽谱X射线对Al与不同材料交界时界面过渡区剂量梯度分布;研究了界面两侧材料的原子序数、射线能量和入射方向与剂量增强效应的关系．探讨了界面两侧材料中产生的不同组分次级...
- 吾勤之巴维真何承发陈朝阳
- 关键词：X射线
- 文献传递
- 衰减测量法确定X光机能谱
- 用双透射电离室法测量了X光机产生的25、30、35、50kV X射线在铝中的衰减特性,采用了一种 LAPLACE变换模型,由衰减曲线计算出了相应能量的X射线能谱。讨论了影响能谱计算结果的主要误差来源。
- 何承发巴维真吾勤之陈朝阳安金霞
- 关键词：X射线能谱LAPLACE变换
- 文献传递
- 典型石英钟振的电离辐射效应
- 2015年
- 利用60Coγ-射线源研究宇航用典型石英钟振及其内部SM5009型振荡电路的电离辐射效应,测试辐照条件下钟振输出信号幅度、电源和电流等参数变化情况,分析这些参数变化与振荡电路失效之间的关系。结果表明,辐照条件下SM5009的场氧漏电较为严重,受照剂量达1500 Gy(Si)时,其漏电流增大至10-4A量级,这是导致辐照条件下钟振功耗电流增大的主要原因。同时SM5009的输出高电平对受照剂量较为敏感,当受照剂量达1500 Gy(Si)时,输出高电平下降约0.5 V,导致钟振输出信号峰峰值随受照剂量的增加而下降。
- 刘伟鑫李珍肖寅枫吾勤之王昆黍宣明
- 关键词：电离辐射效应振荡电路
- 新型硅吸收剂量量热计的应用被引量：1
- 2000年
- :叙述了一种新型硅吸收剂量量热计的结构、电加热校准情况及其测量原理,给出了用该量热计标定中国科学院新疆物理研究所60Coγ辐照室中吸收剂量率及升降源过程吸收剂量对距离分布情况,说明升降源过程吸收剂量尤其在短时间、近距离。
- 安金霞巴维真吾勤之何承发陈朝阳
- 关键词：硅量热计Γ射线辐射剂量计
- 衰减法测量静电加速器电子束能量被引量：3
- 1999年
- 研制了薄壁平行板透射电离室，研究了透射电离室的特性。用透射电离室测量静电加速器电子束在铝中的透射分布，得到不同高压下电子束在铅中的外推射程，进而确定电子束能量。
- 王倩吾勤之何承发
- 关键词：电子束电离室射程静电加速器
- 典型DC／DC电源变换器电离辐射效应研究被引量：1
- 2011年
- 研究了典型DC/DC电源变换器辐照后不同输出负载、不同输入电压等测试条件下,DC/DC电源变换器输出电压等参数变化情况与辐照剂量之间的关系。研究结果表明,DC/DC电源变换器输出电压衰减程度随输出负载功率增大;输入电压变化对输出电压特性的影响程度较小。
- 刘伟鑫宣明王昆黍吾勤之
- 关键词：DC/DC电源变换器电离辐射效应输入电压
- 量热计数据采集和处理系统的设计被引量：1
- 1994年
- 本文建立了以ＰＣ２８６微机为核心的量热计数采集和处理系统，给出了修正量热计热损失的计算公式，改变了传统的量热计测量方法。
- 何承发巴维真吾勤之魏锡智
- 关键词：量热计数据采集数据处理
- 典型VDMOSFET单粒子效应及电离总剂量效应研究被引量：4
- 2012年
- 利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)效应测量结果以及不同偏置条件下漏源击穿电压随辐照剂量的变化情况。结果表明,VDMOSFET对SEB和SEGR效应以及VDMOSFET漏源击穿电压对电离总剂量效应比较敏感,空间应用时需重点考虑VDMOSFET的抗SEB和SEGR能力;考核VDMOSFET的抗电离总剂量效应能力时对阈值电压和击穿电压等敏感参数应重点关注。
- 楼建设蔡楠王佳刘伟鑫吾勤之
- 关键词：VDMOSFET单粒子烧毁
- 星载DC-DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究被引量：2
- 2011年
- 对低功率、双输出型DC-DC电源转换器60 Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流Iin、正路/负路输出电压Vout、正路输出电流Iout、抑制模式下的输入电流Iinhibit等参数随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明:虽然同为小功率器件(DVHF2812DF与DVTR2815DF),但抗总剂量辐射能力有所差异,这与以往结果不同;由于氧化物正电荷的累积,在追加辐照时器件参数发生很大变化;满功率负载条件下器件的电参数随总剂量变化明显;抑制模式下输入电流可作为一评估器件抗辐射能力的敏感参数。
- 高博余学峰任迪远李豫东李茂顺崔江维王义元吾勤之刘伟鑫
- 关键词：退火效应
