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吴兆丰: 作品数：34 被引量：16H指数：2; 供职机构：盐城工学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>; 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术电子电信更多>>

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一种氮硼共掺杂多孔碳材料的制备方法: 本发明涉及一种氮硼共掺杂多孔碳材料的制备方法，属于电极材料制备技术领域。该氮硼共掺杂多孔碳材料的制备方法为：往壳聚糖的水溶液中加入硼酸盐和含氮化合物，搅拌至完全溶解，再加入戊二醛，得到混合溶液，将混合溶液在室温下静置，得...; 任骏腾蔡天翔吴兆丰张峰崔恩田侯贵华

铝共掺杂调制ZnO∶Mn纳米棒阵列的磁学和电学特性被引量：1: 2017年; 采用磁控溅射方法制备了锰掺杂氧化锌和铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒阵列并详细研究了它们的电学和磁学特性。微结构测试的结果表明,掺杂后的氧化锌纳米棒阵列保持了纤锌矿晶体结构,掺杂锰离子和铝离子占据了晶体中锌离子的位置实现了替位式掺杂。磁学性质测试结果表明铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒在室温下具有明显的铁磁性,饱和磁矩为0.33μB/Mn atom,是居里温度高于室温的一维稀磁半导体材料。电学性质测试结果表明铝的共掺杂可以使得锰掺杂氧化锌纳米棒的电阻率降低4个数量级,使得铝、锰共掺杂氧化锌纳米棒有可能在未来自旋电子器件中作为高效自旋注入元器件得到广泛应用。; 吴兆丰金成刚吴雪梅诸葛兰剑; 关键词：氧化锌纳米棒磁学性质

一种钴/聚吡咯纳米复合吸波材料及其制备方法: 本发明公开了一种钴/聚吡咯纳米复合吸波材料及其制备方法。该方法以CoCl2·6H2O为原料，NaBH4为还原剂，先合成出纳米钴粉。将纳米钴粉与吡咯单体置于...; 罗驹华吴兆丰毛洪凯王旭李涛; 文献传递

沉积气压对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构与光学性能影响被引量：9: 2009年; 采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si（111）和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜，分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质。实验表明，采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的（002）峰和（101）峰的两种取向。在沉积气压〉1．0Pa时所制备的ZnO薄膜具有（002）择优取向，并且十分稳定。SEM图表明，ZnO薄膜颗粒大小较为均匀，晶粒尺寸随着气压升高而变小，沉积气压不同时，薄膜样品的生长方式有所差异。在400～1000nm范围内，可以看出除0．5Pa下制备的ZnO薄膜外，其余ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过80％，吸收边在380nm附近，所对应的光学带隙约为3．23～3．27eV，并随着沉积气压上升而变大。ZnO薄膜的PL谱上观察到了392nm的近紫外峰和419nm的蓝峰；沉积气压对ZnO薄膜的发光峰位和峰强有影响。; 蒋平吴雪梅诸葛兰剑吴兆丰; 关键词：射频磁控溅射 ZNO薄膜透射率光学带隙 PL谱

一种纳米过渡金属氧化物-多孔碳复合电极材料的制备方法: 本发明涉及一种纳米过渡金属氧化物‑多孔碳复合电极材料的制备方法，属于电极材料制备技术领域。具体方法为：往有机高分子水凝胶前驱物的水溶液中加入过渡金属氧化物纳米粒子，混合均匀后，制备得到纳米过渡金属氧化物‑有机高分子复合水...; 张峰任骏腾吴兆丰蔡天翔崔恩田侯贵华

一种杂原子掺杂多孔碳电极材料的制备方法: 本发明涉及一种杂原子掺杂多孔碳电极材料的制备方法，制备方法为：将丙烯酰胺、N,N’‑亚甲基双丙烯酰胺、海藻酸钠、含杂原子的共聚单体和水以质量比0.02～0.1:0.002～0.015:0～0.02:0～0.1:1混匀，得...; 张峰吴兆丰崔恩田岳鹿侯贵华

一种大数据云存服务器用防潮装置: 本发明公开了一种大数据云存服务器用防潮装置，包括数据服务器，数据服务器包括服务器机体和安装于服务器机体内部的除湿系统，除湿系统由旋转导气盘、干燥器、旋转气流柱和气体外导柱组成，旋转导气盘安装于服务器机体的顶部且包括旋转主...; 张成彬吴兆丰徐燕萍刘其明; 文献传递

一种基于图像识别的作业错题收集系统: 本发明公开了一种基于图像识别的作业错题收集系统，包括传输结构、设置于传输结构顶部的调向结构、设置于调向结构顶部的纸张梳理结构、设置于传输结构两侧的升降结构及设置于升降结构内侧的图像识别结构，所述传输结构包括有长条状的底座...; 张成彬吴兆丰程鲲徐燕萍赵雪梅石智轩陈雨桐王腾冯杰

一种自支撑多孔碳电极材料的制备方法: 本发明涉及一种自支撑多孔碳电极材料制备方法，属于电极材料制备技术领域。具体方法为：将丙烯酰胺、N,N’‑亚甲基双丙烯酰胺、羧甲基纤维素钠、四硼酸钾、化学活化剂溶于水中得到混合溶液，再加入引发剂，然后在65～75℃下自由基...; 张峰吴兆丰崔恩田岳鹿侯贵华; 文献传递

生长温度对热蒸发法制备ZnO纳米线的结构与发光性能影响: 2013年; 采用无金属催化剂的简单热蒸发法,在Si(100)衬底上不同生长温度下成功地制备了高密度和大长径比的单晶ZnO纳米线。分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM-EDS)、透射电子显微镜(TEM)及荧光光谱仪表征样品的结构和发光性质。XRD和TEM研究表明,所制备的样品为沿c轴择优取向生长的单晶ZnO纳米线,具有六方纤锌矿结构。SEM和TEM研究表明,生长温度对ZnO纳米线的形貌及长径比的影响较大。当生长温度为700℃时,制备得到长径比为300(长度约为15μm,直径约为50nm)的ZnO纳米线;低于600℃时,形成花状ZnO纳米锥或纳米棒;高于700℃时,形成小长径比的ZnO纳米棒。此外,室温光致发光(PL)谱上出现一个强而尖锐的紫外发射峰以及一个弱而宽泛的蓝光发射峰。采用的热蒸发法制备ZnO纳米线基于气-固(VS)生长机理且该生长方法可用于大规模、低成本制备高纯度的单晶ZnO纳米材料。; 杨燕余涛金成刚韩琴吴兆丰诸葛兰剑吴雪梅; 关键词：ZNO纳米线热蒸发光致发光