吴东岩
- 作品数：6 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国人民解放军军械工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 静电放电作用下双极型硅半导体晶体管仿真分析被引量：3
- 2013年
- 为了研究静电放电对双极型硅晶体管的损伤机理,针对典型的NPN结构的双极型晶体管,运用Medici仿真软件建立了器件的仿真模型。从分析器件内部电流、电势、电场强度和电流密度分布变化出发,研究了在静电放电电磁脉冲作用下其内在损伤过程与机理。通过仿真分析,一方面验证了该类器件对ESD最敏感的端对为CB结,而不是EB结;另一方面发现ESD对该类器件的损伤主要是过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。但两者机理有所不同。对于高掺杂的发射结反偏时先是发生了齐纳击穿,而后发生雪崩击穿,属于软击穿;而低掺杂的集电结反偏时只是发生了雪崩击穿,属于硬击穿。
- 吴东岩谭志良谢鹏浩马立云
- 关键词：晶体管静电放电MEDICI
- ESD对微波半导体器件损伤的物理机理分析
- 2013年
- 为了得到电磁脉冲对微波半导体器件的损伤规律,进而研究器件的静电放电损伤机理,首先对半导体器件静电放电的失效模式即明显失效和潜在性失效进行了介绍;其次分析了器件ESD损伤模型;最后通过对器件烧毁的物理机理进行分析,得到器件在静电放电应力下内在损伤原因。在ESD电磁脉冲作用下,器件会产生击穿效应,使内部电流密度、电场强度增大,导致温度升高,最终造成微波半导体器件的烧毁。
- 吴东岩谭志良
- 关键词：静电放电半导体器件
- 一种电火工品真实射频发火能量测量方法
- 本发明属于武器装备技术领域，涉及一种包括下列步骤：接好电火工品真实射频发火能量测量系统；调节同轴阻抗调配器；测量并获得同轴阻抗调配器的射频阻抗值；在输入恒定射频功率的情况和输入变化射频功率的两种情况下，分别采集信号；根据...
- 谭志良谢鹏浩毕军建马立云王平平吴东岩王玉明
- 文献传递
- 一种电火工品真实射频发火能量测量方法
- 本发明属于武器装备技术领域，涉及一种包括下列步骤：接好电火工品真实射频发火能量测量系统；调节同轴阻抗调配器；测量并获得同轴阻抗调配器的射频阻抗值；在输入恒定射频功率的情况和输入变化射频功率的两种情况下，分别采集信号；根据...
- 谭志良谢鹏浩毕军建马立云王平平吴东岩王玉明
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- 一种用于电火工品真实射频发火能量测量的装置
- 本实用新型属于武器装备技术领域，涉及一种用于电火工品真实射频发火能量测量的装置，包括射频信号发生器、功率放大器和隔离器，射频信号发生器通过功率放大器和隔离器连接到双定向耦合器；双定向耦合器的入射功率监测端口与第一功率测试...
- 谭志良谢鹏浩毕军建马立云王平平吴东岩王玉明
- 文献传递
- 微波半导体晶体管静电放电损伤机理被引量：3
- 2014年
- 为研究静电放电(ESD)电磁脉冲作用下微波半导体晶体管的最灵敏端对和损伤机理,采用ESD人体模型对目前广泛使用的高频低噪声微波半导体晶体管进行了ESD损伤实验。通过理论分析建立了微波半导体晶体管的ESD电热损伤模型,并通过实验验证了该模型的有效性。结果表明,该类器件对ESD最敏感的端对为集电结;ESD对该类器件的损伤模式主要为过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。当ESD电压较低时,PN结峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度577℃,使器件参数退化并发生潜在性失效;当ESD电压较高时,ESD电流造成器件局部过热,PN结峰值温度超过硅的熔融温度1 415℃,使器件发生击穿烧毁。
- 谭志良吴东岩刘进
- 关键词：晶体管静电放电电磁脉冲
