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刘冰洁

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇应变硅
  • 1篇阈值电压
  • 1篇阈值电压解析...
  • 1篇解析模型
  • 1篇绝缘层
  • 1篇绝缘层上硅
  • 1篇锗

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇尹湘坤
  • 1篇刘红侠
  • 1篇郝跃
  • 1篇刘冰洁

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型被引量：2
2010年
分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.
刘红侠尹湘坤刘冰洁郝跃
关键词：应变硅阈值电压解析模型
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