何锡源
- 作品数：7 被引量：26H指数：3
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- CuPc/ITO结构的表面和界面电子态的XPS研究被引量：6
- 2004年
- 覆盖有Indium tin oxide(ITO)膜的透明导电玻璃广泛地用作有机发光器件 (OLEDs)的空穴注入电极 ,但是ITO膜的功函数通常与空穴传输材料的最高被占据分子轨道 (HOMO)不匹配。铜酞菁 (CuPc)作为缓冲层可以提高空穴从ITO向空穴传输材料的注入效率。对CuPc ITO样品的XPS表面分析表明 ,在CuPc分子中 ,铜原子显 +2价 ,通过配位键和氮原子相互作用。CuPc分子中有两类碳原子 :8个C原子与 2个N原子成键 ;其余 2 4个C原子具有芳香烃性质。N原子也处在两种化学环境中 :有 4个N原子只与 2个C原子形成CNC键 ;另外 4个N原子不仅与 2个C原子成键 ,还通过配位键与Cu原子成键。用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀 ,当溅射时间分别为 2 ,5 ,10min时进行XPS采谱分析 ,结果表明 ,随着氩离子束溅射时间增长 ,C 1s,N 1s峰变弱 ,Cu 2p ,O 1s,In 3d,Sn 3d峰增强 ,C 1s,N 1s,O 1s,In 3d和Sn 3d峰都向高束缚能或低束缚能方向移动 ,但它们的情况却不相同。
- 郜朝阳张旭郑代顺何锡源张福甲
- 关键词：XPS导电玻璃有机发光器件空穴电极
- 衬底温度及蒸发条件对有机光电探测器性能的影响被引量：3
- 2012年
- 为了深入研究p型Si衬底的有机光电探测器的工艺条件对器件光电性能的影响,本文利用Dektak-8型α台阶仪及高分辨率Topometrix Exptorer型原子力显微镜(AFM),对不同衬底温度及蒸发条件下沉积的有机薄膜表面厚度进行了测量;采用拓扑和侧向力接触两种模式,对其表面形貌及其变化规律进行了研究;对制成的光电探测器的光电性能进行了测试分析。结果表明,PTCDA在p-Si(100)表面形成的多晶薄膜呈岛状形态,岛的大小及形貌受制备工艺条件的影响;当衬底温度为50℃、PTCDA的蒸发温度为420℃和蒸发时间为15s时,蒸发薄膜的厚度为135nm;测得器件的最大光电流为92μA,暗电流为7nA。实现了衬底温度及蒸发条件的最佳化。
- 张旭何锡源王德明
- 关键词：SI衬底温度蒸发条件
- 有机/无机光电探测器的研制及电参数优化
- 该文主要讨论ITO/PTCDA/P-Si/Au光电探测器的研制及电参数的工艺调节及优化.该文首先对光电探测器的工作原理和参数进行了分析.其次,就PTCDA 的晶体结构、折射率等材料特性进行了全面叙述,并且讨论了PTCDA...
- 何锡源
- 关键词：晶体结构折射率材料特性光电探测器电参数
- 文献传递
- 高量子效率光电探测器的研制-PTCDA/p-Si(有机/无机)异质
- 张福甲张旭王德明黄智李仁全胡海冰何锡源郜朝阳
- 该项目成果是自行合成有机半导体材料PTCDA的基础上，利用独特的方法在国内外率先将其纯度提高到99.5%。并开展了深入细致的理论炎热，得到了许多重要价值的结果。同时也在国内率先开展了PTCDA/P-Si同型异质结界面特性...
- 关键词：
- 关键词：半导体材料PTCDA/P-SI光电探测器
- 欧姆注入型单层有机发光器件载流子输运机制的数值模型
- 彭应全张福甲台夕市李海蓉郑代顺何锡源张旭
- 目的在于研究建立能够准确描述欧姆注入单层有机发光器件中载流子输运机制的物理模型，研究相应的数值分析方法，计算出器件中的电场分布，载流子浓度分布和电流电压特性，为设计器件提供强有力的理论工具。在远离电极处（大于厚度的百分之...
- 关键词：
- 关键词：有机发光器件
- 封装用高热导率硅胶性能的研究被引量：8
- 2011年
- 通过对LED封装结构热模拟分析表明,模拟固晶胶粘贴部分失效的情况下,采用热导率为0.1W/m.K的普通硅胶封装成的LED芯片最高温度为220.27°C,采用导热填料高热导率硅胶灌封的LED芯片最高温度可降低到122.71°C,大幅降低了芯片的温度。纳米ZnO导热填料高热导率硅胶,其填料颗粒的直径小于25 nm,透光率高,可适用于LED封装。高温加速老化结果表明,采用导热硅胶灌封的LED样品具有很好的热稳定性,LED高温老化2 000 h后,光通维持率保持在90%以上,避免了由于灌封材料和荧光粉老化产生的黑褐色覆盖层,提高热稳定性和器件使用寿命。
- 何锡源张旭张福甲
- 关键词：半导体发光二极管扫描电子显微镜热模拟
- 有机/无机光电探测器的AFM和XPS分析被引量：10
- 2003年
- 采用真空蒸发沉积,在室温下制备了PTCDA/p-Si有机/无机异质结样品。对其表面用原子力显微镜(AFM)研究表明,PTCDA薄膜具有岛状形态结构。经X光电子能谱(XPS)分析表明,在PTCDA分子中,C原子有两种束缚能态,其结合能力分别为285.3eV和288.7eV;O原子与C原子相邻,一些O原子通过双键与C原子相结合,另外的O原子则通过单键与2个C原子相结合。经Ar+束溅射研究界面电子状态表明,随溅射时间增加,C1s和O1s峰逐渐减弱,而Si2p和Si2s峰渐渐增强。C1s和Si2p谱峰随着溅射时间的增加而逐渐向低束缚能力方向移动。由于荷电效应和碳硅氧烷(C-Si-O)及SiO2的存在,O1s谱峰随溅射时间的增加先向高束缚能方向移动,然后向低束缚能方向移动。
- 何锡源张旭郑代顺郜朝阳张福甲
- 关键词：PTCDA/P-SI原子力显微镜AFMX光电子能谱XPS
