何笑明
- 作品数：24 被引量：85H指数：6
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金湖北省杰出青年人才基金更多>>
- 相关领域：电子电信冶金工程一般工业技术理学更多>>
- 硅材料湿法提纯理论分析及工艺优化被引量：23
- 1995年
- 介绍了中等规模太阳级硅粉的湿法提纯工艺，就硅粉回收率、硅粒尺寸及酸洗液浓度等重要工艺参数对杂质含量及提纯成本的影响进行了分析。讨论了高浓度酸萃取时“钝化现象”的机理并修正了理论模型。根据理论分析与实验数据进行工艺优化，为大规模湿法提纯太阳级硅材料提供了重要依据。
- 王宇尹盛肖成章何笑明王敬义
- 关键词：太阳能硅湿法提纯
- 冷等离子体对硅-锗纯化的实验研究被引量：3
- 2000年
- 本文通过实验证实了冷等离子体对硅 -锗粉末的纯化作用 ,并探索了放电电流、放电时间、加热温度、反应器内总压力等参数对纯化效果的影响。
- 陶甫廷王敬义冯信华陶臻宇张巍陈文辉苏庆平何笑明
- 关键词：冷等离子体放电电流
- 气相生长统一模型被引量：1
- 1993年
- 从微观输运与化学反应动力学出发,将薄膜气相生长过程划分为五个步骤,基于对步骤的分析,得到了淀积过程的共同规律,建立了气相淀积生长速率的统一模型.代入有关参数和少数实验数据即可得到具体的实用模型.文中揭示的薄膜生长规律对于优选工艺方法和具体工艺参数具有参考意义.
- 王敬义王宇赵宁何笑明
- 关键词：薄膜生长气相生长
- 反应溅射中靶面附近的粒子输运研究被引量：2
- 2003年
- 列出了各类粒子的产生、输运和它们同靶表面反应的速率方程,并计及高能中性粒子对靶面溅射的剥离速率方程。有关方程耦合后求解溅射速率与气体流量和放电电流的关系。本文强调反应粒子的反应碰撞,论述了从粒子输运出发探讨薄膜生长方法的优点。
- 陶甫廷王敬义何笑明王宇尹盛
- 关键词：反应溅射薄膜生长生长速率
- 等离子体提纯硅粉的实验研究被引量：1
- 1996年
- 本文阐述了等离子体工艺在硅粉提纯方面的应用，在真空条件下，利用ＨＣｌ或含氯气体化合物，经射频辉光放电形成等离子体与硅粉中的杂质反应，可以在较低的温度下（２００℃～４００℃）、较短的时间（１～２小时）内，除去硅粉中的大部分杂质，而且操作简单，功耗较低。
- 李忠王敬义何笑明肖成章赵宁
- 关键词：等离子体半导体材料硅粉提纯
- 直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究被引量：20
- 2004年
- ZnO是一种新型的Ⅱ Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响。结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性。本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜。
- 吕文中贾小龙何笑明
- 关键词：ZNO薄膜基片温度C轴取向晶格结构
- 冷等离子体提纯硅粉薄层的实验研究被引量：3
- 2000年
- 研究了冷等离子体提纯硅粉薄层时硅粉的粒度与硅粉薄层的厚度对提纯效果的影响。实验表明 ,硅粉的颗粒大小在 60— 80μm之间 ,硅薄层的厚度为 0 .5mm时提纯效果较好。
- 尹盛冯信华何笑明陈丽王敬义
- 关键词：冷等离子体纯化硅粉
- 全文增补中
- 热电式饮料速冻机
- 一种热电式饮料速冻机，热电组件在贮水缸缸体上对称均匀排列，贮水缸缸体构成热电组件冷端热交换器，饮料输送管采用双管并绕形式嵌于贮水缸缸壁内，距离最近的两段饮料输送管内饮料流向相反。本发明与常规热电致冷饮料机相比，热交换效率...
- 王敬义肖成章白祖林何笑明王宇张伟建尹盛
- 文献传递
- 甲硅烷常压CVD淀积非晶硅研究
- 1991年
- 本文讨论了以甲硅烷为源,用常压CVD法(APCVD)制备非晶硅的设备改进及工艺优化,提供了一些实验结果.文中着重分析了CVD过程,讨论了在较低温度下获得高淀积速率的原因.
- 王敬义何笑明王宇王永兴
- 关键词：非晶硅甲硅烷APCVD淀积热扩散
- 冷等离子体对硅粉薄层纯化的动力学分析被引量：3
- 1998年
- 利用提高硅粉薄层温度的方法，使冷等离子体对硅提纯达４Ｎ（９９．９９％）。本文用反应动力学的方法分析提纯机理，建立必要的方程以探讨影响提纯的因素。
- 冯信华何笑明陈丽尹盛李忠天敬义
- 关键词：冷等离子体化学反应动力学
