任雪勇
- 作品数：8 被引量：38H指数：2
- 供职机构：贵州大学计算机科学与信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省教育厅自然科学研究项目贵州省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信石油与天然气工程更多>>
- Ag保护层对TbFeCo磁光薄膜光学性质的影响
- 2007年
- 用直流磁控溅射法制备出Ag/TbFeCo/Si(100)磁光薄膜。利用可变入射角椭圆偏振光谱仪测量了其可见光区的光学常数,给出薄膜介电函数实部和虚部随入射光子能量的变化规律,结果与经典的Drude模型相一致。同时把Ag/Si、Ag/TbFeCo/Si和TbFeCo/Si的光谱进行了比较,结果表明,由于Ag的高反射率,Ag/TbFeCo/Si的光谱更接近Ag。
- 余平任雪勇梁艳曾武贤张晋敏
- 关键词：椭偏光谱
- 环境友好半导体Ca_2Si的研究进展被引量：1
- 2007年
- 概述了Ca2Si的基本性质、制备工艺和应用,阐述了Ca2Si的研究进展及其制备,指出了存在的问题以及今后的研究方向.
- 任雪勇杨创华肖清泉
- 关键词：光电材料
- 环境友好半导体材料Ca_2Si的研究进展被引量：1
- 2007年
- Ca2Si是由两种丰富且无毒的化学元素构成,被认为是很有前景的新型环境半导体材料之一。文章综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,并着重对两步法制备Ca2Si薄膜进行了介绍,最后展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。
- 肖清泉谢泉杨吟野张晋敏任雪勇
- 关键词：光电性质
- 环境友好半导体Ca_2Si晶体生长及其性能研究被引量：1
- 2008年
- 环境友好半导体材料Ca2Si晶体是直接带隙半导体,在室温下,其禁带宽度为1.9 eV,且在4.5 eV以下能量范围内,Ca2Si的光吸收系数大于β-FeSi2,因此,有望使用Ca2Si开发发光二极管、高效率太阳能电池等。综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,由于现有的制备方法不适合大面积的制备Ca2Si材料,因此,提出了利用磁控溅射技术制备Ca2Si材料的设想。展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。
- 崔冬萌任雪勇谢泉付姗姗周文娟
- 关键词：太阳能电池
- 保护层Ag对Ag/TbFeCo光学性质的影响
- 2007年
- 磁光记录介质非晶稀土-过渡金属合金TbFeCo薄膜覆盖Ag保护层可减小稀土元素的氧化且能增强其磁光克尔效应。利用直流磁控溅射法制备出Ag/TbFeCo／Si(100)磁光薄膜,利用可变入射角椭圆偏振光谱仪测量了其可见光区的光学常数,给出薄膜介电函数实部和虚部随入射光子能量的变化规律,同时把Ag／Si、Ag／TbFeCo／Si和TbFeCo／Si的光谱进行了比较。实验结果与经典的Drude模型相一致,而且Ag／TbFeCo／Si的光谱更接近Ag。不同厚度Ag/TbFeCo／Si薄膜其光学参数变化趋势相同,且随Ag厚度的增加变化幅度减小。
- 余平任雪勇梁艳曾武贤张晋敏
- 关键词：磁光薄膜椭偏光谱磁控溅射AG
- 磁控溅射真空制膜技术被引量：33
- 2007年
- 利用JGP-560CⅧ型带空气锁的超高真空多功能溅射系统在Si(100)和玻璃基底上沉积了介质薄膜、半导体薄膜、金属薄膜和磁性薄膜,通过实验研究得到各种薄膜较好的镀膜条件;并采用可变入射角椭圆偏振光谱仪对其中一些薄膜的光学性质进行了分析,研究了制备条件对薄膜在可见光范围内光学性质的影响;我们还研究了直流溅射、射频溅射、反应溅射的特点和它们的适用范围。
- 余平任雪勇肖清泉张晋敏
- 关键词：磁控溅射椭偏仪
- 退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响被引量：2
- 2007年
- 采用磁控溅射的方法，在高真空条件下，沉积金属Fe到Si（100）衬底上，然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理，直接形成了β-FeSi2薄膜．采用X射线衍射仪（XRD）对样品进行了晶体结构分析，利用卢瑟福背散射（RBS）对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究，利用扫描电镜（SEM）对样品表面的显微结构进行表征，结果表明，在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜，超过这一温度β相将开始向α相转化，到1000℃，β-FeSi2全部转化为α-FeSi2。
- 梁艳谢泉曾武贤张晋敏杨吟野肖清泉任雪勇
- 关键词：退火温度XRDSEM
- 溅射功率对Ca2Si薄膜性质的影响被引量：1
- 2007年
- 采用射频磁控溅射技术在Si（100）衬底上沉积了si-ca-si薄膜，并在高真空条件下对样品进行退火处理，直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不同溅射功率对薄膜的晶体结构、表面（断面）形貌的影响，并对其光学性质进行了测试分析。结果表明：Ca2Si薄膜为立方结构且具有沿（111）向择优生长的特性，当溅射功率为120W时，Ca2Si薄膜变的均匀、致密，在400-800nm波长范围内，溅射功率对折射率n和吸收系数k的影响较小。
- 任雪勇谢泉杨吟野肖清泉杨创华曾武贤梁艳
- 关键词：射频磁控溅射溅射功率
