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黄嘉魁

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 5篇水热
  • 4篇迁移率
  • 4篇半导体
  • 3篇养料
  • 3篇石英管
  • 3篇退火
  • 3篇迁移
  • 3篇高温退火
  • 2篇烟道
  • 2篇烟道气
  • 2篇烟道气脱硫
  • 2篇氧化镁
  • 2篇氧化锌
  • 2篇氧化铋
  • 2篇印染
  • 2篇印染废水
  • 2篇印染废水处理
  • 2篇熔炼
  • 2篇施主
  • 2篇石墨坩埚

机构

  • 19篇中国科学院福...

作者

  • 19篇黄嘉魁
  • 17篇黄丰
  • 11篇林文文
  • 9篇陈达贵
  • 8篇林璋
  • 7篇林钟潮
  • 7篇黄顺乐
  • 4篇黄瑾
  • 3篇王永好
  • 3篇丁凯
  • 2篇张继业
  • 2篇董建平
  • 2篇吴智诚
  • 2篇洪杨平
  • 2篇湛智兵
  • 2篇陈伦泰
  • 2篇郑清洪
  • 1篇陈赛英
  • 1篇颜峰坡
  • 1篇李伟

传媒

  • 1篇第五届届全国...
  • 1篇第14届全国...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2006
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法
本发明公开了一种用于水热法生长CuI单晶的矿化剂及CuI晶体生长方法。所述的矿化剂为氯化铵和溴化铵的混合物，其中溴化铵的含量为0～90%之间，该矿化剂溶于水所形成的水溶液可以应用于水热法生长CuI晶体，生长的CuI晶体为...
陈达贵黄丰林璋黄嘉魁
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具有高空穴迁移率的γ-CuI晶体的水热生长及半导体性质测试
由于在新型光电子器件方面具有广阔的应用前景，宽禁带半导体材料近几十年来引起了研究者的广泛关注[1-3]。为了制备高性能的pn结型器件，需要同时获得高迁移率的、宽带隙的P型和N型材料。对于目前主流研究的GaN、SiC、Zn...
陈达贵黄嘉魁黄丰
避免籽晶缺陷外延到新生长层的氧化锌单晶生长方法
本发明提供一种避免籽晶缺陷外延到新生长层的氧化锌单晶生长方法。该方法将有裂纹或凹坑的ZnO籽晶晶面上镀上一层平整的金属膜，然后将籽晶放置于水热生长设备中进行生长。这种处理方法可确保籽晶上的缺陷无法外延到新的晶体生长层，新...
林文文黄丰陈达贵黄顺乐林钟潮黄嘉魁
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一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备
本发明涉及一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备。该设备进料腔、石墨坩埚、水冷坩埚依次排列，高度逐渐降低；石墨坩埚使用石墨隔离带将坩埚分为熔化区与蒸发区，坩埚为整体加热，加热可使用石墨加热器或中频加热，结构简单；块状或...
吕佩文黄丰董建平颜峰岥林璋黄嘉魁黄顺乐
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一种提高氧化锌单晶电阻率的退火方法
本发明提供一种提高氧化锌单晶电阻率的退火方法，属于半导体光电材料技术领域。将能分解产生氧气的供氧化合物和氧化锌单晶同时放置在密闭的抽真空石英管中，然后对石英管进行高温保温退火，供氧化合物受热分解产生氧气，在大于一个大气压...
林文文黄瑾黄丰林璋黄嘉魁
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一种制造轻质、高比表面积、花球型纳米氢氧化镁的方法
本发明公开了一种制造轻质、高比表面积、花球型纳米氢氧化镁的方法，包括如下步骤：（1）在反应容器中配制一定浓度镁盐水溶液；（2）在容器中配制一定浓度的碱溶液；（3）反应前，在步骤（1）溶液或者步骤（2）溶液中添加一定量的分...
林璋陈伦泰王永好吴智诚洪杨平黄嘉魁
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p型氧化锌材料的制备方法
本发明提供p型氧化锌材料的制备方法。该方法包括如下步骤：强氧化性气氛下制备含高浓度锌空位的高质量单晶或薄膜；通过还原气氛退火将锌空位通过扩散填充以一价原子，同时达到生成和稳定浅能级受主、完备晶格以提高迁移率的两个目的；通...
黄丰丁凯林文文张继业郑清洪黄嘉魁黄瑾湛智兵陈达贵
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提高氯氧化铋光催化剂对可见光吸收的退火方法
本发明提供一种提高氯氧化铋光催化剂对可见光吸收的退火方法，属于半导体光催化领域。将能分解产生氧气的供氧化合物和氯氧化铋同时放置在密闭的抽真空石英管中，然后对石英管进行高温保温退火，供氧化合物受热分解产生氧气，在大于一个大...
林文文黄丰黄嘉魁林钟潮
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高电导率氧化锌陶瓷及其制备方法
本发明涉及一种高压氧气氛下烧结制备高电导率氧化锌陶瓷的方法。本发明以氧化锌为主要成分，添加氧化铝、氧化镓，分散、研磨、粉碎、压制、烧结，烧结的温度为700-900℃，烧结出来的陶瓷载流子浓度1.137E10<Sup>19...
黄瑾黄丰丁凯颜峰坡黄嘉魁吕佩文林钟潮
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可容纳多个水热釜的水热法晶体生长炉
本发明提供一种可容纳多个水热釜的水热法晶体生长炉。其特点在于单个晶体生长炉内可以容纳多个水热釜，并使用隔温板来防止水热设备中上下加热区的温度干涉，结构简单，控温准确，节能环保。本发明采用如下技术方案：一种可容纳多个水热釜...
黄丰林文文陈达贵黄顺乐黄嘉魁林钟潮
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