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魏松胜

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：武器装备预研基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇封装
  • 2篇倒装芯片
  • 2篇电子封装
  • 2篇应力
  • 2篇应力传感
  • 2篇应力分量
  • 2篇有限元
  • 2篇平面应力
  • 2篇芯片
  • 2篇离子刻蚀
  • 2篇刻蚀
  • 2篇剪应力
  • 2篇反应离子
  • 2篇反应离子刻蚀
  • 2篇MEMS器件
  • 2篇传感
  • 1篇倒装焊
  • 1篇倒装焊封装
  • 1篇倒装芯片封装
  • 1篇倒装芯片技术

机构

  • 4篇东南大学

作者

  • 4篇魏松胜
  • 3篇唐洁影
  • 3篇宋竞

传媒

  • 1篇中国机械工程

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
倒装焊封装对MEMS器件性能影响的有限元分析研究
2010年
对2×2、4×4、6×6、8×8面阵列凸点分布形式的倒装芯片分别进行了建模和模拟,分析了面阵列倒装芯片在常规温度载荷下芯片表面应力分布和变形的一般规律,并分析比较了凸点分布形式、基板类型对面阵列倒装芯片表面应力分布的影响,在此基础上估算了应力和变形对典型MEMS器件的影响。对于常规4×4面阵列情况,倒装焊后的悬臂梁吸合电压的最大相对变化率为5%,而固支梁一阶固有谐振频率最大相对变化率为110%。
魏松胜唐洁影宋竞
关键词：倒装芯片有限元方法谐振频率
一种应力传感测试结构
本发明公开了一种应力传感测试结构，该测试结构包括两个垂直位置摆放且串联连接的折弯型压阻(1)和压阻两侧反应离子刻蚀的应力隔离槽(2)，在两个折弯型压阻(1)的两头设有第一金属引线(3)和第二金属引线(4)，在两个折弯型压...
魏松胜宋竞唐洁影
文献传递
一种应力传感测试结构
本发明公开了一种应力传感测试结构，该测试结构包括两个垂直位置摆放且串联连接的折弯型压阻(1)和压阻两侧反应离子刻蚀的应力隔离槽(2)，在两个折弯型压阻(1)的两头设有第一金属引线(3)和第二金属引线(4)，在两个折弯型压...
魏松胜宋竞唐洁影
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倒装芯片封装对MEMS器件性能的影响
封装与可靠性已成为MEMS技术产业化的瓶颈。现在许多MEMS产品的封装还停留在沿用老的IC封装工艺的阶段，但是由于MEMS封装要求的特殊性，传统的封装形式已不能满足需要。倒装芯片封装，作为一种先进封装的代表性技术，在ME...
魏松胜
关键词：MEMS倒装芯片技术有限元分析
文献传递
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