魏敬和
- 作品数：327 被引量：226H指数：7
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信机械工程航空宇航科学技术更多>>
- 互联裸芯、互联微组件、互联微系统及其通信方法
- 本发明涉及裸芯之间的连接，尤其是互联裸芯，包括：协议转换电路，所述协议转换电路包括多个协议转换模块，用于提供多种与外部连接的标准主流协议接口；外部互联接口，所述外部互联接口包括一对同步控制器，用于与其他互联裸芯进行通信；...
- 魏敬和黄乐天于宗光王梓任刘国柱曹文旭
- 文献传递
- 一种基于扫描链的硬件木马检测新方法
- 2017年
- 本文提出了一种基于动态电流-静态电流(Iddt-Iddq)的检测方法,在电路设计阶段插入扫描链进行分区设计相结合的硬件木马检测技术,选用Can总线控制器电路作为实验电路,在电路设计阶段将电路分区并插入扫描链,然后进行流片,选用源表、专用PCB测试板、Can总线收发器搭建测试平台进行芯片实测,实测结果表明,这种检测方法可以大幅减小工艺漂移的影响并且提高硬件木马检测分辨率.
- 王林魏敬和周昱于宗光王乔
- 关键词：扫描链
- ULSI后端设计低功耗技术研究被引量：1
- 2014年
- 提出一种新的ULSI后端设计低功耗流程,重点分析了版图压焊点位置摆放、宏单元位置规划、电源网络布局及物理综合功率优化设计等四项关键技术。采用SMIC 0.18μm 1P6M自对准硅化物CMOS工艺,设计了一种新型雷达SoC芯片,电路版图尺寸为7.825mm×7.820mm,规模为200万门,工作频率为100MHz。实验结果表明,采用低功耗物理设计技术后,芯片功耗降低12.77%,满足350mW功耗的设计要求。该电路已通过用户的应用验证,满足系统小型化和低功耗需求。
- 杨兵张玲魏敬和于宗光
- 关键词：低功耗技术后端设计SOCCMOS
- 一种基于可控延迟单元的FPGA环形振荡器PUF
- 本发明公开一种基于可控延迟单元的FPGA环形振荡器PUF，属于硬件安全领域，包括：利用FPGA内部的可编程延迟单元，对多组IDELAY‑ROPUF基础单元分别并行排列形成PUF核心电路，或单个IDELAY‑ROPUF基础...
- 毛臻魏敬和
- 一种用于多通道ADC的基准电压失配校准电路
- 本发明提供了一种用于多通道ADC的基准电压失配校准电路，属于集成电路技术领域。所述用于多通道ADC的基准电压失配校准电路包括带隙基准电路、基准电压预驱动电路、基准电压远程驱动电路、M个基准电压调整电路、M个差分基准电压产...
- 于宗光陈珍海刘崎魏敬和薛颜钱黎明张荣
- 文献传递
- 提高硬件木马检测分辨率的电路设计方法及硬件木马检测方法
- 本发明涉及一种提高硬件木马检测分辨率的电路设计方法及高效的硬件木马检测方法。首先在完成原始电路的功能设计后，将此电路按一定的规则分成不同的区域，对各个区域加上不同的门控时钟。其次，在电路内部添加一个自测试模块，在电路内部...
- 周昱魏敬和于宗光桂江华汤赛楠
- 文献传递
- 一种基于背栅偏置调控的总剂量加固存储结构
- 本发明公开一种基于背栅偏置调控的总剂量加固存储结构，属于抗辐射存储器电路领域。本发明通过在NMOS管P阱上施加已选取的合适负偏置调制电压，产生抵消由总剂量效应引起的NMOS管阈值电压漂移变化量，实现维持NMOS管的阈值电...
- 殷亚楠马艺珂魏敬和米丹马函
- 面向高速可扩展互联裸芯与PCIe主设备的并行式转换接口
- 本发明公开一种面向高速可扩展互联裸芯与PCIe主设备的并行式转换接口，属于集成电路通信领域。本发明连接高速可扩展互联裸芯的片上网络NOD与PCIe主设备的EP端，实现PCIe主设备的AXI协议与片上网络NOD传输协议的转...
- 时迎琰魏敬和高营鞠虎田青张正
- 6-T CMOS SRAM单元稳定性分析及设计优化被引量：2
- 2015年
- 介绍了一种由两个交叉耦合反向器构成的6-晶体管(6-T)存储单元的噪声容限分析方法。对6-T CMOS SRAM单元的稳定性作了分析及仿真。借助SPICE和MATLAB工具,对存储单元在数据保持和数据读取时的稳定性、数据写入过程中的可靠性及其之间的关系进行了深入研究。对可能影响噪声容限的因素,如单元比、上拉比、MOS管的阈值电压、位线预充电压、电源电压以及温度进行了仿真讨论,并从中得到合适的电路设计参数。流片结果表明,理论分析与实测数据相符。分析数据对基于CSMC 0.5μm CMOS工艺的SRAM电路设计优化具有指导作用。
- 蔡洁明魏敬和刘士全胡水根印琴
- 关键词：噪声容限
- 一种嵌入式高低压兼容CMOS总剂量加固方法
- 本发明公开一种嵌入式高低压兼容CMOS总剂量加固方法，属于微电子集成电路领域。本发明采用STI注入法、高压MOS器件叠栅氧工艺法、低压MOS器件叠栅氧工艺法和有源区截止法进行高低压MOS器件总剂量加固，采用隧道氧化层加固...
- 刘国柱 魏轶聃魏敬和 赵伟 魏应强 陈浩然 许磊 隋志远 周颖
- 文献传递
