您的位置： 专家智库 > >

陈轶平

作品数：3 被引量：6H指数：2
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市教委科技发展计划北京市科技新星计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇氮化铝
  • 3篇溅射
  • 2篇氮化铝薄膜
  • 2篇射线衍射
  • 2篇平均自由程
  • 2篇气相沉积
  • 2篇自由程
  • 1篇带隙
  • 1篇氮化
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇溅射气压
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光学
  • 1篇光学带隙
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇ALN薄膜
  • 1篇沉积速率
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 3篇北京工业大学

作者

  • 3篇陈轶平
  • 1篇严辉
  • 1篇李国星
  • 1篇邢涛
  • 1篇王波

传媒

  • 1篇物理实验

年份

  • 3篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
AlN薄膜的气相沉积及取向控制研究
由于AlN 晶体的各向异性,因此一般相信(100)取向比(002)取向的AlN薄膜更有利于声表面波的传播。然而,许多研究者认为(100)取向的AlN 薄膜较难得到。AlN 薄膜的取向生长机制也不太清楚。在制备AlN 薄膜...
陈轶平
关键词：氮化铝溅射平均自由程
文献传递
A1N薄膜的气相沉积及取向控制研究
由于AlN晶体的各向异性，因此一般相信(100)取向比(002)取向的AlN薄膜更有利于声表面波传播。然而，许多研究者认为(100)取向的AlN薄膜较难得到。AlN薄膜的取向生长机制也不太清楚。在制备AlN薄膜的基础上，...
陈轶平
关键词：氮化铝薄膜射频磁控溅射平均自由程X射线衍射光学带隙
文献传递
磁控反应溅射制备择优取向氮化铝薄膜被引量：4
2005年
以氮气为反应气体,采用磁控反应溅射方法制备了择优取向的氮化铝薄膜.通过XRD测试发现,靶基距、溅射气压影响薄膜的择优取向:大的靶基距及高的溅射气压利于(100)面择优取向,小的靶基距和低的溅射气压利于(002)面择优取向.通过对沉积速率的分析发现,高的沉积速率利于(002)面择优取向,低的沉积速率利于(100)面择优取向.研究结果表明:沉积速率影响了核在衬底表面的生长方向,从而影响了各晶面的生长速度,最终决定薄膜的择优取向.
邢涛王波陈轶平李国星严辉
关键词：氮化铝薄膜溅射气压沉积速率
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0