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闵海军
作品数:
1
被引量:8
H指数:1
供职机构:
中国科学技术大学物理学院物理系
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发文基金:
安徽省自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
黄文浩
中国科学技术大学工程科学学院精...
徐传明
中国科学技术大学物理学院物理系
刘洪图
中国科学技术大学物理学院物理系
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中国科学技术大学物理学院物理系
徐军
中国科学技术大学物理学院物理系
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2003
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周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se_2薄膜结构
被引量:8
2003年
采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 .通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 ,对四元化合物Cu(In ,Ga)Se2 的Raman谱进行了讨论 ,并观察到Ga对A1模式峰位的移动影响 ,同时发现薄膜倾向于沿 (112 )晶面生长 ,薄膜贫Cu会加剧 (2 2 0 ) / (2 0 4)表面自发分解成 { 112 }小晶面 .研究表明 ,薄膜具有良好的电学特性和结构特性 .
徐传明
许小亮
闵海军
徐军
杨晓杰
黄文浩
刘洪图
关键词:
CIGS
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