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郭永平

作品数：11 被引量：70H指数：5
供职机构：兰州大学物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 7篇理学
  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇室温
  • 4篇纳米
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇发光
  • 3篇氧化硅
  • 3篇二氧化硅
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇氮化硼薄膜
  • 2篇导体
  • 2篇散射
  • 2篇立方氮化硼
  • 2篇立方氮化硼薄...
  • 2篇光学
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体薄膜
  • 2篇X
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质

机构

  • 11篇兰州大学
  • 5篇北京机械工业...

作者

  • 11篇郭永平
  • 9篇陈光华
  • 7篇王印月
  • 6篇杨映虎
  • 4篇宋志忠
  • 4篇张仿清
  • 3篇甘润今
  • 2篇薛华
  • 1篇刘雪芹
  • 1篇奇莉
  • 1篇甄聪棉
  • 1篇张亚菲
  • 1篇张静
  • 1篇王辉耀
  • 1篇姚江宏
  • 1篇孙燕杰

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇科学通报
  • 2篇无机材料学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理
  • 1篇光学学报
  • 1篇兰州大学学报...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用拉曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸被引量：9
1998年
用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入ＳｉＯ２基底中的纳米Ｇｅ复合膜（ｎｃ－Ｇｅ／ＳｉＯ２）。测量了不同温度退火后该复合膜的拉曼散射光谱，其结果与晶体Ｇｅ的拉曼谱相比，纳米Ｇｅ的拉曼峰位红移峰形变宽；用拉曼谱的参数计算了纳米Ｇｅ晶粒的平均尺寸。
王印月郑树凯杨映虎郭永平奇莉甘润今
关键词：拉曼散射光谱晶粒尺寸
埋入SiO_2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光被引量：11
1997年
1990年英国人Canham报道的多孔硅室温可见光致发光,显示了Si材料在光电子技术方面的潜力,这为全Si光电子电路的实现带来了曙光,使人们受到了极大鼓舞.近几年人们对多孔Si的研究已经非常深入,尽管目前还没有统一的模型能解释全部实验结果,但是可以肯定的是,从扫描隧道电镜观察到多孔Si是具有2～5nm尺寸的纳米微粒,这种低维的纳米微粒是获得可见光发射的主要原因.目前多孔Si多用湿法制备,性能不稳定,电接触方面存在困难,严重限制了它的应用.因此,探索制备有纳米结构的Si及Si基合金以获得强的可见光发射,具有极重要的意义.
王印月杨映虎郭永平王吉政陈光华甘润今
关键词：二氧化硅光致发光喇曼散射
立方氮化硼薄膜的织构生长被引量：4
1995年
立方氮化硼(C-BN)除了具有一系列类似于金刚石的优异的物理化学性质,如高硬度(仅次于金刚石),宽带隙(E_g≈6.6eV),高的电阻率和高的热导率外,还具有一些优于金刚石的性质,如比金刚石高的热稳定性和化学稳定性,容易实现p型和n型掺杂(而金刚石的n型掺杂国际上至今尚未实现),与Si,GaAs更接近的热膨胀系数.因此,C-BN在力学、光学、热学、电子学等方面有着极其广泛的应用前景.其中最为诱人的前景是在电子学方面,首先作为一种易于p型,n型掺杂的宽带隙半导体材料,它可以应用于高温、高频、大功率。
陈光华郭永平张仿清宋志忠
关键词：立方氮化硼氮化硼
离子注入和固相外延制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y半导体薄膜
2002年
用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy 三元合金半导体薄膜 .应用卢瑟福背散射 (RBS) ,傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和高分辨率x射线衍射 (HRXRD)研究了薄膜的结构和外延特性 .发现C原子基本处于替代位置 。
刘雪芹王印月甄聪棉张静杨映虎郭永平
关键词：半导体薄膜离子注入固相外延PECVD
高温退火对反应溅射制备的a-SiC:H薄膜结构的影响被引量：5
1997年
通过红外透射谱、拉曼散射谱和X射线衍射谱的测量，研究了反应溅射制备的氢化非晶硅碳膜（SP-a-SiC：H）高温退人处理后的结构变化。发现在等时退火的情况下，退火温度对薄膜结构影响明显，H原子的逸出温度与键合有关，H从CHn中逸出要比从SiHn键中追出需要更高的温度，样品经800℃退火后。
王印月王辉耀王吉政郭永平陈光华
关键词：高温退火溅射碳化硅氢化半导体薄膜
a－Si：H／a－SiC＿x：H超晶格的界面特性
1994年
报道等离子体化学汽相沉积法制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＣ：Ｈ超晶格的蓝移现象，用小角度Ｘ射线衍射确定超晶格的界面陡度。通过红外测量和常数光电流测量发现，超晶格界面附近存在较高浓度的Ｈ和较多的Ｓｉ－Ｃ键，界面Ｈ的热稳定性较差，界面缺陷态密度为１．２×１０￣（１１）ｃｍ￣（－２）。
陈光华郭永平姚江宏宋志忠张仿清
关键词：氢化非晶硅超晶格
薄膜物理乃其应用讲座第四讲立方氮化硼薄膜的研究现状及其应用前景被引量：20
1995年
立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）具有一系列优异的物理化学性质，如高的硬度，宽的带隙，高的电阻率，高的热导率，高的热稳定性、化学稳定性，在力学、光学和电子学等方面有广泛的应用前景。从立方氮化硼薄膜的性质，制备方法，目前研究工作的进展，存在的主要问题，以及应用前景等方面介绍这种新型功能材料。
宋志忠郭永平张仿清陈光华
关键词：立方氮化硼
埋入SiO_2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光被引量：13
1997年
用射频共溅射技术和真空退火方法，制备出埋入ＳｉＯ２基质中纳米Ｇｅ的复合膜（ｎｃＧｅ／ＳｉＯ２），通过喇曼散射、Ｘ射线衍射、室温光致发光（ＰＬ）、紫外可见光近红外吸收及电导温度关系等测量手段，较系统地研究了该复合膜的光学、电学、薄膜结构和光致发光性质，在室温情况下得到了有多个弱峰的、不对称的宽带ＰＬ谱，主峰能量约为２０５ｅＶ。
王印月杨映虎郭永平甘润今甘润今薛华陈光华
关键词：二氧化硅光致发光
a-SiGe_x 合金光学常数的研究
1993年
本文通过拚射及透射谱测量,利用关系式(1-R)/T 和(1+R)T 代替参量 R 和 T 的办法,计算a-SiGe_x∶H 合金的光学常数(折射率 n,消光系数 K).我们利用所取得的实验数据,得到了不同 Ge 含量对 a-SiGe_x∶H 合金光学常数的影响,讨论了 Ge 原子进入 a-Si:H 网络引起的 a-SiGe:H 合金结构及光学特性的变化.
张仿清郭永平宋志忠陈光华
关键词：光学常数硅锗合金
埋入SiO_2膜中的微晶Ge的室温可见光致发光
1996年
埋入ＳｉＯ２膜中的微晶Ｇｅ的室温可见光致发光①王印月杨映虎郭永平②陈光华（兰州大学物理系，兰州７３００００）甘润今（北京机械工业学院基础部，北京１０００８５）可见发光器件在大屏幕显示和光电子学中是十分重要的，这些发光器件主要是用工艺复杂、价格较贵的...
王印月杨映虎郭永平陈光华甘润今
关键词：二氧化硅膜锗微晶光致发光室温光电材料
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