郭振杰
- 作品数：10 被引量：23H指数：4
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种采用SiGe HBT的新型超宽带有源可调衰减器
- 2013年
- 提出一种以SiGe HBT为有源器件的超宽带有源可调衰减器。在超宽频带内实现了宽增益调节范围和高线性度。详细分析了有源衰减器的最小插入损耗及最大衰减量,基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,通过选择合适的SiGe HBT有源器件,完成了超宽带有源可调衰减器的设计。利用安捷伦公司的ADS仿真软件,对设计的有源可调衰减器进行仿真验证。结果表明,在3.1～10.6GHz的超宽带内,当电压在0.4～1.8V的范围内变化时,该有源可调衰减器的增益动态范围大于50dB,S11在整个电压变化范围内均低于-10dB,且输入3阶交调点(IIP3)为13dBm。
- 邢光辉张万荣谢红云丁春宝陈亮郭振杰路志义张瑜洁周永强
- 关键词：超宽带有源衰减器可调衰减器SIGEHBT
- 基于有源电感的全集成超宽带低噪声放大器被引量：6
- 2013年
- 利用有源电感来实现超宽带低噪声放大器(UWB LNA),不但可以减小芯片面积、改善增益平坦度,而且可通过外部调节偏置电压来调谐有源电感的电感值,进而调整设计中没有考虑到的由工艺变化及封装寄生带来的增益退化。采用TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用Cadence设计工具完成了放大器电路及版图的设计。在3.1～10.6GHz工作频率范围内,通过外部调节电压来调谐有源电感,可使LNA的增益S21在16～19dB范围内变化,输入输出回波损耗S11,S22均小于-10dB,噪声为2.4～3.7dB,输入3阶截点IIP3为-4dBm。整个电路芯片面积仅为0.11mm2。
- 郭振杰张万荣金冬月谢红云丁春宝邢光辉路志义张瑜洁
- 关键词：有源电感超宽带低噪声放大器增益平坦度
- 射频前端宽带高Q值可调节集成有源电感被引量：5
- 2012年
- 针对传统接地有源电感的电感值低、Q值低等缺点,提出了一种改进型的有源电感,并给出了等效电路图及等效阻抗的表达式。基于TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用Cadence软件,完成了电路和版图设计。提出的有源电感,在频率小于5GHz时,其等效电感值随频率变化很小,大于5GHz后,随频率变化略有增大。通过改变外加偏置电压,实现了电感值和Q值的可调,电感值可调范围为1.035～5.631nH,Q值最大值可达到1 557;同时,也可调节有源电感Q值达到最大值时所对应的工作频率。
- 郭振杰张万荣谢红云金冬月丁春宝陈亮邢光辉路志义张瑜洁
- 关键词：有源电感回转器品质因子反馈电阻
- SiGe HBT双频段可变增益放大器设计被引量：2
- 2012年
- 提出了一款新型的双频段可变增益放大器(DBVGA),分别工作在3G-WCDMA的2.2GHz和WLAN的5.2GHz两个频段。放大器分为增益控制级、输入输出级和放大级。其中,增益控制级采用电流驱动技术和发射极串联电感来减小噪声和输入阻抗的影响,进而实现大动态的增益变化。输入级通过电容电感串并联方法实现双频段的输入匹配。放大级使用Cascode结构和电流复用技术来提高增益和减小功耗。采用Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计芯片版图,版图面积为0.5mm2。仿真结果表明,当控制电压从0V到1.4V变化时,DBVGA在2.2GHz和5.2GHz下的增益可变范围分别达到30dB和16dB,最大增益处的噪声分别为2.3dB和3.2dB,输入和输出驻波比约1.5。
- 路志义谢红云张万荣霍文娟郭振杰邢光辉张瑜洁丁春宝金冬月
- 关键词：电流复用HBT
- Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响被引量：3
- 2013年
- 众所周知,双极型晶体管的设计主要是基区的设计.一般而言,基区的杂质分布是非均匀的.本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响,发现增益和截止频率具有正温度系数,体内温度较高.随后研究了基区Ge组分分布对这些器件参数的影响.均匀Ge组分分布和梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管增益和截止频率具有负温度系数,具有较好的体内温度分布.进一步的研究表明,具有梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管,由于Ge组分缓变引入了少子加速电场,不但使它的增益和截止频率具有较高的值,而且保持了较弱的温度敏感性,在增益、特征频率大小及其温度敏感性、体内温度分布达到了很好的折中.
- 张瑜洁张万荣金冬月陈亮付强郭振杰邢光辉路志义
- 关键词：温度特性GE组分分布
- 基于有源电感的小面积可调谐超宽带低噪声放大器的研究
- 电感是射频集成电路(RFIC)设计中使用的最重要的元件之一，使用片上螺旋无源电感占用了大部分芯片面积。而且，其电感值不可调谐、Q值低，严重限制了电路性能。 本文对基于晶体管合成宽带、高Q、可调谐有源电感进行研究，并应用...
- 郭振杰
- 关键词：有源电感低噪声放大器仿真验证
- 基于Darlington Cascode结构的SiGe异质结双极晶体管UWB低噪声放大器的设计被引量：4
- 2012年
- 详细地分析了Cascode结构的线性度和3dB带宽，利用Cascode结构的高线性度和Darlington结构的高增益的优点构成了Darlington—Cascode结构，在此基础上，基于台积电TSMC0．35μm SiGe工艺，设计了一款芯片面积小的满足超宽带（UWB）标准的无电感SiGe异质结双晶体管（HBT）低噪声放大器（LNA）。该放大器利用电阻反馈结构替代了电感-电容（LC）匹配网络结构，实现了输入、输出阻抗匹配，未采用无源电感，节省了芯片面积，芯片面积仅为0．046mm2，并将Darlington—Cascode结构作为LNA的输出级，既提高了增益，又提高了线性度。LNA版图仿真结果表明，在UWB频带范围内，LNA的增益为19．5～20dB，增益平坦度为4-0．25dB；输入、输出匹配良好；线性度为-5- -2dBm；在整个频段内，无条件稳定。
- 丁春宝张万荣金冬月谢红云陈亮沈佩张东晖刘波宇周永强郭振杰
- 一种利用衰减器实现的超宽带可变增益放大器被引量：3
- 2013年
- 提出了一种基于有源可调衰减器的超宽带可变增益放大器,以有源可调衰减器作为可变增益放大器的核心,并与高增益放大器级联,在3.1～10.6GHz超宽频带内实现了宽动态增益调节范围。基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,完成了超宽带可变增益放大器的设计,利用安捷伦公司的ADS仿真软件进行仿真验证。结果表明,在3.1～10.6GHz的超宽频带内,当电压在0.7～2.0V的范围内变化时,该放大器的动态增益变化范围大于60dB,3dB带宽大于7GHz,在整个电压变化范围内,S11和S22均低于-10dB,在最大增益处,噪声系数小于5dB。
- 邢光辉张万荣谢红云丁春宝郭振杰路志义张瑜洁张卿远
- 关键词：超宽带可变增益放大器
- 应用于射频前端的高Q值SiGe HBT有源电感被引量：4
- 2013年
- 针对传统的共基-共射(CB-CE)回转器有源电感的品质因子Q值低等缺点,应用Cascode结构把CB-CE有源电感改进为共基-共射-共基(CB-CE-CB)有源电感,推导出等效电路及等效阻抗表达式。最后基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用ADS软件完成电路设计与仿真,应用Cadence Virtuoso平台完成版图设计。改进之后的有源电感,通过改变外加偏置条件,实现了电感值和品质因子Q值的可调,电感值可调范围为0.35～2.72 nH,Q值最大值可达1 172,版图面积仅为51μm×35μm。该有源电感应用于射频电路中,可取代无源电感。与无源电感相比,品质因子Q值明显提高,版图面积大大减小,更利于集成。
- 赵彦晓张万荣谢红云郭振杰丁春宝付强
- 关键词：有源电感回转器品质因子
- 无螺旋电感的小面积SiGe HBT宽带低噪声放大器
- 2014年
- 设计了一款无螺旋电感的1~6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出级,有源电感替代螺旋电感实现电感峰化技术来扩展频带宽度、提高增益的平坦度.基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,完成了版图设计,WLNA的版图尺寸仅为105μm×115μm,与使用螺旋电感的WLNA相比,芯片面积大大减小.利用安捷伦公司的射频/微波集成电路仿真工具ADS进行了验证.结果表明:该WLNA在1~6 GHz频段内,S21>16 dB,NF<3.5 dB,S11<-10 dB,S22<-10 dB.对于设计应用于射频前端的小面积、低成本、高性能的单片WLNA具有一定的指导意义.
- 赵彦晓张万荣谢红云金冬月丁春宝郭振杰高栋
- 关键词：SIGEHBT宽带低噪声放大器
