邱云贞
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：南通大学电子信息学院更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 如何加强高校教学档案管理工作被引量：1
- 2012年
- 高校教学档案作为高校教学管理工作的重要组成部分，是反映和评估教学质量及教学管理水平的重要依据，对高校教学工作的可持续发展起着重大作用。但是，教学档案归档不及时，归档材料不完整的现象严重制约了高校教学档案的质量和日后的利用。本文针对高校教学档案管理工作中存在的问题，从转变思想增强归档意识、加大硬件设施的投入力度、加强教学档案管理制度的建设、提高教学档案管理人员的素质等方面阐述了如何加强高校教学档案管理工作。
- 邱云贞
- 关键词：高校教学档案
- 换位思考在教学秘书教学管理中的应用被引量：1
- 2012年
- 高校教学秘书处于学校教务管理部门与基层教学单位之间,协调着领导、教务处各部门、教师、学生之间的各种关系,教学秘书只有真正明确换位思考的意义,并在工作中应用好换位思考,才能更好地履行其职责,提高工作效率,促使高校教学管理水平上到一个新台阶。
- 邱云贞
- 关键词：教学秘书教学管理
- 叠层高k栅介质中远程界面粗糙散射的理论模型被引量：2
- 2010年
- 利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另外,在设计叠层高k栅介质MOSFET时,在EOT得到满足的条件下,尽可能利用具有较高介电常数的界面层和具有较低介电常数的高k栅介质,可以减小迁移率退化。
- 张雪锋邱云贞张振娟陈云黄静王志亮徐静平
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管
- HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1
- 2010年
- 为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。
- 张雪锋季红兵邱云贞王志亮徐静平
- HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究
- 2010年
- 为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致。
- 张雪锋季红兵邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平
- 关键词：迁移率
- 超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进被引量：1
- 2010年
- 通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的high-k/Ge界面质量有着重要的意义。
- 张雪锋季红兵邱云贞王志亮黄静张振娟徐静平
