赵普举
- 作品数：10 被引量：13H指数：2
- 供职机构：西北大学更多>>
- 发文基金：陕西省自然科学基金国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术文化科学机械工程更多>>
- 有限维q非谐振子广义相干态振幅N次方压缩被引量：1
- 2004年
- 利用Zhang等人提出的单模辐射场的振幅N次方压缩理论,研究了有限维希尔伯特空间中单参数q变形非简谐振子广义相干态的振幅N次方压缩效应.结果发现该量子光场的确存在场的振幅N次方压缩效应,其压缩条件分别与相位角Φ、维度参数s、压缩幂次N、平均光子数的方根r和变形参数q相关;这一结果与无限维希尔伯特空间单参数q变形广义相干态的情形截然不同.
- 任珉马志民马爱群赵普举杨志勇刘宝盈
- 关键词：有限维希尔伯特空间非简谐振子广义相干态
- 文科物理实验教学的探索被引量：1
- 2011年
- 对文科物理实验教学进行了一定的探索。根据文科学生的特点,制定出了课堂讲座、演示实验、动手操作三步走,循序渐进的教学方法。文科物理实验所开设的实验项目应该体现出简易性、实用性的特点。
- 赵普举
- 关键词：教学方法
- SiO_2干凝胶的制备与光致发光性能研究
- 2008年
- 目的为研究SiO_2干凝胶的光致发光性能,探讨其发光机理。方法通过溶胶-凝胶方法合成SiO_2干凝胶发光材料。用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)进行表征,测量其激发和发射光谱。结果SiO_2干凝胶网络结构中舍有能够产生结构缺陷的Si-OH和Si-OR基团。它的发射光谱包括峰值位于325 nm的紫外区发射和422 nm,442 nm,590 nm和656 nm的可见光区发射。结论SiO_2干凝胶的发射峰由sol-gel过程中形成的氧空位缺陷、硅悬键和非桥氧中心等缺陷引起。随着退火温度的升高,SiO_2网络结构不断完善,缺陷越来越少,发光强度降低。
- 李婷胡晓云张德恺赵普举
- 关键词：溶胶-凝胶法SIO2干凝胶光致发光
- 过渡金属掺杂单层二硫化钼和黑磷的理论研究
- 单层二硫化钥(MoS2)和黑磷(BP)都是重要的类石墨烯材料,可观的直接带隙使得它们在晶体管、光发射器件、催化、储氢等方面有广泛的应用前景。然而,基态单层MoS2和BP都是无磁性的,从而限制了它们在自旋电子器件方面的应用...
- 赵普举
- 关键词：二硫化钼密度泛函理论掺杂电子结构磁性
- 文献传递
- Li_2O-CuO-P_2O_5玻璃的电性能
- 2007年
- 本文采用一种新的成形工艺制备20Li2O-30CuO-50P2O5(摩尔比)玻璃,并在玻璃转变温度之上对样品进行了不同时间的热处理后测试了其电性能。结果发现,随热处理时间的延长电导率会出现峰值,且所有样品电导率与温度之间的关系都能很好地遵从Arrhenius关系,结合SEM、XPS和XRD分析,对这一现象作出了初步的解释。
- 李同伟万云赵普举龚江宏
- 关键词：电导率
- 密度泛函方法研究NbSi_n(n=1～6)团簇被引量：5
- 2005年
- 目的研究NbSin(n=1～6)团簇的几何构型及电子结构.方法采用密度泛函理论(DFT),在UB3LYP/LanL2DZ水平下用Gauss98程序对各构型进行几何优化和频率分析,同时考虑了电子的多重度.结果得到了一系列稳定的NbSin(n=1～6)团簇构型,并计算出了其键长(Nb-Si和Si-Si)、总能量、电子布居和分裂能.结论NbSin(n=1～6)团簇的立体结构比平面结构和直线结构更稳定;每一个n(n=1～6)值所对应最稳定结构中,Nb原子的电子Mulliken净布局和自然布局在Si原子数目小于3时为正值,其余为负值.
- 赵普举侯榆青郭平陈浩伟任兆玉
- 关键词：团簇分裂能
- NbSi<,n>（n=1～12）、LaSi<,n>（n=1～6）团簇稳定性和电子结构特性的研究
- 团簇的微观结构特点和奇异的物理化学性质为新材料的制造和发展开辟了又一条途径。对单组份硅团簇的研究表明：由于“悬挂键”的存在，纯硅团簇的稳定性比较差，而在其中掺入金属原子，可以提高硅团簇的稳定性、并能改善其性质，从而得到新...
- 赵普举
- 关键词：稀土金属密度泛函法
- 文献传递
- 密度泛函方法研究NiSin（n=1-6）团簇被引量：4
- 2005年
- 目的确定NiSin(n=1～6)团簇的稳定几何结构、Mulliken原子净布居、重叠布居、自然布居、自然电子组态、总能及分裂能,初步探讨Ni-Si成键机制.方法运用杂化密度泛函理论,在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上对NiSin(n=1～6)团簇进行计算.结果得到NiSin(n=1～6)团簇的一系列稳定几何结构,以及Mulliken原子净布居、重叠布居、自然布居、自然电子组态、总能及分裂能等.结论计算结果表明在稳定的NiSin(n=1～6)团簇中,电子从Ni向Si转移,并且Ni-Si重叠布局为正,增强团簇的稳定性,分裂能D(n,n-1)中D(2,1)最大,说明NiSi2是NiSin(n=1～6)中最稳定的团簇结构.
- 李锋侯榆青陈浩伟高继开赵普举任兆玉
- 关键词：密度泛函基态分裂能布居
- NbSi_n,NbSi_n^+,NbSi_n^-(n=1～6)团簇稳定性和电子结构特性的研究
- 2008年
- 目的研究NbSin,NbSin+以及NbSin-(n=1～6)团簇的稳定性和电子结构特性。方法基于从头算法框架下的密度泛函方法。结果对NbSin,NbSin+以及NbSin-(n=1～6)团簇的几何构型、总能量、分裂能、HOMO-LUMO能隙以及电子的自然布居和Mulliken布居进行了计算和分析。结论使NbSin(n=1～6)团簇失去一个电子或得到一个电子都会对其热力学稳定性和化学稳定性产生较大影响;在Nb和Si结合成键的过程中,Nb原子只在Si原子数较少时才失去电子,表现出金属性。在绝大多数团簇中,Nb原子的4d轨道都是接受电子的。
- 赵普举李婷郭平任兆玉
- 关键词：团簇分裂能
- 微分电路法测量脉冲大电流的实验研究被引量：2
- 2011年
- 作者用双通道数字示波器,通过分压法测得放电电容器两端电压信号变化曲线,进一步采用微分电路对该分压信号进行微分得到回路中大电流的变化曲线。通过理论推导对回路中大电流的变化曲线进行标定,获得脉冲大电流的数值。
- 马益平周引穗赵普举孔祥利郑茂盛
- 关键词：脉冲电流线圈电感铁心
