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谢侃

作品数：5 被引量：29H指数：2
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国发展研究基金福特-中国研究与发展基金更多>>
相关领域：理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇电子谱
  • 2篇氧化铈
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇X射线
  • 2篇X射线光电子...
  • 1篇电子组态
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇荧光谱
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇退火
  • 1篇汽车尾气
  • 1篇汽车尾气催化...
  • 1篇热力学
  • 1篇热力学平衡
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇尾气

机构

  • 5篇中国科学院
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇武汉工业大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 5篇刘振祥
  • 5篇谢侃
  • 1篇王燕斌
  • 1篇许怀哲
  • 1篇杜新华
  • 1篇陈培毅
  • 1篇韩一琴
  • 1篇王典芬
  • 1篇彭定敏
  • 1篇杜雪岩
  • 1篇褚武扬
  • 1篇朱美芳

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇材料研究学报

年份

  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1998
  • 1篇1997
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
用高温光电子谱研究SrTiO_3纳米微晶薄膜晶粒边界热力学平衡
2000年
用高温光电子谱和热重分析方法研究了SrTiO3 纳米微晶材料表面 .结果表明热力学平衡过程中各种离子在晶粒边界附近发生迁移和再分布以及晶格氧和气相氧间的相互转换 ,导致表面组分随着温度发生非常明显的变化 .温度上升时体内的晶格氧离子向晶粒表面迁移 ,同时导致钛离子也向晶粒表面迁移并与表面的氧离子形成Ti O团 .温度下降时则发生相反过程 ,但后一过程比前一过程慢得多 .提出一个初步的模型解释这一过程 .
刘振祥谢侃
关键词：钛酸锶
镶嵌在氧化硅薄膜中纳米晶硅的可见光荧光谱与发光机制的研究被引量：23
1997年
采用对非晶氧化硅薄膜退火处理方法，获得纳米晶硅与氧化硅的镶嵌结构．室温下观察到峰位为２４０ｅＶ光致发光．系统地研究了不同退火温度对薄膜的Ｒａｍａｎ谱、光荧光谱及光电子谱的影响．结果表明，荧光谱可分成两个不随温度变化的峰位为１８６和２３０ｅＶ的发光带．Ｓｉ２ｐ能级光电子谱表明与发光强度一样Ｓｉ４＋强度随退火温度增加而增加．Ｓｉ平均晶粒大小为４１—８０ｎｍ，不能用量子限制模型解释蓝绿光的发射．
朱美芳陈国许怀哲韩一琴谢侃刘振祥唐勇陈培毅
关键词：荧光谱可见光氧化硅发光性
用X射线光电子谱研究Pt和CeO_2间的相互作用被引量：4
2001年
用X射线光电子谱研究了CeO2 和Pt间的相互作用 ,探讨了通过相互作用能提高CeO2 的氧化还原反应活性的机理 ,并与通常的金属和载体强相互作用的机理进行了比较。对高结合能端O 1s峰和表面O-离子的产生过程进行了讨论。
刘振祥谢侃
关键词：氧化铈X射线光电子谱CEO2PT汽车尾气催化剂相互作用
CeO_2薄膜的制备和表征被引量：1
1998年
探讨了用硝酸亚铈通过溶胶-凝胶法制备CeO2薄膜的制备工艺。用X射线衍射和扫描电子显微镜分析了薄膜的显微形貌及其晶体结构，借助X射线光电子能谱研究了薄膜表面元素Ce的化学态。结果表明。
彭定敏杜雪岩刘振祥王典芬谢侃
关键词：溶胶-凝胶法X射线光电子谱
退火对氧敏CeO_(2-x)薄膜结构及电子组态的影响被引量：1
1998年
用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜．用Ce3d的XPS谱计算了Ce3＋浓度．研究了退火条件对氧敏CeO2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响XRD和AFM分析表明，薄膜经973K至1373K退火后，形成了CaF2型结构的CeO2-x，其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚．退火温度在973K至1173K时，（200）晶面是择优取向的，在1373K退火4h后，可得到热力学稳定的CeO2－x，在退火前后薄膜表面存在少量Ce3＋．
杜新华刘振祥谢侃王燕斌褚武扬
关键词：二氧化铈晶体结构退火电子组态
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