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袁志刚

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院合肥物质科学研究院更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 4篇基底温度
  • 4篇氩
  • 2篇氮化
  • 2篇阳极氧化法
  • 2篇氧化铝模板
  • 2篇真空室
  • 2篇致密
  • 2篇膜材料
  • 2篇晶粒
  • 2篇晶粒尺寸
  • 2篇溅射
  • 2篇固溶
  • 2篇复合薄膜材料
  • 2篇超硬
  • 2篇尺寸
  • 1篇电沉积
  • 1篇电极
  • 1篇多孔
  • 1篇多孔氧化铝
  • 1篇多孔氧化铝模...

机构

  • 6篇中国科学院合...

作者

  • 6篇袁志刚
  • 4篇杨俊峰
  • 4篇程帜军
  • 4篇王先平
  • 4篇方前锋
  • 2篇王伟国
  • 2篇刘庆
  • 2篇张俊喜
  • 2篇孙利
  • 2篇张立德
  • 1篇刘思思
  • 1篇黄竹林
  • 1篇田越
  • 1篇许伟
  • 1篇陈永洲

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
硫化钨与氮化钨复合薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种硫化钨与氮化钨复合薄膜材料及其制备方法。材料包括基底及其上的薄膜，薄膜为化学式为WS<Sub>2-2x</Sub>N<Sub>x</Sub>的复合薄膜，化学式WS<Sub>2-2x</Sub>N<Sub>...
袁志刚方前锋杨俊峰程帜军王先平
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氮化钨基三元纳米复合超硬薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种氮化钨基三元纳米复合超硬薄膜材料及其制备方法。材料为基底上覆有化学式为W<Sub>x</Sub>M<Sub>1-x</Sub>N的纳米复合超硬薄膜，化学式中的W为金属钨、M为金属置换物、N为氮、x的取值范...
杨俊峰刘庆袁志刚王伟国程帜军王先平方前锋
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银纳米线阵列电极及其制备方法和用途
本发明公开了一种银纳米线阵列电极及其制备方法和用途。电极为构成阵列的银纳米线的直径为50～70nm、线长为250～350nm，阵列底部依次为130～170nm的银膜和0.5～1mm的铜膜；方法为先对铝片使用二次阳极氧化法...
孙利许伟张立德黄竹林袁志刚张俊喜刘思思
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修饰有壳聚糖的铁纳米线及其制备方法和用途
本发明公开了一种修饰有壳聚糖的铁纳米线及其制备方法和用途。铁纳米线为其外修饰有壳聚糖且位于多孔氧化铝模板的孔中，其与孔壁之间有1～5nm的空隙，铁纳米线是沿(110)方向生长的，其线直径为50～55nm、线长为380～4...
孙利袁志刚张立德田越陈永洲张俊喜
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硫化钨与氮化钨复合薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种硫化钨与氮化钨复合薄膜材料及其制备方法。材料包括基底及其上的薄膜，薄膜为化学式为WS<Sub>2-2x</Sub>N<Sub>x</Sub>的复合薄膜，化学式WS<Sub>2-2x</Sub>N<Sub>...
袁志刚方前锋杨俊峰程帜军王先平
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氮化钨基三元纳米复合超硬薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种氮化钨基三元纳米复合超硬薄膜材料及其制备方法。材料为基底上覆有化学式为W<Sub>x</Sub>M<Sub>1－x</Sub>N的纳米复合超硬薄膜，化学式中的W为金属钨、M为金属置换物、N为氮、x的取值范...
杨俊峰刘庆袁志刚王伟国程帜军王先平方前锋
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