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石浩

作品数：15 被引量：3H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 8篇压控
  • 8篇压控振荡器
  • 8篇振荡器
  • 5篇有源
  • 5篇有源器件
  • 4篇噪声
  • 4篇增益
  • 4篇增益波动
  • 4篇离子注入
  • 3篇电导
  • 3篇电路
  • 3篇相位
  • 3篇相位噪声
  • 2篇电路网络
  • 2篇电容耦合
  • 2篇电压
  • 2篇电压变换
  • 2篇电压范围
  • 2篇动力学
  • 2篇涨落

机构

  • 15篇北京大学

作者

  • 15篇石浩
  • 13篇黄如
  • 12篇张兴
  • 9篇张国艳
  • 9篇廖怀林
  • 8篇王阳元
  • 4篇施小康
  • 2篇刘军华
  • 2篇于民
  • 2篇于民
  • 1篇王凝华
  • 1篇延涛

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇北京大学学报...

年份

  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 7篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2002
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于剂量效应模拟的新型分子动力学统计噪声改进算法(英文)
2004年
提出了一种用于分子动力学 (MD)模拟晶体靶材料中离子注入的加速算法。READE(包含剂量效应的稀有事件算法 )方法可以很好的加速含剂量效应的离子注入的分子动力学模拟。在保证高精度和剂量效应的同时 ,模拟的时间大幅度减小。同时 ,在模拟中许多导致统计噪声的细节在READE中被考虑进来 。
施小康石浩于民黄如张兴
关键词：离子注入分子动力学模拟
可减小增益波动的压控振荡器
本发明公开了一种可减小增益波动的压控振荡器，包括LC谐振回路、用于提供负电导的有源器件，该压控振荡器的电压控制端接电压变换的电路。本发明通过使用电压变换电路，使实际能够控制压控振荡器的电压范围可变，从而使实际的调频范围可...
石浩张国艳廖怀林黄如张兴王阳元
文献传递
实现射频压控振荡器频率粗调的装置
本发明公开了一种实现射频压控振荡器频率粗调的装置，包括LC谐振回路和用于提供负电导的有源器件，所述LC谐振回路中的电容为三端变容管，该三端变容管的两控制端分别接不同的控制电路。本发明与数字开关电容压控振荡器相比，本发明仅...
石浩张国艳廖怀林延涛王凝华黄如张兴王阳元
文献传递
可减小增益波动的压控振荡器
本发明公开了一种可减小增益波动的压控振荡器，包括LC谐振回路和用于提供负电导的有源器件，所述LC谐振回路的电容为变容管电容和耦合电容串联，再与数字控制的开关电容并联而成，所述耦合电容也为数字控制的开关电容。本发明使用数字...
石浩张国艳廖怀林黄如张兴王阳元
文献传递
调制器的调制方法
本发明提供一种SIGMA－DELTA调制器的调制方法，属于模—数转换和小数分频频率综合器的应用领域。该方法与现有技术不同在于，将SIGMA－DELTA调制器的输出信号通过反馈电路反馈回SIGMA－DELTA调制器中。本发...
刘军华石浩张国艳廖怀林黄如张兴
文献传递
一种补偿宽频带小数N频率合成器中Sigma-Delta整形噪声的新方法(英文)被引量：1
2006年
提出了一种部分补偿SigmaDelta调制器整形噪声的新方案.通过在鉴频鉴相器中的延迟时段向无源滤波器中注入补偿电流,最大可实现16dB的噪声补偿.与其他补偿方案相比,文中提出的方案相对简单和易于实现.特别设计了可变延迟的鉴频鉴相器和补偿电流源,并给出了行为级和电路级的仿真结果.
石浩刘军华张国艳廖怀林黄如王阳元
关键词：电荷泵频率合成器噪声补偿鉴频鉴相器SIGMA
低噪声宽带∑Δ小数频率合成器与新型宽频带、多频带压控振荡器的设计和模拟研究
∑△小数频率合成器是射频集成电路中的关键模块之一。近年来射频通讯技术迅速发展，对电路性能的指标要求更加趋于严格。∑△小数频率合成器在噪声和带宽两方面的设计矛盾因此而变得更加突出。本文的主要工作之一即是为同时实现∑△小数频...
石浩
关键词：频率合成器压控振荡器低噪声多频带
宽频带的压控振荡器
本发明公开了一种宽频带的压控振荡器，包括LC谐振回路和用于提供负电导的电路，所述负电导电路的电流可调。本发明采用可变负电导的电路结构。该电路通过开关控制多个负电导有源电路网络的连接或断开，从而改变压控振荡器总的等效负电导...
石浩张国艳廖怀林黄如张兴王阳元
文献传递
离子注入涨落的模拟方法
本发明提供一种离子注入涨落的模拟方法，该方法根据离子注入模拟方法获得N次离子注入后，注入离子在靶材料中的最终三维位置，然后在垂直于靶材料表面的方向进行栅格划分，获取单次离子注入后在每个栅格内的停留离子的数目以及N次离子注...
施小康于民石浩黄如张兴
文献传递
离子注入涨落的模拟方法
本发明提供一种离子注入涨落的模拟方法，该方法根据离子注入模拟方法获得N次离子注入后，注入离子在靶材料中的最终三维位置，然后在垂直于靶材料表面的方向进行栅格划分，获取单次离子注入后在每个栅格内的停留离子的数目以及N次离子注...
施小康于民石浩黄如张兴
文献传递
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