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王钊

作品数：39 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信医药卫生轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇专利
  • 4篇学位论文

领域

  • 12篇自动化与计算...
  • 11篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 7篇低辐射
  • 7篇总剂量
  • 7篇总剂量辐射
  • 7篇漏电
  • 6篇手术
  • 6篇光谱
  • 5篇元胞
  • 5篇图像
  • 4篇相干
  • 4篇漏电现象
  • 4篇金属
  • 4篇机器人
  • 4篇成像
  • 3篇导电类型
  • 3篇导航
  • 3篇电力
  • 3篇电力电子
  • 3篇手术定位
  • 3篇高压LDMO...
  • 3篇病灶

机构

  • 39篇电子科技大学
  • 2篇哈尔滨医科大...
  • 1篇北京协和医院

作者

  • 39篇王钊
  • 14篇张波
  • 12篇乔明
  • 12篇周锌
  • 5篇许川
  • 3篇李超
  • 2篇于波
  • 2篇王卓
  • 2篇周琦
  • 1篇胡剑浩
  • 1篇刘玉
  • 1篇熊兴中

年份

  • 10篇2024
  • 10篇2023
  • 7篇2022
  • 6篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2011
  • 2篇2010
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低辐射漏电高压LDMOS器件结构
本发明提供一种低辐射漏电高压LDMOS器件结构，该器件包括AB、AC两个不同截面结构。相比传统高压LDMOS器件结构，本发明在器件元胞区和非元胞区交界处的两侧，即AB和AC截面，在非元胞区域增加第一导电类型顶层结构，并与...
周锌吴中华王钊陈浪涛乔明张波
一种包含OCT成像功能的消融穿刺针
本发明公开了一种包含OCT成像功能的消融穿刺针，属于涉及医疗设备技术领域。包括OCT成像系统、激光消融系统、穿刺针以及穿刺针驱动组件；穿刺针套管内设有内、外两层金属套管，两个具有斜切面的渐变折射率透镜分别设置在内层金属套...
王钊颜晨露翟雨轩吴松芷许川
低辐射漏电高压Double RESURF LDMOS器件
本发明提供一种低辐射漏电高压Double RESURF LDMOS器件结构，该器件包括AB、AC和AD三个不同截面结构。相比传统高压Double RESURF LDMOS器件结构，本发明在器件元胞区和非元胞区交界处的两侧...
周锌王钊陈星江耿立明王卓乔明张波
文献传递
一种基于人工智能的斑块侵蚀自动检测系统
本发明公开了一种基于人工智能的斑块侵蚀自动检测系统，主要包括基于形状编码的卷积神经网络Mask RCNN‑CK检测模型和基于领域知识的后处理算法模块两部分，基于形状编码的卷积神经网络Mask RCNN‑CK检测模型包括三...
王钊孙皓月
一种多槽GaN HEMT结构
本发明提供一种多槽GaN HEMT结构，包括：P‑Si衬底、AlN过渡层、GaN Buffer层、GaN Channel层、AlGaN势垒层、p‑GaN层、栅源侧钝化层、栅漏侧钝化层、第一AlN槽、第二AlN槽、源极金属...
周锌姜清辰王钊彭正源乔明张波
一种提高频域相干断层成像深度的方法
本发明公开了一种提高频域相干断层成像深度的方法，该方法通过构建若干个不同参考臂位置对应的不同零延迟平面深度的样本库，训练一个对抗神经网络，从一个零延时平面深度对应的输入光谱生成所有零延迟平面深度对应的光谱干涉信号，并进行...
王钊鲁芳何冲陈彦汐
文献传递
IDMA系统同步技术研究
IDMA是一种新兴的无线接入技术,其具有独特的优势。已成为第四代移动通信/(4G/)的热门候选标准之一,近年来成为研究热点。 在IDMA技术的各项研究当中,上行同步技术为研究难点之一。本文由此出发,对IDMA...
王钊
关键词：IDMAPN码
文献传递
某家具制造企业敏捷商务智能系统设计与实现
我国80%的家具制造企业都是中小型企业,商务智能的应用尚处于初级阶段,而且在BI方面的投入预算相对有限,继续采用传统商务智能厂商所提供的解决方案已经不合时宜[1]。此时商务智能在国际上正在经历技术变革,使用上可分为传统B...
王钊
关键词：敏捷商务智能
文献传递
一种端到端眼科手术定位导航方法及设备
本发明涉及医疗图像处理领域，尤其涉及一种端到端眼科手术定位导航方法及设备。先采用编解码网络提取出眼球特征，根据眼球特征构建的多类分割层进行语义分割，以确定出眼球的中心位置，以此构建极坐标采样器，使实时采集的术中图像直接投...
王钊翟雨轩纪淳升王雅琦张炜
降低单粒子效应的沟槽型IGBT的抗辐射加固结构
本发明提供一种降低单粒子效应的沟槽型IGBT的抗辐射加固结构，在发射极N型重掺杂区域的下方添加薄层氧化层，阻碍电流路径，降低反馈电流，同时降低发射极端电场，抑制闩锁效应的发生，进而解决重粒子辐照后沟槽型IGBT容易发生S...
周锌陈辰疏鹏王钊乔明张波
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