您的位置: 专家智库 > >

王红义

作品数:16 被引量:122H指数:8
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇电路
  • 5篇带隙基准
  • 5篇变换器
  • 5篇DC-DC
  • 4篇斜坡补偿
  • 4篇基准电路
  • 4篇DC
  • 3篇带隙基准电路
  • 3篇电流模
  • 3篇电压基准
  • 3篇曲率校正
  • 3篇温度系数
  • 3篇可测性
  • 3篇DC-DC变...
  • 3篇DC-DC变...
  • 2篇电流模控制
  • 2篇电压
  • 2篇振铃
  • 2篇频率补偿
  • 2篇可测性设计

机构

  • 16篇西安电子科技...
  • 1篇杭州电子科技...

作者

  • 16篇王红义
  • 13篇来新泉
  • 6篇李玉山
  • 4篇袁冰
  • 4篇叶强
  • 4篇陈富吉
  • 3篇王松林
  • 3篇贾新章
  • 3篇李演明
  • 1篇张亚君
  • 1篇盛庆华
  • 1篇李先锐
  • 1篇王兴君
  • 1篇孙作治
  • 1篇贾云斌
  • 1篇张乔珍

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇微电子学与计...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇电子学报
  • 1篇电子质量
  • 1篇电气电子教学...
  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于PVTL变化的集成电流模DC-DC变换器稳定性研究
集成DC-DC变换器的高效率、低成本、小体积使得其应用前景非常广阔,但工艺/(P/)、电压/(V/)、温度/(T/)、负载/(L/)的变化都严重影响性能的进一步提高,且影响机理复杂多样,本文着力于研究PVTL变化情况下D...
王红义
关键词:DC-DC变换器斜坡补偿曲率校正
文献传递
一款基于BiCMOS工艺的高PSRR带隙基准电路被引量:2
2005年
 电压基准电路是目前广泛应用于直流电源变换器和数模/模数转换器件设计的一种电路单元。本文从基本工作原理出发,结合实际应用与理论推导,给出一款基于BiCMOS工艺的精确、高PSRR的带隙基准电路的设计。
王松林贾云斌来新泉王红义
关键词:BICMOS工艺基准电路带隙电压基准
片内频率补偿实现电流模DC-DC高稳定性被引量:16
2008年
提出了一种适用于电流模DC-DC的片内频率补偿结构,针对其采用低有效串联电阻陶瓷输出电容的特点,通过片内集成的阻容网络完成环路的频率补偿,克服了稳定性对输出负载的依赖,减少了芯片引脚,节省了印制板面积,实现了芯片的高稳定性.同时通过优化反馈网络设计,实现了交越频率不随输出电压变化,进一步改进了阶跃响应.该结构在一款0.5μm CMOS工艺的降压型DC-DC中进行了投片验证,测试结果显示了良好的稳定性,负载调整率以及线性调整率均小于0.4%,400 mA负载阶跃对应输出电压的响应时间小于8μs,同时应用印制板面积减小了14%.
袁冰来新泉贾新章叶强王红义
关键词:DC-DC变换器电流模控制稳定性
用于晶元及封装测试的DC-DC内建可测性设计被引量:3
2008年
针对单片DC-DC变换器进行了内建可测性设计。通过控制外围引脚使芯片进入一种特殊的测试状态,利用引脚复用技术,实现对基准电压、振荡频率、导通电阻等多种特性指标的测量。该方法无须外围专用控制结构配合,对于晶元以及封装后的芯片测试全部适用,降低了编程的复杂程度,提高了测试效率。应用于一款TSOT封装的高效电流模同步整流型降压DC-DC变换器中。测试结果表明,内建可测性设计对芯片的正常工作没有任何影响,测试精度满足DC-DC设计要求。
袁冰来新泉李演明叶强王红义
关键词:封装测试
CMOS电压基准的设计原理被引量:25
2003年
 电压基准是集成电路一个重要的构成单元。结合多年设计经验,介绍了五类CMOS电压基准的设计原理、理论推导、参考电路、特点和主要性能指标,给出了主要参数的计算公式。最后,对各种CMOS电压基准的性能进行了比较。
王红义王松林来新泉孙作治
关键词:CMOS电压基准集成电路设计原理性能指标
一种线性补偿的带隙基准电路被引量:13
2007年
文章提出一种分段线性补偿的带隙基准,可以大幅减小带隙基准的温度系数。在-40~120℃范围内,仅两级补偿就可以将某工艺条件下一种传统带隙基准的温度系数从15ppm/℃减小到2ppm/℃。如果增加补偿级数,温度系数还可以进一步减小。该补偿方法修正过程简单,并且具有通用性,不受具体工艺参数的限制。
盛庆华张亚君王红义
关键词:曲率补偿带隙电压基准温度系数
离散系统差分方程的求解问题被引量:1
2004年
讨论了差分方程经典解法的有关问题。对于可以用差分方程 y(k) + an- 1 y(k -1) + an- 2 y(k -2 ) +… + a0 y(k -n) =f (k) (f (k)为因果信号 )描述的离散因果系统直接用初始状态 (即 y(-1) ,y(-2 ) ,… ,y(-n) )来确定完全响应中齐次解的待定常数 ,而不必导出初始值(即 y(0 ) ,y(1) ,… ,y(n-1) )
王松林王红义王兴君
关键词:差分方程《信号与系统》
采用二次曲线校正的CMOS带隙基准被引量:7
2007年
利用MOS管饱和电流对于“过驱动电压”的平方关系,提出一种新颖的电压差平方电路,产生相对于温度差的二次项补偿量,对典型的CMOS带隙基准进行曲率校正,获得更小的温度系数.基于某标准0.5μm CMOS工艺,在-40-120℃范围内,该方法将传统带隙基准的温度系数从21.4×10^-6/℃减小到4.5×10^-6/℃,电路的输入电压可以低至1.8 V,工作电流12μA,输出基准电压可在0-1.2 V之间任意设置.该方法可在任何CMOS工艺或BiCMOS工艺中实现,具有很强的通用性.
王红义来新泉李玉山陈富吉
关键词:带隙基准温度系数曲率校正
电流模降压DC-DC内部补偿研究被引量:5
2008年
利用片内补偿实现了一款单片电流模降压型DC-DC变换器。设计的分段线性斜坡补偿电路大大缓解了传统线性方法的过补偿问题,提高了系统响应速度。集成的RC频率补偿结构克服了稳定性对输出负载以及陶瓷输出电容ESR的依赖,简化了设计,节省了PCB面积。芯片基于标准0.5μm CMOS工艺实现,内部补偿实现了良好的环路稳定性,负载调整率以及线性调整率均小于0.4%,400 mA负载阶跃对应输出电压的响应时间小于8μs。同步整流技术使得效率高达94%。
袁冰来新泉贾新章叶强王红义
关键词:电流模控制斜坡补偿频率补偿
一种DC-DC芯片内建可测性设计被引量:8
2005年
DCDC芯片设计中有许多内部参数需要检测和控制,有限的引脚数目使得直接测试内部参数比较困难.文中提出一种通用性很强的内建可测性设计方法,在芯片内部设计时只需要增加规模较小的测试电路,就可以在芯片外引脚上测量芯片内部众多的参数.
王红义来新泉李玉山陈富吉
关键词:电源管理可测性设计
共2页<12>
聚类工具0