王海方
- 作品数：8 被引量：43H指数：5
- 供职机构：上海理工大学光电信息与计算机工程学院更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家高技术研究发展计划上海市科委科技攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学机械工程更多>>
- 二氧化钒纳米点阵红外光学特性研究被引量：4
- 2010年
- 针对二氧化钒纳米点阵从半导体到金属的可逆相变,考虑到点阵中各个点之间散射光的交互作用,基于VO2在不同温度和波长下的折射率和消光系数,以及小颗粒的吸收和散射特性,建立了VO2纳米颗粒的数学模型,研究了VO2纳米颗粒的相变光学特性.结果表明,随着波长变化,吸收截面相对散射截面占主导,金属相在980nm附近出现吸收峰值;随着温度变化,可见光区域的消光系数变化较小,而红外区域较大,其中在近红外区域的消光系数变化最大.在纳米点阵中,消光截面随着颗粒间距变化,当颗粒间距增大时,消光峰值出现红移,且峰值大小也会随之增大;当间距超过一定数值后,峰值反而会逐渐减小.采用多孔氧化铝掩模的方法,通过磁控反应溅射制备VO2纳米点阵,测试结果表明其透过率比薄膜的透过率高.
- 俞晓静李毅王海方黄毅泽张虎张伟朱慧群
- 关键词：二氧化钒散射截面吸收截面
- 脉冲激光沉积法制备二氧化钒薄膜的研究进展被引量：9
- 2009年
- 主要阐述了脉冲激光沉积(PLD)技术在制备金属氧化物方面的物理过程和技术特点,详细介绍了脉冲激光沉积制备二氧化钒(VO2)薄膜的工艺参数和国内外研究进展,并与几种常规制备方法进行了对比,给出了脉冲激光沉积掺杂对VO2薄膜特性的影响,以及脉冲激光沉积制备VO2纳米材料,讨论了脉冲激光沉积制备VO2薄膜存在的问题和发展方向。
- 王海方李毅蒋群杰俞晓静胡双双武斌张虎黄毅泽张伟
- 关键词：VO2薄膜脉冲激光沉积掺杂
- 非制冷980nm半导体激光器封装设计与热特性分析被引量：6
- 2009年
- 针对非制冷980 nm半导体激光器组件的封装结构,对采用倒装贴片封装的激光器模块内部芯片外延层、热沉和焊料层进行了优化设计,运用有限元法(FEM)对微型双列直插(mini DIL)非制冷980 nm半导体激光器在连续波(CW)驱动条件下的热场分布进行了模拟计算。对比了倒装贴片和正装贴片的激光器热特性,并对实际封装的激光器光电性能进行了测试。倒装贴片型非制冷980 nm半导体激光器的输出光谱在0～70℃时中心波长漂移仅为0.2 nm,半峰全宽(FWHM)小于1.6 nm.边模抑制比(SMSR)保持在45 dB以上,最大出纤功率达200 mW。研究结果表明,倒装贴片的非制冷980 nm半导体激光器在热稳定性和光电性能方面都有较大提高,能够满足高性能小型化掺铒光纤放大器对非制冷980 nm半导体激光器的性能要求。
- 武斌李毅胡双双蒋群杰王海方
- 关键词：激光器热特性有限元
- 脉冲激光沉积法制备VO_2热致变色薄膜研究进展被引量：4
- 2009年
- 基于半导体和金属间的相变特性,伴随着温度、电场、压力的变化,具有相关智能特性的VO2薄膜材料具有较大的应用潜力。本文主要阐述脉冲激光沉积技术在制备金属氧化物方面的物理过程和技术特点,详细介绍脉冲激光沉积制备VO2薄膜材料的工艺参数和国内外研究进展,并与几种常规制备方法进行对比,给出脉冲激光沉积掺杂对VO2薄膜材料特性的影响,以及采用脉冲激光沉积制备VO2纳米材料,讨论了脉冲激光沉积制备具有智能特性的VO2薄膜材料存在的问题和发展方向。
- 李毅王海方俞晓静黄毅泽张虎张伟朱慧群
- 关键词：脉冲激光沉积VO2掺杂
- 二氧化钒薄膜的变温红外光学特性研究被引量：13
- 2010年
- 基于二氧化钒在约68℃出现的半导体到金属的可逆相变,伴随有电学和光学特性的改变。因为相变机制的复杂性,很难从理论上推导出相变前后光学常数随波长和温度变化的解析表达式。研究了二氧化钒薄膜的折射率和消光系数的色散规律,借助于Sellmeier色散模型通过数值拟合,得出了二氧化钒变温的光学常数色散表达式。通过薄膜矩阵理论计算,获得了在不同温度和波长条件下的薄膜光学透射率和反射率。采用磁控溅射方法分别在玻璃、蓝宝石和二氧化硅衬底上制备了不同厚度的二氧化钒薄膜,测量了这些薄膜的光学透射率和反射率,结果表明,实验曲线与计算模拟曲线符合得很好。
- 王海方李毅俞晓静朱慧群黄毅泽张虎张伟周晟
- 关键词：薄膜光学二氧化钒光学常数红外特性
- 双光纤光栅外腔半导体激光器相干失效研究被引量：1
- 2012年
- 根据双光纤Bragg光栅（FBG）外腔半导体激光器相干失效的物理过程,运用速率方程和双FBG耦合模理论,分析了双FBG外腔半导体激光器相干失效产生和控制的条件,提出了实现和控制双FBG外腔半导体激光器相干失效多模稳定工作的方法.双FBG外腔半导体激光器在相干失效下具有多模的稳定工作状态,相干失效长度缩短,相干失效长度内光谱稳定.实验测量结果表明,外腔反射率为3%时,从非相干失效状态到相干失效状态,半峰值全宽度从0.5 nm突然展宽到0.9 nm.在相干失效状态下,功率稳定,边模抑制比大于45 dB,在0℃~C一70℃工作温度范围内峰值波长漂移小于0.5 nm,最小相干失效长度小于0.5 m.双FBG外腔半导体激光器相干失效的应用对提高光纤放大器和光纤激光器的性能具有重要意义.
- 黄毅泽李毅王海方俞晓静张虎张伟朱慧群孙若曦周晟张宇明
- 关键词：非线性半导体激光器
- 热致变色纳米节能薄膜红外光学特性被引量：7
- 2010年
- 采用室温溅射沉积和空气热氧化方法低成本地制备出纳米结构热致变色节能薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪和红外光谱分析仪等对其特性进行测试分析,研究了热氧化退火与VO2薄膜的微结构和热致红外开关特性的内在关系,找出了直接影响薄膜的晶粒尺寸、晶格结构、组分、热滞回线和红外透射比等的主要因素及其控制方法,获得了最佳工艺参数并在玻璃上制备出高能效的纳米VO2热致变色节能薄膜。根据X射线衍射谱和拉曼光谱结果,利用相关公式计算得到VO2的平均晶粒大小约为45 nm。薄膜在2.5μm波长处相变前后红外透射比差量超过50%,相变温度为39℃,可见光透射比约达53%,显示了很好的热致变色性能。
- 朱慧群李毅王海方俞晓静周晟黄毅泽张虎张伟孙若曦张宇明
- 关键词：热致变色磁控溅射
- 980nm半导体激光器双布拉格光纤光栅波长锁定器被引量：8
- 2010年
- 提出了优化由两个均匀布拉格光纤光栅组成的980nm半导体激光器波长锁定器的方法以满足光纤放大器对半导体激光器的性能要求。运用耦合模理论推导了双布拉格光纤光栅(FBG)的透射率和反射率的解析表达式和波长锁定器增益方程。研究了两光栅之间的距离、光栅到激光器前端面的距离、光栅折射率、光栅折射率周期、光栅栅长和温度对激光器增益曲线的影响,并通过优化这些参数来达到最佳的锁模性能。测量了带双FBG波长锁定器的非致冷半导体激光器的输出光谱和出纤功率。实验结果表明:高功率非致冷980nm半导体激光器在0～70℃时的波长漂移为0.5nm,边模抑制比达45dB以上,半峰值全宽度<1nm。经优化设计的980nm半导体激光器FBG波长锁定器可满足光纤放大器对非致冷半导体激光器大功率、长寿命、高可靠性、小尺寸等性能的要求。
- 李毅黄毅泽王海方俞晓静张虎张伟朱慧群
- 关键词：波长锁定器边模抑制比
