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王宗伟

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇原状
  • 2篇圆片
  • 2篇晶圆
  • 2篇晶圆片
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇ALN
  • 2篇GEOI
  • 1篇导体
  • 1篇元素半导体
  • 1篇半导体

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇王宗伟
  • 2篇田茂源
  • 2篇郑若川
  • 2篇戴显英
  • 2篇张鹤鸣
  • 2篇郝跃
  • 2篇朱正国
  • 2篇李金龙
  • 2篇郭静静

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘...
戴显英郑若川郭静静王宗伟朱正国李金龙田茂源郝跃张鹤鸣
基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法
本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘...
戴显英郑若川郭静静王宗伟朱正国李金龙田茂源郝跃张鹤鸣
文献传递
应变Ge价带结构的E(k)~k关系研究
Ge及应变Ge半导体的电子迁移率和空穴迁移率都比应变Si高，且与Si工艺兼容，是22纳米及以下工艺Si基CMOS的最佳沟道材料，在高速/高性能器件和集成电路中有极大的应用前景，在未来半导体行业中的发展起着举足轻重的作用。...
王宗伟
关键词：元素半导体
文献传递
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