王凤娟
- 作品数：10 被引量：33H指数：4
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于人工神经网络的反馈式神经元数优化方法被引量：1
- 2013年
- 针对纳米级Cu薄膜电阻率,基于BP神经网络模型,本文提出了一种反馈式神经网络优化方法,利用蒙特卡洛分析方法对隐含层神经元数进行了优化,并基于随机样本集进行网络训练,建立了反馈式BP神经网络的电阻率预测模型。通过100组学习样本训练后的神经网络模型,与50组测试样本进行测试,结果表明,所提方法能够实现电学参数值与金属Cu电阻率较好的非线性映射,预测结果与Marom模型相比较,最大误差不超过4%,并且训练范围外的预测结果与测试样本吻合较好,验证了该方法的精度和泛化能力,为超薄金属互连电阻率模型估算提供了重要参考。
- 王宁董刚杨银堂陈斌李小菲张岩王凤娟
- 关键词：神经网络泛化能力
- 三维单芯片多处理器温度特性被引量：1
- 2012年
- 给出热阻矩阵的表达式,研究三维单芯片多处理器(3D CMP,three-dimensional chip-multiprocessor)的温度特性,通过Matlab分析热容、热阻和功耗对温度的影响.结果表明:减小热阻和功耗可以有效约束3D CMP的稳态温度;热容增大可以导致3D CMP温度上升时间变长,但不影响其最终稳态温度.
- 王凤娟杨银堂朱樟明王宁张岩
- 关键词：单芯片多处理器温度
- 考虑通孔和边缘效应的互连网络热电分析被引量：1
- 2012年
- 考虑互连通孔和边缘效应,建立互连层间、层内、通孔热阻模型,利用热电二元性,提出一种考虑温度效应对热流影响的热电耦合仿真方法,利用热电之间的反馈关系,修正建模后的温度分布对节点网络热流的影响.并对以聚合物和硅氧化物为介质的多层互连进行分析,以有限元建模结果为参照,与已有模型相比,互连热分布结果的相对标准差分别降低了71.2%、12.9%.考虑通孔效应和边缘效应后,该方法在不同纳米级工艺中所得峰值温升,较已有模型均有一定程度的降低.
- 王宁董刚杨银堂王增王凤娟丁灿
- 关键词：热阻温度分布
- 基于硅通孔(TSV)的三维集成电路(3DIC)关键特性分析
- 过去的几十年里,微电子器件尺寸按照摩尔定律持续减小,电子产品性能得到空前提高。但是在半导体制作工艺尺寸缩小到深亚微米量级后,工艺技术逐渐达到物理极限,量子效应、短沟道效应等小尺寸效应越来越凸显,成为摩尔定律继续发展的瓶颈...
- 王凤娟
- 关键词：三维集成电路热应力
- 文献传递
- 考虑硅通孔的三维集成电路最高层温度模型被引量：5
- 2012年
- 针对三维集成电路最高层芯片,引入硅通孔面积比例因子r,提出了考虑硅通孔的温度解析模型.Matlab分析表明,在芯片堆叠层数及芯片工作状态相同的情况下,考虑硅通孔之后的芯片温度比未考虑硅通孔时要低;r越大,芯片温度越低;当芯片堆叠层数较多且r较小时,温度随着r的减小急剧上升;对于8层的三维集成电路,硅通孔面积比例因子的最佳范围为0.5%～1%.
- 王凤娟朱樟明杨银堂王宁
- 关键词：三维集成电路温度模型热管理
- 基于图像跟踪的无人机定位方法研究
- 图像导航是通过对机载传感器获得的图像进行分析和处理来获得导航定位参数的一种技术。信息丰富、成本低廉、完全自主等优越性使得图像导航已成为目前国内外导航技术的研究焦点。
本文在了解了各种常用导航方法的基础上，对无人...
- 王凤娟
- 关键词：无人机图像导航图像跟踪
- 文献传递
- 基于转接板的高可靠性Chiplet封装结构
- 本发明公开了一种基于转接板的高可靠性Chiplet封装结构，包括：封装基板；转接板，位于封装基板的一侧，封装基板与转接板之间设置有第一焊球，第一焊球阵列排布于封装基板与转接板之间；多个裸芯片，位于转接板背离封装基板的一侧...
- 尹湘坤李想王凤娟朱樟明
- 考虑晶粒尺寸效应的超薄(10-50 nm)Cu电阻率模型研究被引量：4
- 2012年
- 结合Marom模型与实验数据,给出了晶粒尺寸与金属薄膜厚度的关系式.基于已有的理论模型,针对厚度为10-50 nm Cu薄膜,考虑到表面散射与晶界散射以及电阻率晶粒尺寸效应,提出一种简化电阻率解析模型.结果表明,在10-20 nm薄膜厚度范围内,考虑晶粒尺寸效应后的简化模型与现有实验数据符合得更好.相对于Lim,Wang与Marom模型,所提模型的相对标准差分别降低74.24%,54.85%,78.29%.
- 王宁董刚杨银堂陈斌王凤娟张岩
- 关键词：表面散射平均自由程
- 考虑MOS效应的锥型硅通孔寄生电容解析模型被引量：3
- 2013年
- 该文采用求解泊松方程等数学方法,提出了考虑MOS效应的锥型硅通孔(TSV)寄生电容解析模型。基于铜材料TSV,对比了解析模型与Ansoft Q3D参数提取模型,得出在偏置电压为-0.4 V,0.5 V和1.0 V时,对于锥型TSV侧面倾角为75°,80°,85°和90°4种情况,多个参数变化时解析模型最大均方根误差分别为6.12%,4.37%,3.34%和4.84%,忽略MOS效应时,最大均方根误差分别达到210.42%,214.81%,214.52%和211.47%,验证了该解析模型的准确性和考虑MOS效应的必要性。Ansoft HFSS仿真结果表明,考虑MOS效应以后11S的最大减幅大约为19 dB,21S的最大增幅大约为0.01 dB,锥型TSV的传输性能得到改善。
- 杨银堂王凤娟朱樟明刘晓贤丁瑞雪
- 关键词：寄生电容泊松方程
- 考虑自热效应的互连线功耗优化模型被引量：1
- 2013年
- 基于互连线的分布式功耗模型,考虑自热效应的同时采用非均匀互连线结构,提出了一种基于延时、带宽、面积、最小线宽和最小线间距约束的互连动态功耗优化模型.分别在90和65nm互补金属氧化物半导体工艺节点下验证了功耗优化模型的有效性,在工艺约束下同时不牺牲延时、带宽和面积所提模型能够降低高达35%互连线功耗.该模型适用于片上网络构架中大型互连路由结构和时钟网络优化设计.
- 张岩董刚杨银堂王宁王凤娟刘晓贤
- 关键词：自热效应
