杨芳
- 作品数：11 被引量：35H指数：3
- 供职机构：上海电力学院更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学理学自动化与计算机技术更多>>
- 基于高速伪随机码调制和光子计数的远程激光测距系统
- 一种基于高速伪随机码调制和光子计数的远程激光测距系统，基本原理是采用高速率伪随机码对连续的光纤激光进行调制，调制后的信号光经发射望远镜系统发射，目标反射光经接收望远镜系统接收后进入单光子探测器。光子计数卡对探测器输出的信...
- 杨芳陈卫标张鑫贺岩
- 文献传递
- 基于高速伪随机码调制和光子计数激光测距技术
- 了一套基于高速伪随机码调制和光子计数技术的激光测距实验系统,系统采用10 阶M 序列伪随机码调制1550nm 光纤激光器和具有3 级热电制冷能力的InGaAs/InP 单光子探测器。利用光纤延时方法进行了测距性能的验证实...
- 杨芳张鑫贺岩陈卫标
- 关键词：PSEUDORANDOMPHOTONCOUNTINGRANGINGINGAAS/INP
- 基于主从分布式串行多机通信的电机控制系统的设计与实现被引量：1
- 2013年
- 基于单片机的串行通信原理,设计了一种RS485通信接口的主从分布式串行多机通信系统.搭建了在PC机控制下的多个步进电机运转的硬件电路,设计了VC++的人机交互界面和主从机通信软件.系统具有性能稳定、运行可靠、扩展性强的特点,可用于远距离通信,适用于工业控制系统.
- 杨芳
- 关键词：主从分布式单片机串行通信
- 基于不同伪随机码调制的光纤激光测距系统被引量：14
- 2014年
- 在高速伪随机码调制和光子计数技术的激光测距系统中,采用不同的伪随机码,在光纤延时的方法下开展了基于不同伪随机码调制的测距实验并与M序列伪随机码进行对比。结果表明在相同的入射条件下,M序列伪随机码具有更好的信噪比和测距精度。搭建了实际测距平台并开展了室外测距实验,在10阶M序列伪随机码,1GHz调制速率,发射光输出峰值功率12.1W,测量768.5m远的目标时,得到3.2cm的测距精度。
- 杨芳张鑫贺岩陈卫标
- 关键词：激光测距光子计数
- 基于高速伪随机码调制和光子计数的三维成像激光雷达
- 构建了一套基于高速伪随机码调制和光子计数的三维成像激光雷达系统,系统采用10阶M序列伪随机码调制1550nm光纤激光器、InGaAs/InP单光子探测器和扫描系统。进行了室外日光下的测距和三维成像实验,获得了准确的120...
- 张宇飞贺岩杨芳罗远陈卫标
- 关键词：三维成像激光雷达光子计数
- 文献传递
- 采用高速伪随机码调制和光子计数技术的光纤激光测距系统被引量：9
- 2013年
- 在高速伪随机码调制和光子计数技术的激光测距系统中,将1 550 nm光纤激光器的伪随机码调制速率从622 MHz提高到1 GHz,利用光纤延时方法开展了两种调制速率下的测距实验并进行性能验证和对比。采用10阶M序列伪随机码和探测效率为10%的同一个InGaAs/InP雪崩光电二极管,入射到探测器的信号光能量均为1.94×10-17J时,得到二者的系统信噪比基本一致,但在高调制速率下系统的测距精度提高了1.58倍,基本符合理论计算结果。搭建了实际测距平台并开展基于1GHz调试速率下的室内测距实验,当测量距离约为4.5 m的高反射目标时,得到2.1 cm的测距精度,该实验结果为室外测距实验提供了参考依据。
- 杨芳张鑫贺岩陈卫标
- 关键词：光子计数INGAAS
- 激光测距示范使用高速伪随机码调制光纤激光器和光子计数技术
- 脉冲直接检测被广泛用于传统高度计具有很高的峰值功率、低重复频率.在这些系统中,稀疏的测量点和低的测距精度不能满足高精度的要求.新的测高系统进行了探讨,以提高性能的传统.在这里,我们提出了一个激光测距系统中使用的高速伪随机...
- 杨芳张新陈卫标
- 关键词：光子计数激光测距
- 基于高速伪随机码调制和光子计数激光测距技术被引量：14
- 2013年
- 构建了一套基于高速伪随机码调制和光子计数技术的激光测距实验系统,系统采用10阶M序列伪随机码调制1550nm光纤激光器和具有3级热电制冷能力的InGaAs/InP单光子探测器。利用光纤延时方法进行了测距性能验证实验,在激光器调制速率为622MHz,伪随机码序列长度1.64μs和探测器探测效率10%时,当入射到探测器的信号光的平均功率为-76.1dBm时,得到22.6dB的系统信噪比和0.95cm的测距精度,为实际系统验证提供了技术参考。
- 杨芳张鑫贺岩陈卫标
- 关键词：光子计数激光测距INGAAS
- 平板偏振膜的角度特性研究被引量：1
- 2007年
- 当入射光倾斜入射到平板偏振膜上时,在两种偏振光的反射带边缘处出现P偏振光高透而S偏振光高反的情况.利用F-P结构的膜系设计了偏振膜.随着入射角的增大,S光的带宽、消光比及参考波长线性增大,而膜层中电场强度的最大值和界面处的电场强度均减小,只有P偏振光的变化特性跟布儒斯特角有关.分析膜层的界面特性和膜层中的缺陷分布情况,可得偏振膜P偏振光的阈值随入射角的增大而增大.结果表明,在P光透过率可使用的范围内,入射角越大,消光比越大,场强在膜层中的分布越低,但P偏振光的透过率有所降低.
- 杨芳黄建兵
- 关键词：入射角场强
