杨建文
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：深圳大学更多>>
- 发文基金：深圳市科技计划项目广东省粤港关键领域重点突破项目国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响被引量：2
- 2005年
- 为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入一层低温生长A lN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂。本文研究了A lN缓冲层生长温度、高温变组分A lGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析。测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量。
- 冯玉春胡加辉张建宝王文欣朱军山杨建文郭宝平
- 关键词：SI(111)CANALNALGAN
- Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触被引量：2
- 2005年
- 通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触电阻率(cρ)小于9.5×10-5Ω.cm2,透过率达到74%(470 nm)的N i/ITO-p-GaN电极。
- 冯玉春张建宝朱军山杨建文胡加辉王文欣
- 关键词：欧姆接触
- Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量被引量：3
- 2006年
- 通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5Ω.cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用。
- 卫静婷冯玉春李炳乾杨建文刘文王质武施炜杨清斗
- 关键词：比接触电阻率
- 功率型LED电极的研究
- LED是节能、环保型光源，具有低工作电压，低功耗，固体化，小体积，长寿命，无闪频，响应时间快，容易与IC电路匹配，可在各种恶劣环境下使用等特点。所以它的出现使与人类息息相关的传统照明产业正面临着重大挑战，其遍及国计民生诸...
- 杨建文
- 关键词：P-GAN比接触电阻表面处理电极发光二极管
- 文献传递
