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李庆青

作品数:11 被引量:16H指数:3
供职机构:深圳大学光电工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇液晶
  • 3篇液晶显示
  • 2篇等离子体显示
  • 2篇等离子体显示...
  • 2篇显示器
  • 2篇绝缘
  • 2篇基于FPGA
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  • 2篇FPGA
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  • 2篇彩色等离子体
  • 2篇彩色等离子体...
  • 1篇导体
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  • 1篇电路
  • 1篇电性质
  • 1篇电泳
  • 1篇电泳法
  • 1篇电子结构

机构

  • 9篇深圳大学
  • 2篇南京电子器件...
  • 2篇深圳技术大学
  • 1篇佛山科学技术...

作者

  • 11篇李庆青
  • 7篇偰正才
  • 5篇王智勇
  • 4篇刘瑞友
  • 3篇陶涛
  • 2篇牛憨笨
  • 1篇樊卫华
  • 1篇王绪丰
  • 1篇庾名槐
  • 1篇杨谢威
  • 1篇廖巧生
  • 1篇李冀
  • 1篇杜长运
  • 1篇杨勤劳
  • 1篇杨瑞博

传媒

  • 3篇光电子技术
  • 1篇电子产品世界
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇现代显示
  • 1篇单片机与嵌入...
  • 1篇2012中国...
  • 1篇第五届届全国...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇1999
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
彩色PDP放电单元参数设置分析
2001年
本文对三电极表面放电反射结构彩色 PDP放电单元进行了等效和分析 ,利用一些实验验证及计算机模拟的结果 ,研究了放电单元的一些参数变化对单元亮度、功耗以及发光效率的影响 ,为彩色 PDP的单元设计提供一定的参考。
樊卫华李庆青
关键词:亮度彩色等离子体显示器放电单元计算机模拟
阳极氧化法制备Mg-Al复合氧化物绝缘层的研究
2018年
栅绝缘层是薄膜晶体管(TFT)的关键组成部分,低成本及低温制备是其未来的发展方向。阳极氧化法是可以实现这些目的的制备工艺技术之一。本文首先采用电子束蒸发在150℃的玻璃基板上制备Mg-Al合金薄膜,然后使用阳极氧化法形成Mg-Al复合氧化物薄膜,并对不同制备工艺条件下的薄膜结构、绝缘性能等进行了初步研究。所获得的Mg-Al氧化物薄膜具有均匀的非晶态结构以及较好的绝缘性能,适合于用作TFT的栅绝缘层。
杨耀杰杨俊华谭晓婉李俊峰李庆青偰正才
关键词:阳极氧化栅绝缘层
非晶MgZnO薄膜及其全透明TFT的研究
庾名槐李庆青王智勇何海英姚晓慧偰正才牛憨笨
一种基于FPGA伪彩液晶显示系统的设计被引量:1
2007年
根据场序法彩色液晶显示原理和功能要求,基于XILINX公司Sparcan3系列FPGA,采用硬件描述语言Verilog设计了一种伪彩液晶显示控制电路,并利用单色液晶屏和三基色的LED背光源完成了场序法伪彩液晶显示控制系统的设计与实现。仿真和测试结果表明,该系统的设计控制灵活可靠,能够实现场序法彩色液晶显示时序和控制功能。
刘瑞友王智勇陶涛李庆青偰正才
关键词:场序彩色FPGAVERILOG
基于FPGA的液晶显示控制器设计被引量:3
2007年
陶涛刘瑞友李庆青王智勇偰正才
关键词:控制器设计液晶显示控制器GPS卫星定位系统专用集成电路现场可编程门阵列
Mg、F 共掺p型SnO2薄膜的光电性质研究
本文将Mg、F共掺SnO2,考察不同掺杂比例下对SnO2薄膜光电性质的影响,并探讨实现p-型非晶氧化物TFT的可行性。结果表明,采用Mg、F共掺杂SnO2,不仅能扩宽SnO2薄膜的光学带隙,同时随着掺杂量的增加,SnO2...
廖巧生李庆青王智勇杨瑞博杨谢威杜长运偰正才牛憨笨
关键词:半导体薄膜光电性质
文献传递
一种基于FPGA伪彩液晶显示系统的设计被引量:8
2007年
根据场序法彩色液晶显示原理和功能要求,基于XILINX公司Spartan3系列FP-GA,采用硬件描述语言Verilog设计了一种伪彩液晶显示控制电路,并利用单色液晶屏和三基色的LED背光源完成了场序法伪彩液晶显示控制系统的设计与实现。仿真和测试结果表明,该系统的设计控制灵活可靠,能够实现场序法伪彩液晶显示时序和控制功能。
刘瑞友王智勇陶涛李庆青偰正才
关键词:FPGAVERILOG
彩色等离子体显示发展现状被引量:4
1999年
王绪丰李庆青
关键词:等离子体显示器彩色PDP
基于纳米碳管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器
一种基于纳米碳管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器。采用三电极结构,阴极和栅极位于同一基板平面上,并制作在沟槽壁上。发射材料用碳纳米管,用电泳法将碳纳米管移植于沟槽壁,也可以用原位选择生长法直接在沟槽壁长出碳纳米管。可以...
李冀田进寿牛憨笨张焕文杨勤劳李庆青
文献传递
MgAl_2O_4绝缘性的第一性原理研究
2017年
基于密度泛函理论的第一性原理研究了存在本征空位和间隙缺陷的MgAl_2O_4体系。缺陷形成能的结果表明,O_(i4)和V_O分别在富氧(O-rich)和缺氧(O-poor)条件下的形成能最低,两者均在体系中引入深能级,无法增强MgAl_2O_4的导电性。电子结构的结果表明,O_(i4)在价带顶和导带底均引入能级,V_O在禁带中引入深能级,分别存在这两种本征缺陷的MgAl_2O_4依然保持良好的绝缘性。
李俊锋罗怡韵何海英李庆青偰正才
关键词:第一性原理MGAL2O4电子结构
共2页<12>
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