李义锋
- 作品数：18 被引量：38H指数：4
- 供职机构：河北普莱斯曼金刚石科技有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：化学工程理学一般工业技术电子电信更多>>
- 椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下大面积金刚石膜的沉积被引量：6
- 2011年
- 使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在输入功率为9 kW,沉积压力为1.7×104 Pa和不同的气体流量条件下制备了金刚石膜。利用扫描电镜、激光拉曼谱对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质等进行了表征。实验结果表明,利用椭球谐振腔式MPCVD装置能够在较高的功率下进行大面积金刚石膜的沉积;在高功率条件下,较高质量的金刚石膜的沉积速率可以达到4～5μm.h-1的水平,而气体的流量则会显著影响金刚石膜的品质及其沉积速率。
- 于盛旺范朋伟李义锋刘艳青唐伟忠
- 关键词：金刚石膜高功率气体流量生长速率
- 环形天线-椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下沉积高品质金刚石膜被引量：7
- 2016年
- 介绍了自行研制的环形天线-椭球谐振腔式高功率MPCVD装置的结构特点,展示并研究了新装置在高功率条件下的放电特性。在10.5 k W的高微波输入功率下成功制备了直径50 mm,厚度接近1 mm的高品质自支撑金刚石膜。在真空泄漏速率约2.5×10^(-6)Pa·m^3/s的条件下金刚石膜的生长速率达到6μm/h,金刚石膜厚度偏差小于±2.1%。抛光后的金刚石膜红外透过率在6.5~25μm范围内接近71%;紫外透过率在270 nm处超过50%,金刚石膜样品的光学吸收边约为225 nm;通过紫外吸收光谱计算的金刚石膜样品中的氮杂质含量约为1.5 ppm;金刚石膜的拉曼半峰宽小于1.8 cm^(-1)。
- 李义锋唐伟忠苏静杰安晓明刘晓晨姜龙孙振路
- 关键词：金刚石膜化学气相沉积高功率
- 高品质金刚石厚膜的微波等离子体CVD沉积技术
- 金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石厚膜的各种方法之中，高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高，同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好，因而一直是制备高品质金刚石厚膜的首选方法。在世界...
- 唐伟忠于盛旺范朋伟李义锋苏静杰刘艳青
- 关键词：MPCVD高功率
- TM<Sub>021</Sub>模式的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置
- 本发明TM<Sub>021</Sub>模式的高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，该装置由上下圆柱体、可调节的上腔体和微波反射板、沉积台、微波同轴激励口，微波石英窗口，进出气口，测温孔和观察窗等组成。此装置拥有TM<Sub...
- 唐伟忠李义锋苏静杰刘艳青丁明辉李小龙姚鹏丽
- 文献传递
- 高品质金刚石膜微波等离子体CVD技术的发展现状被引量：11
- 2012年
- 金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石膜的各种方法之中,高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高,同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好,因而一直是制备高品质金刚石膜的首选方法。在世界范围内,美、英、德、日、法等先进国家均已掌握了以高功率MPCVD法沉积高品质金刚石膜的技术。但在我国国内,高功率MPCVD装备落后一直是困扰我国高品质金刚石膜制备技术发展的主要障碍。首先综述国际上高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术的发展现状,包括各种高功率MPCVD装置的特点。其后,回顾了我国金刚石膜MPCVD技术的发展历史,并介绍北京科技大学近年来在发展高功率MPCVD装备和高品质金刚石膜制备技术方面取得的新进展。
- 唐伟忠于盛旺范朋伟李义锋苏静杰刘艳青
- 高品质金刚石厚膜的微波等离子体CVD沉积技术
- 金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石厚膜的各种方法之中,高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高,同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好,因而一直是制备高品质金刚石厚膜的首选方法。在世界...
- 唐伟忠于盛旺范朋伟李义锋苏静杰刘艳青
- 关键词：高功率
- 文献传递
- 沉积温度对硬质合金表面沉积的SiC薄膜的影响被引量：1
- 2012年
- 采用强电流直流伸展电弧等离子体CVD技术,以Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)为先驱气体,在YG6硬质合金衬底表面制备了SiC薄膜。实验结果表明:随着沉积温度的升高,薄膜的致密性和平整度提高;但当沉积温度过高时,SiC薄膜的表面开始具有含非晶碳球和呈花瓣状的疏松结构。在合适的沉积温度下,SiC薄膜的致密性和平整度较好,且其具有较好的附着力和一定的强度,而这样的SiC薄膜可以阻止在金刚石涂层沉积过程中硬质合金中含有的Co对金刚石相沉积过程的有害作用。
- 黑鸿君于盛旺刘艳青李义锋唐伟忠
- 关键词：SIC薄膜沉积温度表面形貌附着力
- 分体圆柱谐振腔法用于金刚石膜微波介电性能测试的研究被引量：4
- 2015年
- 针对金刚石膜微波介电损耗低、厚度薄带来的微波介电性能测试难点,研制了一台分体圆柱谐振腔式微波介电性能测试装置。利用不同直径的蓝宝石单晶样品,用上述装置对低损耗薄膜类样品微波介电性能的测试能力及样品直径对测试结果的影响进行了实验研究。在此基础上,使用分体圆柱谐振腔式微波介电性能测试装置对微波等离子体化学气相沉积法和直流电弧等离子体喷射法制备的高品质金刚石膜在Ka波段的微波介电性能进行了测试比较。测试结果表明,由Raman光谱、紫外-可见光谱等分析证明品质较优的微波等离子体化学气相沉积法制备的金刚石膜具有更高的微波介电性能,其相对介电常数和微波介电损耗值均低于直流电弧等离子体喷射法制备的金刚石膜。
- 苏静杰杨梓李义锋唐伟忠安晓明郭辉
- 关键词：微波介电性能金刚石膜
- 四甲基硅烷流量对硬质合金表面沉积的SiC涂层的影响被引量：1
- 2013年
- 采用强电流直流伸展电弧化学气相沉积(HCDCA CVD)技术,在Ar、H2和四甲基硅烷(TMS)先驱体组成的混合气体气氛下,在YG6硬质合金衬底表面沉积了SiC涂层。本文对不同TMS流量条件下制备的SiC涂层的沉积速率、表面形貌、化学成分、物相组成以及附着力进行了对比研究。在此基础上,实验选取表面连续致密且附着力良好的SiC涂层作为过渡层进行了金刚石涂层的沉积,并对金刚石涂层的形貌、质量以及附着力进行了表征。实验发现。随着TMS流量的增加,SiC涂层的沉积速率加快,连续和致密性逐渐改善,但其附着力明显降低。连续致密且附着力良好的SiC涂层作为过渡层,可以有效地抑制硬质合金中Co的扩散,消除Co在金刚石涂层沉积过程中的不利影响,获得附着力良好的纳米金刚石涂层。
- 黑鸿君于盛旺刘艳青丁明辉李义锋唐伟忠
- 关键词：金刚石涂层
- 新型高功率MPCVD装置研制与金刚石膜高效沉积
- 高功率MPCVD技术是高效率地制备大面积、高品质金刚石膜的有效方法,因为高的微波输入功率可以激发富含H原子和多种含碳基团的高密度、大尺寸的等离子体,而这正是高速率沉积大面积、高品质金刚石膜所必需的条件然而,国内外几种不同...
- 李义锋
- 关键词：金刚石膜MPCVD微波电场
